Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния

Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а точнее к технологии изготовления тонкопленочных микросхем. Цель изобретения - повышение временной стабильности резисторов - достигается тем, что на диэлектрическую подложку последовательно наносят слои резистивного и проводниковых материалов, формируют рисунок резистивных и проводниковых элементов, формируют защитный слой путем нанесения металлического слоя и его оксидирования. В качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия, молибдена. Оксидирование металлического слоя осуществляют при температуре 350-450^oC в течение 3-12 ч. Указанные режимы обеспечивают одновременную стабилизацию резистивного слоя. Компоненты металлического слоя используют в следующем количественном отношении, мас. %: цирконий 25-30; ниобий 13-16; молибден 6-12; титан - остальное. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния обеспечивает повышение стабильности номиналов резисторов до уровня 0,002-0,02% и повышение технологичности их изготовления за счет использования более простых по сравнению с прототипом технологических операций и оборудования. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а точнее к технологии изготовления тонкоплечночных микросхем. Цель изобретения повышение временной стабильности резисторов. Пример осуществления способа. Пленки кермета К-20С с удельным поверхностным сопротивлением 500 Ом/кв с проводниковой группой ванадий-алюминий напыляли на ситалловые СТ-50-1 подложки в вакууме при температуре 350^oC на установке УВН-71-ПЗ. Формирование топологического рисунка резистивных элементов осуществляли путем мокрого травления проводниковой группы алюминий-ванадий и затем ионного травления резистивного слоя на установке УРМ3. 279.029 ТУ. На сформированные резистивные элементы напыляли резистивный сплав (на основе титана) ТЦ БМ-ВД по 14-1-4122-86 ТУ на установке УВН-75-П1. После этого резистивные элементы с нанесенным покрытием помещали в термошкаф типа СНОЛ и в воздушной среде проводили термообработку резистивного слоя при температуре 350^oC в течение 6 ч. Аналогичным образом способ может быть реализован для изготовления тонкопленочных резисторов с использованием резистивных материалов на основе хрома и кремния типа РС-3710, К-30С, КП-1, РС-5402 и других в диапазоне удельных поверхностных сопротивлений =(50-1000) Ом/кв. Зависимость стабильности тонкопленочных резисторов от режимов термообработки приведена в таблице. После термообработки производили измерение относительного изменения сопротивления резистора во времени при воздействии окружающей температуры 85^oC и электрической мощности Р= 2 Вт/см² в течение 2000 ч. Для сравнения проводили определение относительного изменения величины сопротивления резисторов из сплава К-20С тех же номиналов и в тех же условиях за 1000 ч, незащищенных, защищенных покрытием Ta₂O₅ и SiO₂. Изменение величины сопротивлений составило соответственно 0,03-0,05% 0,05-0,015% 0,03-0,06% Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния обеспечивает повышение стабильности номиналов резисторов до уровня 0,002-0,02% и повышение технологичности их изготовления за счет использования более простых по сравнению с прототипом технологических операций и оборудования.

Формула изобретения

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350 450^oС в течение 3 12 ч. 3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что компоненты металлического слоя используют в следующем соотношении, мас. Цирконий 23 30 Ниобий 13 16 Молибден 6 12 Титан Остальное

РИСУНКИ

Рисунок 1