Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Патент 1279279
Авторы
Классы МПК
Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Реферат
Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,61015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.