Стоян А.С.

 Термопреобразователь для низких температур, содержащий полупроводниковый чувствительный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в широком диапазоне температур, чувствительный элемент выполнен из твердого раствора антимонида индия с висмутом InSb1-xBix с содержанием висмута от 0,03 до 0,1 ат.%, с концентрацией нескомпенсированных акцепторов от 51012 до 41013 см-3...

 1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью. 2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на квар...

 Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,61015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм...

 Приемник СВЧ-излучения, выполненный на основе компенсированного n-InSb, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в InSb вводят висмут, мольное содержание которого не превышает 810-4, причем при минимально достижимой концентрации фоновой примеси в InSb должно выполняться соотношение N 7,251021X2, где N - концентрация фоновой примеси, см-3; X - мольное содержание Bi.

 Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./...