Способ выполнения межсоединений элементов в интегральных микросхемах

Реферат

 

Изобретение относится к технологии изготовления металлизированной разводки в интегральных схемах. Цель изобретения - упрощение способа. Способ включает формирование на пластине полупроводника функциональных элементов и выполнение в первом слое металлизации дорожек, соединяющих отдельные элементы с контактными площадками для контроля. Контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения формируют в участках пластины, минимальных по площади. Осуществляют контроль функционирования элементов. Разрывают контактные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами. Формируют второй слой металлизации. Контактные площадки 2-го слоя металлизации формируют нанесением металла через единый фотошаблон с перекрытием всех контактных площадок для контроля в 1-ом слое металлизации на каждом отдельном участке формирования площадок для контроля. Способ может быть использован при выполнении межсоединений схем, в которых производится резервирование элементов. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления микроэлектронных изделий, в частности к технологии выполнения металлизированной разводки в интегральных датчиках. Цель изобретения - упрощение способа выполнения межсоединений элементов. На чертеже показана технологическая схема кристалла интегрального преобразователя давления с разводкой, выполненной предлагаемым способом. Кристалл 1 содержит упругий элемент 2 в виде квадратной мембраны, на которой расположены тензорезисторы 3-14. Металлическая разводка первого уровня выполнена таким образом, что площадки 15 для контроля тензорезисторов одинакового функционального назначения, служащие для присоединения элементов к определенному узлу моста Винстона, сгруппированы в ограниченных и определенных областях кристалла. После контроля и определения наилучшего варианта объединений элементов часть дорожек 16-19, соединяющих тензорезисторы с площадками для контроля, была разорвана, после чего на сгруппированные контактные площадки 15 была нанесена металлическая пленка 20 в виде контактных площадок. В результате получен кристалл преобразователя, содержащий замкнутую схему из тензорезисторов 5,6,10,12 (при разрыве других дорожек металлизации можно получить различные варианты соединения). Предлагаемый способ выполнения разводки можно реализовать следующим образом. Стандартным образом изготавливается пластина с металлизацией первого уровня, осуществляется зондирование и тестирование пластины. С помощью лазерного луча разрывается часть металлизированных дорожек на пластине. Осуществляется локальное напыление металлической пленки на пластину через групповой шаблон (например, маску, выполненную из кремниевой пластины с помощью анизотропного травления). Описанный способ выполнения межсоединений проще известного. Способ исключает создание комплекта фотошаблонов второго слоя металлизации для каждой пластины и каждого кристалла. (56) Ефимов И. Е. и др. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М. : Высшая школа, 1986, с. 327-328. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. М. : Сов. радио, 1980, с. 388-389.

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением металла с перекрытием всех контактных площадок для контроля элементов в каждом отдельном участке с помощью единого фотошаблона.

РИСУНКИ

Рисунок 1