C30B25/08 - реакционные камеры; выбор материалов для них

Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества

Класс 12с, 2 Яо 146282 ССС|1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная грутга Al 39 Е, И. Гиваргизов, А. М. Кеворков, М. В. Гаврилова, Н. Н. Шефталь и Г. И. Спиридонова УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЪ| ВЕЩЕСТВА Заявлено 8 июля 1961 г. за № 737367/23 в Комитет по лелам изобретений ti открытий при Совете Министров CCCP Опубли...

146282

Устройство для обработки пластин в газовой фазе

(ю) Я1 (и) 733135 А1 (51) 5 СЗОВ25 08 I Al l e СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2590684/22 (22) 07.03.78 (46) 30Л093 Бк)л. Na 39-40 (72) Глущенко В.Н„Ковалев B.И„Федорова ТА (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ 733135 Изобретение относит...

733135

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на с...

764208

Устройство для обработки подложекфотоактивированным газом

Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Гааудерстееххый кемитет СССР па делан изобретений н открытий (23) Приоритет Опубликовано 07.02.81. Бюллетень ¹ 5 Дата опубликования описаиия09.02.81 (53) УДК621.315. .592(088.8) ! f (72) Автор изобретения A. Л. Гриценко (7I) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК ФОТОА...

802414

Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ > 82762! Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено |1.07.77 (21) 2506528/23-26 (51) М.Кл."С 30 В 25/08 с присоединением заявкивЂ” Государственный комитет (23) ПриоритетвЂ” ло делам изобретений н открытий (43) Опубликовано 07.05.81. Бюллетень 1!е 17 (45) Дата опубликования опи...

827621

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ -ФАЗЫ, включающее водоохлаждаемую камеру, полый подложкодержатель, расположенный в камере , индуктор, установленный в закрытом колпаке внутри подложкодержателя, теплоизоляционный экран, размещенный у внутренней стенки камеры, и средства ввода и вывода газа, отличающееся тем, что, с целью повыщекия качества осажденных слоев путем обеспечен...

1089181

Реактор для осаждения слоев

Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов. Позволяет увеличить производительность реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упростить форму реактора и уменьшить его размеры. Реактор включает корпус с крышкой, подложкодержатель, па...

1321136

Устройство для эпитаксиального выращивания слоев

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Цель изобретения - улучшить морфологию за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев. Устройство включает вертикальный реактор. Внутри него размещены коаксиальные трубки для ввод...

1376633

Устройство для продувки камеры

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (19) (И1 (S1)5 С 30 В 25 08 ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.07.93. Бюл. 1 26 (21) 4023121/26 (22) 11.02,86 (72) В.Н.Глущенко, К.И.Гордиенко, Г.И.Грищук, В.А.Жариков и В.ф.Колесников (56) Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральны...

1380309

Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев. Устройство содержит реактор, внутри которого размещены источники исходных компонентов и проточная камера роста. В проточной камере роста неподвижно установлен подложкодержатель. Камера роста соединена одним из источников с помощью поворотного коммутатора. Поворотный коммутатор обеспечи...

1462857

Затвор реактора для газовой эпитаксии

Изобретение обеспечивает использование для уплотнения вращающегося штока подложкодержателя обычных употребляемых и допступных манжет и исключение при этом загрязнения кремниевых пластин в процессе эпитаксиального выращивания. Затвор содержит водоохлаждаемый фланец, по оси которого закреплен шток подложкодержателя. На штоке закреплено зубчатое колесо, соединенное с другим зубчатым...

1663061

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

Изобретение относится х технологическому оборудованию для получения диэлектрических слоев двуокиси кремния на подложках из арсенида галлия. Обеспечивает увеличение площади поверхности осаждения и повышение однородности слоев. Устройство включает реактор с вращающимся подложкодержателем (ПД). На ПД размещен источник излучения, содержащий анод и полый катоде рубашкой охлаждения. Вн...

1686044

Устройство для получения пленок

Изобретение относится к оборудованию для нанесения металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий и может найти практическое применение в полупроводниковой промышленности, обеспечивает повышение однородности толщины и структурно-чувствительных параметров пленки и снижение потерь испаряемого соединения/Устройство включает обогреваемый цилиндрический кварцевый реактор,...

1726572

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого установлен подложкодержатель (ПД). ПД выполнен в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами вдиске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. На стороне сателлитов, обращенной к диску, выполнены также газотранспортные канавки. Их форма и угловое расположение аналогич...

1768675

Устройство для получения слоев тугоплавких нитридов методом химического газофазного осаждения

Использование: при получении особочистых изделий из пиролитических нитридов бора и кремния. Устройство содержит вертикальный цилиндрический реактор., изготовленный из диэлектрического материала. Внутри расположен подложкодер,жатель. Средство ввода газовых реагентов выполнено из двух коаксиальных трубок, причем нижний конец внутренней трубки выступает за нижний торед внешней. И вн...

1806225

Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению. Устройство содержит реактор с графитовой подложкой внутри, обогреваемый индуктор, снабженный радиационным экраном и газовводом. Подложка размещена внутри радиационного экрана, выполненного из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом. Улучшается качество изделий и покрытий. 1 ил. Изобретение относится к высокотемпер...

2042751

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления

Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установле...

2162117

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы

Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений. Способ включает стадии выращивания первого слоя нитридов элементов III группы на инородной подложке, обработки первого слоя нитридов элементов III группы лазером, выращивания второго слоя нитридов элементов III группы на первом слое нитридов элемен...

2593868

Способ получения монокристаллов моноклинного диоксида гафния

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов диоксида гафния, которые могут быть использованы в качестве компонентов сцинтилляционных детекторов, лазеров, иммобилизаторов нуклеиновых кислот, биосенсоров, биодатчиков. Способ включает взаимодействие металлического гафния, размещенного внутри кварцевой ампулы, служащей источником кислорода, с тетрафторидом углерода, которым заполняют а...

2631080

C30B25/08 - реакционные камеры; выбор материалов для них

Патенты в этой категории