Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n- переходы полупроводниковых приборов

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n- переходы полупроводниковых приборов

Реферат

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 10³ - 10⁵ см^-2 по осколкам деления.