Лисовенко В.Д.

 Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одн...

 Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на с...

 Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, о...

 Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойны...

 Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

 Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5)10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпи...

 Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на поря...

 Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества с...

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изометрического температурного поля вокруг кристалла. Устройство содержит камеру роста, внутри которой коаксиально установлены тигель и тепловой узел. Тепловой узел включает две установленные друг над другом тепловые трубы с нагревателями. М...