Патент ссср 410492

Патент ссср 410492

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

4I0492

0 П И С- А ЙИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. Н Oll 5/00

Н 03d 1/18

Н 01р 1/20

Заявлено 31.1 II.1972 (№ 1766441/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 12Х.1974 государственный комитет

Совета Министров СССР пе делам изобретений и открытий

УДК 621.317.382(088.8) Авторы изобретения

С. И. Гечяускас, И. А. Мозалис, Ю. К. Пожела и К. К. Репшас

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ИМПУЛЬСНОЙ

МОЩНОСТИ СВЧ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве датчика напряженности СВЧ электрического поля или мощности в передающих линиях.

Известен полупроводниковый детектор импульсной мощности СВЧ, сод|ержащий полупроводниковый кристалл, закрепленный в волноводе с помощью держателя.

Недостатком известного устройства является низкая чувствительность.

Целью изобретения является повышение чувствительности устройства.

Для этого в полупроводниковом детекторе импульсной мощности СВЧ кристалл выполнен в виде прямоугольного параллелепипеда, размеры которого много меньше длины волны в волноводе, а на стороне, примыкающей к держателю, расположены два снабженных металлическими контактами переход типа p — n и п — n+.

На чертеже изображен полупроводниковый кристалл, размещенный на держателе.

Полупроводниковый кристалл 1 содержит области 2 с повышенной концентрацией дырок (р = 1017 см — ) и 3 с повышенной концентрацией электронов (n+=10» см — ) с металлическими контактами 4 и 5. Размеры кристалла много меньше длины волны в волноводе.

Полупроводниковый кристалл прикреплен к корпусу держателя 6.

Контакт 5 имеет гальваническую связь с корпусом держателя, а контакт 4 при помощи изолированного проводника 7 соединен с крышкой 8, которая изолирована от корпуса

5 держателя прокладкой 9.

Держатель с кристаллом закрепляется в волноводе, в центре одной из его широких стенок.

При воздействии электрического поля на

10 кристалл на р — и и и — а+ переходах возникают термоэлектродвижущие силы горячих носителей, имеющие противоположную полярность по отношению к кристаллу. Поэтому на контактах получается суммарная э.д.с., при15 водящая к повышению чувствительности устройства.

20 Полупроводниковый детектор импульсной мощности СВЧ, содержащий полупроводниковый кристалл, закрепленный в волноводе с помощью держателя, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности

25 устройства, кристалл выполнен в виде прямоугольного параллелепипеда, размеры которого много меньше длины волны в волноводе, а на стороне, примыкающей к держателю, расположены два снабженных металлическими

30 контактами перехода типа р — п и п — и+.

410492

Редактор С. Бычихина

Заказ 1067(7 Изд.,"й 333 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель Л. Слащинина

Техред T. Ускова Корректор В. Брыксина