Патент ссср 157440

Патент ссср 157440

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

.;й 157440 .Клясс Н 01l; 21р, 11а

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ - - 1М:: !ля!1

Под22иснал группа Л 97 " СЫФ

А. Г. Клименко

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛОСКОСТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

За;влево 15 ноября 1962 г. за ¹ 802739)26-9 в Комитет по делам изобресен и и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Е!оплетсне изобретений и товарных знаков» ¹ lb за 1 "63 г. 1звестен способ изготовления пслупроводниковых приборов с oilределенным Видом еоlbтамперных характеристик пмтем дифф Зии ilpil tecH никеля в германий. В указанном способе никель вводится в герМЯНИИ В РЕЗтЛЪТЯТЕ СПЛЯВЛЕНИЯ ГЕРМЯНИЯ С i!ЕТЯЛЛО\1 КОНТЯКТЯ, ЛЕI ilPO

Ванным никелем, с последующей диффузией никеля.

Предлагаемый способ изготовления плоскостных полупроводниковых приборов отличается от известного тем, что процесс диффузии прп:1еси никеля проводят имп льсно путем Воздействия на образец, пре.lВарительно покрытый слоем никеля. тепловым импульсом определенной формы. Указан:0P отличие позвсляет по11 чить обратные характеристики приборог, видя Ь=- I", где Hi=1 — 5.

Сущность пред1агаемого способа заключае1ся в следующем. Образцы полупроводникового материала с одной стороны покрывают пленкой никеля толщиной 2,!!к. Покрытие образцов производится лишь со стороны, на которой в 37b»PI шем будет образовываться р — п-переход. Образец маскир1 ется ря ами круглых масок, дия31pTp которых равен диаметру р — п-перехода, лишний никель удаляется травление. .

Для удаления ibtBcoK 06p33pil II(OitbtPBPTcsi I3 TG 7i оле и Iioc 1L суп!к!! разрезается на заготовки rBH, чтобы никелевый «пятачок» был посредине каждого кристалла.

Подготовленные та!<им ооразом образцы подвергаются импу11 et!Oil термообработке в атмосфере очищенного водорсда. Выбор параметров теплового импульса. воздействующего HB образцы, определяется вел!,— чиной заранее заданного козффициепта п. Пос Iе 3Т010 путем ТрВВ.7рнп!! удаляют никелевую пленку и приповерхностный слой кристалла.

: Ъ 157440 и затем обычным путем производится вплавление индия, чем созда!от !

> — n-переход на обрабо1анном никелем участке поверхности кристалла.

Таким образом, предлагаемый способ основан на неравномерной, регулируемой выкристаллизации никеля в германии, что приводит к созданию в райне р — и-перехода особого объемного распределения д.=.— фектов кристаллической структуры. В результате этого возможно получить плоскостные р — n переходы с обратными характеристиками вида D=AI", где и:=1 — 5 и выбирается, исходя из типа полупроводникового прибора.

Предмет изобретен ия

Составитель Л. 3. Рубинчик

Техред А. А. Камышникова Корректор Т. В. Муллина

Рсдактор Кутафина

1!одп. к печ. 27fIX — 63 г. Формат бум. 70 >с, 108с/ в Обьем 0,18 изд. л.

Заказ 2377!7 Тирани 1250 Цена 4 коп.

ЦНИИI.И Государстве нсго ко>:итета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.

Способ изготовления плоскостных полупроводниковых приборов, например на германии, путем диффузии примеси никеля, нанесенного предварительно на одну из поверхностей образца, отличающийся чем, что, с целью получения обратных характеристик приборов вида

О=И", где n=l — 5, процесс диффузии примеси проводят импульсно,. воздействуя на образец тепловым импульсом.