Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений

Реферат

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения подложкодержателя, а патрубок для отвода продуктов реакции размещен на кварцевой рубашке выше подложкодержателя.