Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 400, 1за

PPo 46О4 -1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л3 161

М. Я. Дашевский, В. Б. Лазарев и М. С. Миргаловская

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

В ДЕНДРИТАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО АНТИМОНИДА

ИНДИЯ

Заявлено 7 апреля 1961 г. за Ха 725549/22-2 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Ма 7 за 1962 г.

В настоящее время кристаллы соединения I17Sb нашли применение в полупроводниковой технике.

В кристаллах антимонида индия электронного (п) типа электронно-дырочные (p — и) переходы, как основная часть полупроводниковых приборов, создают выплавлением индия, слой которого перед выплавлением наносят на одну из плоскостей кристалла, а затем его отжигают.

Предложенный способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия состоит в том, что расплавленный индий наносят на свежевыращенную боковую поверхность дендрита в той же установке, где выращивают его и где потом его отжигают. Этот способ позволяет улучшить рабочие характеристики р — n lпlеeрpеeIхIоoд оolвl, сократить потери дорогостоящего антимонида индия за счет исключения операций резки, шлифовки, полировки и травления кристалла, а также получить электронно-дырочный переход на определенной глубине и нужной конфигурации.

На чертеже изображена схема установки для осуществления способа.

Процесс создания р — п переходов ведут следующим образом.

Индиевый стержень 1 помещают в печь 2 сопротивления (с регулируемым нагревом), температуру которой измеряют при помощи термопары 8 Конец индиевого стержня, обращенный к плоскости дендрита 4, плавится, IIpH 3TQM режим печи подбирают TBKHih BToohl I HO,7II индия удерживалась от падения силами поверхностного натяжения.

Для нанесения слоя индия на поверхность дендрита 4 стержень 1 может перемещаться в сторону дендрита и, касаясь его поверхности, смачивать ее.

Кроме того, индиевый стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в вертикальной плоскости, что позволяет регулировать размеры н носимого слоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расповерх№ 14б049 плавом 6, из которого выращива|от дендрит 4, имеет свой нагреватель 7. Вся установка помешена в рабочую камеру 8, в нижней части которой расположен патрубок 9 для впуска инертного газа.

Институт физики металлов Лкадемии наук СССР в своем заклк>чеHHH Отметил новизну !I полезность предлагаемого способа, Предмет изобретения

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия путем наплавления индия на по;ерхнссть кристалла с последующим отжигом кристалла, отличающийся ся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик р — п переходов и снижения стоимости производства полупроводниковых кристаллов антимонида индия, расплавленный индий наносят в установке по выращиванию дендpHTAB на свежевыращенную боковую поверхность дендрита. (.ос авитель описания И. С. Щукин

Редактор Н. И. Мосин Техред А. А. Камышникова Корректор И. А. Шпынева

Поди. к печ. 12.Х-62 г. Формат бум. 70Х1081/,, Объем 0,18 изд. л.

Зак. 10307 Тираж 750 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М, Черкасский пер., д. 2/б.

Типография ЦБТИ, Москва Петровка, 14.