H01L29/06 - отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Полупроводниковый диод

№ 150938 Класс 21g, 11„ «« CL(.0 „;д,„ СССР! ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа № 97 Ю. H. Тихонов и Ю. В. Сахаров ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Заявлено 3 февраля 1961 г. за № 695963/26 в Комитет ло делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 20 за 1962 г. Известные полупроводниковые диоды, выполненны...

150938

Полупроводниковый германиевый прибор

№ 152031 Класс H Oll; 21g, 11 в СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная груи22а М 97 Э. Д. Прохоров и Н. А. Шеховцев ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГЕРМАНИЕВЫЙ ПРИБОР Заявлено )4 гноня 1961 г. 3а Л% 734743226-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Б оллетене изобретений и товарных знаков» Ке 19 за 1963 г. Полуп...

152031

Патент ссср 161075

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЫИААИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Оп ИЗОБ Заявлен ГОСУАЛРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ IIO АЕЛАМ и ЗОБ Рете ни Й и откРыти и IÕÑÐ Онубликова Подписная группа ЛФ 82 Г. М. Авакьянц, В. И. Мурыгин, А. Б. Павлинов, и А. В, Юровский В. А, Сабликов ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНДУКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Предмет изобретения H3I3ecTlIbl 1ндуктивные элементы i!3 основе р-и-перекодов с тонкой базой, содержа...

161075

Полупроводниковый переключательный элемент свч

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респубпик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21@, 11щ Заявлено 04 !!.1964 (№ 879906/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 06Х!!!.1965. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 9.Х.1965 МПК Н 011 УДК. 621.382 233: 621.372.837 (088.8) Государственный комитет по делам из...

173849

Полупроводниковый прибор

2I3I94 4 4 ЧМ Г.,@@ ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Содиалистических Респтблик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21g, 11/02 Заявлено 24.Х11.1958 (№ 614695/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 12.ill.1968. Бюллетень ¹ 10 Дата опубликования описания 7.V.1968.ЧПК Н 01l УДК 621.382.2(088.8) Комитет по делам изооретеиий...

213194

Силовой диффузионный лавинный вентиль

2I3I95 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Goes Советских -Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 08.Ч!!.1966(№ 1088461/26-25) с присоединением заявки № Кл. 21g, 11/02 МПК Н 01l УД К 621.382,002.621.314. .632 (088.8) Приоритет Опубликовано 12Л11.1968. Бюллетень № 10 Дата опубликования описания 7Х.1968 Комитет по делам ивобретеии...

213195

Патент ссср 245922

: араб ю и м 1 з и т .. т и I> (&p „A. опйсА ни е изоьеитения Союз Соввтскиа Социалистическиа Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 22ЛЧ.1968 (№ 1234521/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 11.VI.1969. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 11.XII.1969 Кл. 2lg, 11/02 МПК Н 01l УДК 621.382,2(088.8) Комитет по...

245922

Транзистор для схем с автоматической регулировкой усиления

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 256084 Союз Советских Сациалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № К ч 21 о 11/02 Заявлено 10Х1.1967 (№ 1167032/26-25) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 04.XI.1969. Бюллетень № 34 Дата опубликования описания 19.111.1970 МПК Н 011 УДК 621.382.2(088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий при...

256084

Полупроводниковый генератор

У ОПИЬА-НИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ 28I65I Союз Соеетскиз Социалистические Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства №вЂ” Заявлено ОЗ.Xl 1.1968 (№ 1287931/26-25) с присоединением заявки ¹â€” ПриоритетвЂ” Опубликовано 16.1.1973. Бюллетень ¹ 7 Даты опубликования описания " 1..III.1973 М. Кл, Н 0115/00 К он и тйт fl0 делам изо6ретений и открытий лри Сосете М...

281651

Германиевый р—п—р планарно-эпитаксиальныйтранзистор

Оп исАЙЙе И ЗОБ РЕ ТЕ Н ИЯ Союз Сааетсииз Саииалист ическ и з Респталин К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” Заявлено 01.VI1.1969 (.% 1340101!26-25) с присоединением заявки №вЂ” ПриоритетвЂ” Опубликовано 08.1.1973. Бюллетень ¹ 6 Дата опубликования описания 19 1Ч.1973. 1, Кл. H. 01! 3/12 Комитет па делам ивааретеиий и открытий ари Совете Мииистр...

333877

Полупроводниковый индуктивный элемент

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 339248 Союз Советскик Сациалистическик Республик Зависимое от авт, свидетельства №вЂ” Заявлено ОЗ.VI II.1970 (¹ 1467921/26-25) с присоединением заявки №вЂ” Приоритет Опубликовано 08.1!.1973. Бюллетень № 10 Дата опубликования описания 16.IV.1973 М. Кл. Н ОИ 17/02 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС...

