C30B29/40 - соединения типа AIIIBV — все патенты категории

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия

Мв 126269 Класс 40b, 18 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М. C. Миргаловская, Е. В. Скуднова, Т вЂ” Х Шэнь и В. А. Кокошкин СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ THHA ПРОВОДИМОСТИ И ЭЛ EKTPOCOll POTN ВЛ ЕН ИЯ А НТ ИМО Н ИДА АЛЮМИ Н ИЯ ПУТЕМ ЛЕГИРОВАНИЯ ЕГО ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ Заявлено 19 мая 1959 г. за М G28610, 22 в Комитет ио делам изобретепи и открытий прп Совете...

126269

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов

о jgggj$ л Предмет изобретения Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих í;вЂ” сколько летучих компонентов, о т л и ч а ю щ и и с si тем, что основной компонент последовательно обрабатывают парообразными летучими примесями, с целью получения многокомпонснтпых полупроводников. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Л. М. Струв...

129338

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Класс 400, 1за PPo 46О4 -1 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л3 161 М. Я. Дашевский, В. Б. Лазарев и М. С. Миргаловская СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ В ДЕНДРИТАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО АНТИМОНИДА ИНДИЯ Заявлено 7 апреля 1961 г. за Ха 725549/22-2 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Б...

146049

Способ получения монокристаллов фосфида бора

О П И С А Н И Е I67820 изоы итиния Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 02Х11 l.1962 (№ 789513/23) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 05.ll.1965. Бюллетень № 3 Дата опубликования описания 20.III.1965 Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР Л!ПК В Old УДК Авторы изобретения lO. A....

167820

Способ выращивания монокристаллов фосфидабора

l85 087 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бсюе Ссввтских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 08 1!1.1965 {И 945428/26-25) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано ЗО.VII.1966. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 29.IX.1966 Кл. 40d, 1/30 МПК С 22f УДК 546.181.1 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий п...

185087

Способ выявления неоднородностей

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ l9l98l Союэ Саеетснин Социалистичеснин Ресау0лин Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 16.VI.1965 (№ 1013098/22-2) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 26.1.1967. Бюллетень ¹ 4 Дата опубликования описания 15.III.1967 Кл. 48а, 1/06 МПК С 23Ь УДК 621.357.7:621.315. .592.3 (088.8) Комитет по делам иэобретеиий и...

191981

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на с...

764208

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородност...

961391

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 - 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 - 50 л/ч и осаждение ведут при температ...

1136501

Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,61015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм...

1279279

Способ получения монокристаллов in sb <bi>

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./...

1360266

Способ изготовления полупроводниковых пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия. Способ позволяет повысить процент выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин на этапе резки. Предварительно слиток арсенида индия калибруется, т.е. механически обрабатывается вся его внешняя поверхность...

1566814

Способ получения многослойных эпитаксиальных структур g @ а @

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении эпитаксиальных структур GAAS путем осаждения из газовой фазы. Цель изобретения - получение более резких P-N-переходов и повышение выхода структур. Способ включает продувку реактора водородом и арсином в течение 3 - 4 мин, дальнейшее введение в реактор GA(CH<SB POS="POST">3</SB>...

1573057

Способ выращивания эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повышение эффективности осаждения. Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15°С и по...

1599448

Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5. Способ позволяет снизить плотность дислокаций и повысить совершенство кристаллической структуры. Полупроводниковые соединения выращивают из жидкой фазы с добавкой легирующих примесей, в качестве которых использ...

1621562

Способ получения многокомпонентных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Изобретение относится к техноло ии полупроводниковых материалов, в частно сти к технологии выращивания многокомпонентных тонкопленочных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в соер вы соком вакууме. 06еспеиивает увеличение процента использования исходных компонентов Способ включает испарение исходных компонентов и осаждение слоев на подложку из молекулярных пучков, плотн...

1686043

Способ получения монокристаллов фосфида галлия

Изобретение относится к способам получения монокристаллов фосфида галлия и позволяет уменьшить плотность дефектов структуры и.предотвратить растрескивание монокристаллов диаметром более 50 мм. Вытягивают кристалл из расплава с флюсом под давлением инертного газа. Из флюса вытягивают со скоростью 0,25-0,75 мм/мин. Охлаждают кристалл до 500-700°С, затем нагревают на 50-200&...

1701758

Способ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений А В и может быть использовано при производстве электролюминесцентных структур. Цель изобретения - увеличение скорости роста слоев при сохранении их монокристалличности . Способ включает жидкофазную эпитаксию слоев нитрида галлия в протоке водорода, содержащего аммиак, на сапфировой подложке из раствора-расп...

1705425

Способ получения монокристаллов антимонида индия

Использование: изобретение относится к получению полупроводниковых материалов . Сущность изобретения: расплавляют в тигле антимонид индия и германия (для легирования до концентрации -3-1013 CMj3. На расплав воздействуют магнитным полем с индукцией не более 0.3 Тл. Получают монокристаллы методом Чохральского с подвижностью носителей более 5 -103 см2. СО С СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИА...

1756392

Способ получения структуры (c)

Использование: полупроводниковая техника, фотоприемники. Сущность: структуру (С) получают методом жидкофазной эпитаксии. Подложку InP сначала отжигают при 300 10 °С, затем при температуре выше и равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP. Процесс эпитаксии ведут при 710 + 10°С. Получают слои Jn0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 11015 см-3 , имеющие повышенную фото...

1774673

Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом. Уменьшае...

1800856

Способ получения кристаллического арсенида галлия

Использование: синтез разлагающегося соединения. Сущность изобретения: галлий с мышьяком нагревают до 1250-1270°С, выдерживают 10-15 мин, охлаждают со скоростью 300-320 град/ч до 1100-1150°С. затем повторяют нагрев и выдержку, после чего охлаждение ведут со скоростью 70-100 град/ч до комнатной температуры. 1 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (s...

1809847

Способ получения монокристаллов гамазова и устройство для его осуществления

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут н...

1825537

Способ выращивания полупроводниковых соединений

Использование: в технологии получения соединений A3B5 осаждением из газовой фазы. Сущность изобретения: при выращивании кристаллов в ампулу дополнительно вводят транспортный агент и процесс ведут при температуре источника на 100 - 600°С ниже температуры плавления соединения, температуре затравки на 5 - 100°С ниже температуры источника и давлении легколетучего компонента в диапазоне от рав...

2023770

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов

Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон пр...

2032776

C30B29/40 - соединения типа AIIIBV

Патенты в этой категории