Способ контроля электрических параметров микросхем

Способ контроля электрических параметров микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение касается контроля электрических параметров микросхем. Цель изобретения - повышение производительности и достоверности контроля . На одну сторону корпуса испытуемой микросхемы подают тепловой поток от источника с температурой порядка 150°С. Контролируют температуру противоположной поверхности корпуса и по достижении ею заданного значения , например 95 С, прекращают подачу теплового потока от источника. После этого подводят тепловой поток к выводам микросхемы и поддерживают их температуру постоянной, например 125°С, в течение времени контроля. В этих условиях измеряют электрические параметры микросхемы и контролируют их величину по сравнению с эталоном. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕтСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

0 01 R 31/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4199091/24-21 (22) 24.02.87 (46) 15,03.89, Бюл. 11» 10 (72) Л.Н.Петров и В,И.Пасечник (53) 621,317.799 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

11» 668112, кл. Н 05 К 13/08, 1977.

Авторское свидетельство СССР

l1» 1241540, кл. Н 05 К 13/08, 1984. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

IIAPANETP0B МИКРОСХЕМ (57) Изобретение касается контроля электрических параметров микросхем.

Цель изобретения — повышение производительности и достоверности конт"

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к производству микросхем.

Цель изобретения — повышение производительности и достоверности контроля электрических параметров микросхем при заданной температуре,преимущественно при повышенной.

На фиг,l представлена схема реализации предлагаемого способа; . на фиг.2 — график распределения температур по толщине корпуса.

На фиг.l приняты следующие обозначения: корпус 1 микросхемы; выводы 2 и 3; кристалл 4.

Выдержка при заданной те чпературе определяется технологией проверки. Теоретически закон распределения температуры по толщине корпуса

l микросхемы в рассмотренных услови„„SU„„1465835 A 1 роля, На одну сторону корпуса испытуемой микросхемы подают тепловой поток от источника с температурой поо рядка 150 Г. Контролируют температуру противоположной поверхности корпуса и по достижении ею заданного знао чения, например 95 Г, прекращают подачу теплового потока от источника.

После этого подводят тепловой поток к выводам микросхемы и поддерживают их температуру постоянной, например

125 С, в течение времени контроля. В этих условиях измеряют электрические параметры микросхемы и контролируют их величину по сравнению с эталоном.

2 ил, 2 ях при нестационарном режиме в общем виде выражается функцией от безразмерных комплексов чисел Фурье и на графике имеет вид кривой, изображенной на фиг.2, где t, — температура источника тепла Ц, подводимого к плоскости "а" микросхемы; t — температура плоскости "а"; 1 — тем" пература кристалла 4 и окружающей

era зоны корпуса; t 4 — температура плоскости пб » которую контролируют (фиг.l); t — температура окружающеи среды. Температура в зоне расположения кристалла в пределах

+0»5 мм от его номинального положения в корпусе изменяется по закону прямой Y = KX с углом наклона е (фиг.2), т.е. в зоне расположения кристалла процесс приближается к условиям стационарного режима и поэво,1465835 ляет прогнозировать аккумулированное в зоне кристалла тепло и температуру, достигаемую окружающими его слоями корпуса. Вмонтирован в зону расположения кристалла микросхемы датчик или использовав для этих целей р-и переход самой микросхемы (в качестве датчика), можно составить таблицу оптимальных температур для разных режимов контроля ИС при раз„ личных температурах, С достаточной для практического использования точностью (по результатам статистического анализа микросхем в корпусе

ДИП) было установлено, что при темо пературе нагревателя 150 C и задаваео мой температуре кристалла 125 С темо пература кбнтроля должна быть q5 С.

Нагрев кристалла микросхемы от ее выводов потоком тепла Я, (фиг.1) можно осуществлять любым известным способом: контактным от нагревателя, помещением выводов микросхемы в вы, сокочастотное электрическое поле и наведением в них вихревых токов (в этом случае выводы необходимо закоротить). Можно передавать тепло,воздействуя на выводы потоком лучистой энергии, когерентным излучением ла зера и т.д. Для передачи тепла Р, (фиг.1) корпусу можно использовать ! указанные способы, а также нагрев направленным потоком теплоносителя. !

Способ характеризуется высокой производительностью и достоверностью, так как при подводе тепла к одной стороне корпуса и контроле температуры его противоположной стороны достигается гарантия того, что тепловой поток проходит через всю толщу корпуса и достигает его противоположной стороны, аккумулировав в зоне размещения кристалла определенную часть тепловой энергии. Температуру нагрева в зоне кристалла в этом случае можно определить как градиент температуры по толщине корпуса. Кроме того, использование предлагаемого способа позволяет после прогрева

50 роля.

45 корпуса ИС довольно быстро нагреть кристалл микросхемы до заданной температуры, так как тепло к нему подводят через соединенные с ним металлические выводы микросхемы, являющиеся хорошим проводником. Корпус микросхемы является хорошим изолятором и предварительно нагревается, поэтому потери тепла от выводов и кристалла внутри корпуса незначительны и температура кристалла практически сразу достигает температуры нагревателя, Таким образом, появляется возможность контролировать температуру кристалла по температуре выводов микросхемы или нагревателя и при необходимости выдерживать его при этой температуре заданное время.

Формула изобретения

Способ контроля электрических параметров микросхем, заключающийся в том, что испытуемую микросхему подвергают нагреву путем подведения тепла к одной поверхности ее корпуса, выдерживают испытуемую микросхему под нагревом, подают на испытуемую микросхему напряжение литания и входное тестовое воздействие, измеряют электрические параметры микросхемы и контролируют их величину по сравнению с эталоном, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения производительности и достоверности контроля в процессе нагрева, контролируют температуру поверхности корпуса микросхемы, являющейся противоположной по отношению к нагреваемой поверхности, тепловой поток к поверхности корпуса микросхемы подводят до момента достижения контролируемой температурой заданного значения, после чего подводят тепловой поток к выводам микросхемы и поддерживают их температуру постоянной в течение временного интервала конт1465835

Составитель В. Степ анкин

Техред Л.Олийнык

Редактор С.Лисина

Корректор М.Шароши

Заказ 942/47 Тиран 711 Подпи сное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Укгород, ул. Гагарина, 101