Способ измерения толщины тонких диэлектрических пленок

Способ измерения толщины тонких диэлектрических пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться в электронной промышленности при неразрушающем контроле толщины тонких пленок. Целью изобретения является повышение точности измерения за счет определения толщины пленки по ширине щели в энергетическом спектре поверхностных поляритонов подложки, на которую нанесена пленка. Сущность способа заключается в том, что измеряемую пленку, нанесенную на подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучения, которое направляют на призму под различными углами, в условиях нарушенного полного внутреннего отражения регистрируют спектр поглощения поверхностных поляритонов подложки и определяют толщину пленки по формуле D=2Δ<SP POS="POST">2</SP>λ<SP POS="POST">3</SP>, где D - толщина пленки

Δ - ширина щели в энергетическом спектре поляритонов

λ - длина волны электромагнитного излучения.

СО1ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51) 5 С 01 В 11/06

ВСЕСОЮЗНАЯ

ПАТЕИТНО - ЩЩЧЕВК

ЬИБЛИОТЕКА

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬй ИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4389637/25-28 (22) 28.12.87 (46) 07.06.90. Бюл. Р 21 (71) Центральное проектно- конструк- торское и технологическое бюро научного приборостроения АН УЗССР (72) Г.Н.Жижиц, И.И.Хаммадов и В.А.Яковлев (53) 531.717 (088.8) (56) Бабаджанов Л.С., Джорбенадзе Н.H. Николаишвили Ю.Н. Расчетно- .

Ь экспериментальный метод учета неплоскостности подложки по аттестации мер толщины покрытий. — Измерительная техника, 1977, Е - 2, с. 24.

Свешникова Г,В., Кольцов С.И.

Эллипсометрия — метод исследования поверхности твердых веществ: Уч.по-. собие. — Л., 1975, с. 20-25. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЦИНЫ ТОНКИХ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК (57) Изобретение относится к.измерительной технике и может использоватьИзобретение относится к измери- тельной технике и может использоваться в электронной промышленности при неразрушающем контроле толщины тонких пленок.

Целью изобретения является повышение точности измерения за счет определения толщины пленки по ширине щели в энергетическом спектре поверхностных поляритонов подложки, на которую нанесена пленка.

В основе способа лежит резонансное взаимодействие элементарных воз„.Я0„„1569530 А 1

2 ся в электронной промышленности при неразрушающем контроле. толщины тонких пленок. Целью изобретения является повышение точности измерения за счет определения толщины пленки по ширине щели в энергетическом спектре поверхностных поляритопов подложки, на которую нанесена пленка. Сущность способа заключается в том, что измеряемую пленку, нанесенную на подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучения, которое направляют на призму под различными углами, в условиях нарушенного полного внутрепнего отражения регистрируют спектр поглощения поверхностных поляритонов подложки и определяют гэлшину пленки по формуле d = 24 Яз,гце

d — толщина пленки; 4- ширина щели в энергетическом спектре поляритонов;

Л вЂ” длина волны электромагнитного излучения ° буждений пленки и поверхностных поляритонов подложки.

Сущность способа заключается в следующем.

Измеряемую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучения, которое направляют на призму под различными углами, регистрируют спектр поглощения поверхностных поляритонов подложки в условиях нарушенного полного внутренне1569530 го отражения, толщину пленки опреде ляют по ширине щели в энергетическом спектре в соответствии с формулой

1 2дтяз

Формула изобретения

Составитель В.Мамонтов

Техред М.Ходанич Корректор В.Кабаций ф

Редактор И.Горная

Заказ 1435 Тираж 494 Подписное

ВНИИПИ-Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, Ул. Гагарина,101 в где Й вЂ” толщина измеряемой пленки; ,6 - ширина щели энергетического спектра; 1Î

- длина волны электромагнитного

/ излучения.

Способ измерения толщины тонких диэлектрических пленок на диэлектрических подложках, заключающийся в том, что линейно поляризованное электромагнитное излучение направляют под различными углами на подложку с измеряемой пленкой, регистрируют отраженное излучение и определяют толщину пленки, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью повышения точности измерения, подложку с измеряемой пленкой прижимают к призме с зазором, близким к длине волны электромагнитного излучения, регистрируют спектр поглощения поверхностных по-. ляритонов подложки в условиях нарушенного полного внутреннего отражения и толщину пленки определяют по величине щели в энергетическом спектре поверхностных поляритонов подложки при резонансе с уровнем энергии тонкой пленки.