PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Стоян А.С.

Изобретатель Стоян А.С. является автором следующих патентов:

Термопреобразователь для низких температур

Термопреобразователь для низких температур

 Термопреобразователь для низких температур, содержащий полупроводниковый чувствительный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в широком диапазоне температур, чувствительный элемент выполнен из твердого раствора антимонида индия с висмутом InSb1-xBix с содержанием висмута от 0,03 до 0,1 ат.%, с концентрацией нескомпенсированных акцепторов от 51012 до 41013 см-3...

959510

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце

 1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью. 2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на квар...

976726

Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

 Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,61015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм...

1279279

Приемник свч-излучения

Приемник свч-излучения

 Приемник СВЧ-излучения, выполненный на основе компенсированного n-InSb, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в InSb вводят висмут, мольное содержание которого не превышает 810-4, причем при минимально достижимой концентрации фоновой примеси в InSb должно выполняться соотношение N 7,251021X2, где N - концентрация фоновой примеси, см-3; X - мольное содержание Bi.

1281100

Способ получения монокристаллов in sb <bi>

Способ получения монокристаллов in sb <bi>

 Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./...

1360266