Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов

Реферат

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20 мкм на глубину, которую устанавливают исходя из условия 0,1d < h < d - h_p-n - a, где h - глубина надрезания; d - толщина структуры; h_p-n - глубина залегания p-n перехода со стороны р-слоя; а - глубина нарушенного слоя полупроводникового материала, определяемая режимами надрезания.