Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов

Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике электроизмерений. Цель изобретения - повышение точности при измерении электрофизических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках. Устройство содержит цилиндрический резонатор 1 с торцевой стенкой 5, имеющей осевое отверстие 4 конусообразной формы, а также эл-ты 2 и 3 связи с источником СВЧ-колебаний и измерителем добротности, исследуемый полупроводниковый материал - структуру 6 с субмикронными легированными слоями толщиной ≤0,5 мкм и металлическую пластину 7. Данное устройство обеспечивает измерение электрофизических параметров: удельного и слоевого сопротивления двухслойной структуры с субмикронным легированным слоем методом малых возмущений. Кроме того, обеспечивается определение слоевого сопротивления N<SP POS="POST">*</SP>01+ и P<SP POS="POST">+</SP> - слоев трехслойной N<SP POS="POST">+</SP>-P-P<SP POS="POST">+</SP>-структуры с известными удельным сопротивлением и толщиной подложки (P-слоя), а также определение величины фотопроводимости в базовой области трехслойных структур при их освещении со стороны резонатора 1. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

(5l) 4 С О1 К 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СЦЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

- ф... р, Г - - РЕСРУБЛИН ф „ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

lI ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГННТ СССР (2)) 4296961/24-09 (22) 20.08.87 (46) 30.07.89. Бюл. Ф 28 (72) Ю.А.Аношин, В.М.Базин, С.С.Кабак и Л.Д.Сагинов (53) 621,317(088.8) (56) Войцеховский П В. и др. Резонаторный метод измерения электрофизических параметров полупроводниконых структур. Электромагнитные методы измерения и контроля. - Томск, 1985, с.165-169.

Труды Сев.-Кавказ.горнометаллург. ин-та, 1972, вын.33, с.269-273. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСКОНТАКТНОГО

ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИАТЕРИАЛОВ

„„SU„„14 7593 А1

2 (57) Изобретение относится к технике электроизмерений. Цель изобретения— повышение точности при измерении электрофизических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках. Устр-во содержит цилиндрический резонатор 1 с торцовой стенкой 5, имеющей осевое отверстие 4 конусообразной формы, а также эл-ты 2 и 3 связи с источником СВЧ колебаний и измерителем добротности, исследуемый полупроводниковый материал — структуру 6 с субмикронными легированными слоями толщиной †- 0,5 мкм и металлическую пластину 7. Данное

С> устр-во обеспечивает измерение элекСоставитель P.Êóçíåöoâà

Техред М.Дидык Корректор Н.Яцола

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 4441/48 Тираж 713 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Б 149759 электрофиэических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках, в одной из торцовых стенок цилиндрического резонатора вы5 полнено осевое отверстие для связи с исследуемым полупроводниковом материалом и введена металлическая пластина, которая установлена параллельно тор- 10 цовой стенке на расстоянии„ равном толщине исследуемого полупроводникового материала, от ее внешней поверх3 е ности, при этом размеры металлической пластины превьш ают размер осевого отверстия.

2. Устройство по п.1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что осевое отверстие выполнено конусообразным и имеет больший диаметр со стороны внутренней поверхности торцовой стенки, при этом половина разности большего и меньшего диаметров осевого отверстия больше толщины торцовой стенки,