Патент ссср 154613
Иллюстрации
Реферат
№ 154613
Класс Н 011; 21g, 11а2
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа № 97
Г. В. Спивак, Н. Н. Седов и P. Д. Иванов
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА
В р-и ПЕРЕХОДЕ
Заявлено 8 мая 1962 г. за № 777219/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 10 за 1963 r.
Известен способ исследования распределения потенциала в р-и— переходе, основанный на наблюдении перехода при помощи электронного микроскопа и измерении при этом величины искажения изображения перехода. Этот способ обеспечивает измерение потенциала порядка 0,3 b с разрешающей способностью в 0,1 микрона.
По предложенному согласно изобретению способу исследования распределения потенциала в р-и — переходе определяют искажение зеркального электронно-оптического изображения вторичной электронной эмиссией и по характеру искажений устанавливают ширину и распреде.ление потенциала в р-n — переходе, Это позволяет повысить точность измерения распределения потенциала в р-n — переходе.
При осуществлении исследования распределения потенциала в р-n — переходе по предложенному способу поверхность полупроводника тщательно шлифуется и полируется общепринятыми методами. Объекты промываются спиртом и дистиллированной водой. В некоторых случаях для увеличения геометрических размеров р-и — перехода, выходящего на поверхность образца, делается косой срез. Объект помещается в держатель образца, что позволяет подавать разность потенциалов вдоль его поверхности, а также между последней и катодом освещающей пушки.
При проведении измерений к р-и — переходу с помощью батареи прикладывается фиксированная разность потенциалов в запирающем направлении. В целом потенциал образца относительно катода электронной пушки может меняться с помощью отдельной батареи с делителем. Путем изменения потенциала на делителе можно добиться, чтобы потенциал катода пушки соответствовал эквипотенциальной поверх№ 154613 ности, которая названа нулевой. Поскольку отражение электронов при малых значениях начальных скоростей и при Е где U> — напряжение на р-п — переходе;
d — ширина р-и — перехода; а Š— напряженность ускоряющего электроны поля на катоде, происходит от нулевой эквипотенциали, то слева от точки, где эта эквипотенциальная поверхность входит в образец, наблюдается характерное зеркальное изображение, а справа, где первичные электроды достигают поверхности образца, — «пятно» вторичной эмиссии.
Меняя общий потенциал образца на некоторую величину, измеряемую вольтметром, тем самым меняют нулевую эквипотенциальную поверхность, которая разделяет область зеркального изображения и вторичной эмиссии. При этом «пятно» вторичной эмиссии сдвигается по поверхности образца. Величина этого сдвига может измеряться по фотографиям или с помощью сетки линий, нанесенных на поверхность флуоресцирующего экрана.
Таким образом определяются точки (точнее, линии) на поверхности образца, имеющие определенный потенциал.
Пройдя весь диапазон потенциалов на образце и откладывая соответствующие точки на графике, получают кривую распределения потенциала в р-п — переходе.
Предмет изобретения
Составитель M. Мрочко
Текред T. П. Курилко
Корректор T. Хромнева
Редактор В. й1. Парнес
Поди. к печ. 15/VII — 68 г. Формат бум. 70 Q 108 /t6 Объем 0,18 изд. л.
Зак. 1873/6 Тираж 1225 Цена 4 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.
Типография, пр. Сапунова, 2.
Способ исследования распределения потенциала в р-и — переходе, основанный на наблюдении перехода при помощи электронного микроскопа, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения распределения потенциала, определяют искажение зеркального электронно-оптического изображения вторичной электронной эмиссией и по характеру искажений устанавливают ширину и распределение потенциала в р-п — переходе.