Способ получения полупроводниковых материалов

Способ получения полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКО

Подписная epynna № 4а

Н. А. Вульеиков, К. А. Большаков, П. И, Федоров и М. С. Цирлин

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 3 ноября 1961 г. за № 751103/23-4 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в <Бюллетене изобретений» ¹ 19 за 1962 r

Известен способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, Однако при этом происходит взаимодействие элементов с материалом ампулы, что снижает чистоту конечного продукта.

Предлагаемый способ отличается тем, что шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположе ных таким образом, чтобы дно одного тигля служило крышкой друго -о.

Это позволяет получать более чистый продукт и проводить синтез несксльких полупроводниковых материалов в одной ампуле.

При осуществлении способа готовят шихту, содержащую взаимодействующие с 1 варцем элементы, Шихту размещают в цилиндрические тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть — внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящего из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 — — 10 — и,и рi. ст. Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практическв он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.

При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы

Ng — Si — Sb u Ng — Sn — Sb с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней поверхности ампулы заметного взаимодействия кварца с парами магния нс обнаруживается.

Способ может быть применен для синтеза таких соединений, как фосфид индия и арсенид галлия.

I № 150495

Предмет и обретения

Способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу. вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, отличающийся тем, что, с целью получения более чистого продукта и получения нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле, шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположенных таким образом, чтобы дио одного тигля служило крышкой другого.

Редактор А. К Лейкина Техред Т, П. Курилко Корректор В. Н Никитина

Подп. к печ. 24.Vill-62 г. Формат бум. 70Х IOSi/1а Объем 0 IS изд л.

За к 8608 Тираж 500 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытии при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.