Полупроводниковый германиевый прибор

Полупроводниковый германиевый прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 152031

Класс H Oll; 21g, 11 в

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная груи22а М 97

Э. Д. Прохоров и Н. А. Шеховцев

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГЕРМАНИЕВЫЙ ПРИБОР

Заявлено )4 гноня 1961 г. 3а Л% 734743226-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б оллетене изобретений и товарных знаков» Ке 19 за 1963 г.

Полупроводниковые германиевые приборы для изменения дли-ельности импульсов тока в результате накопления в объеме полупроводника неосновных носителей тока известны.

Предлагаемый полупроводниковый германиевый прибор позволяет получить удлинение импульсов тока в результате накопления неосновных носителеи тока в его базовой области.

Этот приоор отли ается от известных тем, что вблизи области р эмиттера создана п область, которая служит первой базовой областью, вторая базовая область, предусмотренная в приборе, выполнена в виде и-и+ или n — р,переходов и, кооме того, предусмотрен дополнительный р-и переход-экстрактор, на который подано регулируемое запирающее напряжение.

Такое выполнение прибора позволяет получить возможность безынерционной регулировки длительности выходного импульса незагисимо от амплитуды входного при постоянной выходной амплитуде, а также плоскую вершину выходного импульса.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого полупроводникового гсрманиевого прибора; на фиг. 2 — схема его включения; на фиг. 3— зависимость длительности выходного импульса от амплитуды входного (при R„=2,8 ком, U=-30 в, т,„=0,1 мксек); на фиг. 4 — зависимость длительности выходного импульса от длительности входного (при

RJ2 — — 2,8 кол2, U=-30 в, Бах — — 0,5 в) .

Работа предлагаемого полугпроводникового германиевого прибора основана на изменении проводимости германия инжектированным зарядом пеосновных носителей. Если через р-и переход 1 (фиг. 1 и 2) инжектировать нессновные носители в пластинку 2 германия, то поле, 3 1В 2!

1 !

7 5

) 1!

Г

1 и

1 — 1 б2 Р4 Рб йд

ФАЗ - аа! <;:авто,> !(. Л. Токарсвг. TI .xj)I Г. Г1. kp,1:"I.а1:о 1x !! I i,"I l!I) "1. Л. Е!и i! !о:... „., .. 177. (— оЗ г.

3-.;1:.", )7Э,11

1!1,. . !!11И Госу;га1:ствоиио1о иniI;.гвт; ио ис,:яа1 ивой!. теии.:: от1;111:т1 и С((.!

Москва, Центр, пр. Серова., т. 4. тидогРа,,. .IIII, II!. ::Iló!1:::::), 2.