339248

Патент ссср 410492

4I0492 0 П И С- А ЙИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № М. Кл. Н Oll 5/00 Н 03d 1/18 Н 01р 1/20 Заявлено 31.1 II.1972 (№ 1766441/26-9) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1 Дата опубликования описания 12Х.1974 государственный комитет Совета Министров ССС...

410492

Диод

Союз Советских Социалистических Республик О П И С А Н И Е ш1 55 ва5 ИЗОБРЕТЕН ИЯ И АВТОРСКОМУ СВИДВТИтЬСТВУ (Я) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.12.73(21) 1979265/25 с присоединением заявки Ж (23) Приоритет (Я) M. Кл. Н 01 f. 29/06 Гасударатвеввыв ввмвтвт Саавтв Маветрав СССР аа делам взвбрвтвввв в атхрмтвй (43) Опубликовано 25.10.77Áþëëåòåíü № 39 (53) уд)J, 621...

552865

Полупроводниковый переключающий элемент

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий последовательно расположенные на подложке слой базового электрода, изоляции аморфного полупроводникового материала и сводового электрода, отличающийся тем, что слой изоляции выполнен из поликристаллического кремния с проводящим каналом, расположенным между базовым электродом и аморфным полупроводниковым материалом , при этом меж...

1140190

Полупроводниковый прибор

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к конструированию полупроводниковых приборов. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей и повышение степени интеграции. Изобретение позволяет сократить число схемных элементов в полупроводниковых преобразователях путем объединения функций дискретных полупроводниковых приборов в одном приборе, содержаще...

1414238

Полупроводниковая структура и способ управления проводимостью полупроводниковой структуры

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках различных физических величин и других полупроводниковых приборах с частотно-импульсным выходным сигналом. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей структуры. Изобретение позволяет за счет периодического изменения проводимости структуры , управления частотой эт...

1739402

Полупроводниковый ограничительный диод

Изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ и КВЧ диапазонов, предназначенным для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств. Сущность изобретения: диод имеет структуру, содержащую слабопегированную базу, сильнолегированные области р+ип+ проводимости, а также два слоя с типом проводимости базы, расположенных между базой и сильнолегированным сло...

2003208

Полевой транзистор шоттки

Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на -легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсен...

2025831

Структура на арсениде галлия

Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и -легированного...

2025832

Способ формирования кремниевых эпитаксиальных структур

Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают пер...

2059326

Полупроводниковая кремниевая структура

Используется в производстве микроэлектронных приборов, повышает технологичность, надежность, быстродействие при предельном снижении габаритов и массы. Сущность: структура состоит из тонкого кристалла кремния, объем которого совпадает с объемом приборной области, контактных площадок и балочных выводов, которые могут быть изготовлены из неблагородных металлов - Cu, Ni, и др. 3 ил. Изобретен...

2110117

Конструкция силового полупроводникового прибора

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. Конструкция силового полупроводникового прибора содержит металлический корпус, являющийся одним из электродов прибора, вывод, являющийся вторым электродом прибора, полупроводниковый выпрямительный элемент, изолятор, предназначенный для электрической изоляции вывода от корпуса, центрирующее кольцо, тарельчатые пружины. При этом мет...

2201016

Запоминающее устройство, множество запоминающих устройств и способ изготовления запоминающего устройства

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления. Предложены запоминающее устройство и способ его изготовления, при этом устройство содержит узел памяти, в который записывается заряд через конфигурацию туннельного перехода, имеющую профиль энергетической зоны, который содержит относительно широкий по размеру барьерный компонент с относи...

2216821

Полупроводниковое устройство и способ формирования полупроводникового устройства

Сущность: мощное полупроводниковое устройство (10) содержит активную область, которая включает область дрейфа (20). По меньшей мере, часть области (20) дрейфа расположена в мембране (16), которая содержит расположенные друг напротив друга верхнюю и нижнюю поверхности (15, 17). В одном варианте воплощения верхняя поверхность (15) мембраны (16) имеет электрические выводы, подключенные к ней непосред...

2276429

Транзистор и способ его изготовления

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. Сущность изобретения: в транзисторе, содержащем первое множество, включающее N1>1000000 областей с одноименной проводимостью, второе множество, включающее N2>1000000 областей с той же проводимостью, а также третье множество, включающее N3>1000000 обла...

2364008

H01L29/06 - отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Патенты в этой категории