Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов

Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способу обработки щелочно-галоидных кристаллов и позволяет упростить технологию процесса. Кристаллы KCL, KBR, выколотые по плоскостям {100}, закрепляют в тефлоновом держателе и помещают в жидкость (керосин) на расстоянии 0,1-2,0 мм от торца волновода. Обрабатывают ультразвуком в режиме кавитации с амплитудой колебаний 5-20 мкм в течение 5-60 мин при комнатной температуре. Затем проводят деформацию сжатием по направлению *98100δо величины относительной деформации 60-80%. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 33/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4602476/31-26; 4489677/31-26 (22) 05.10.88 (46) 07,09.90. Бюл, N 33 (71) Институт физики твердого тела

АН СССР (72) С.Н. Балякин, Е.Б. Борисенко, В,Н, Ерофеев и Э.В. Кистерев (53) 621.315,592 (088.8) (56) Bowen Н.К. ets. Fabrication and

Properties of Polycrystalline Alkali Halides.—

Mat. Res, Bull., 1973, v. 8, р. 1389-1399. (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к созданию материалов инфракрасной оптики и может быть использовано при изготовлении оптических элементов повышенной прочности для COz-лазеров высокой энергии и других оптических приборов ИК-области спектра.

Для современных мощных СО2-лазеров оптические элементы изготавливают из щелочно-галоидных кристаллов с повышенными механическими свойствами, которые достигаются различными способами.

Целью изобретения является упрощение технологии процесса, П р и м е.р . Кристалл КО, выколотый по плоскостям (100 j и имеющий размеры

10х10х25 мм, закрепляют в тефлоновом зажиме и опускают на дно ванны с керосином.

Волновод, подключенный к выходу акустической системы, состоящей из задающего генератора, предусилителя, выходного усилителя и магнитострикционного преобразователя, опускают в керосин на расстояние .

I = 2 мм. Величину амплитуды, составляю„,. Ы„„1590485 А1 (57) Изобретение относится к способу обработки щелочно-галоидных кристаллов и пбзволяет упростить технологию процесса.

Кристаллы KCI, KBr, выколотые по плоскостям (100)закрепляют в тефлоновом держателе и помещают в жидкость (керосин) на расстоянии 0.1 — 2;0 мм от торца волновода, Обрабатывают ультразвуком в режиме кавитации с амплитудой колебаний 5 — 20 мкм в течение 5 — 60 мин при комнатной температуре. Затем проводят деформацию сжатием по направленИю < 100 > до величины относительной деформации 60 — 80;/. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют электродинамическим датчиком. Время обработки 30 мин.

Температуру поддерживают на уровне комнатной.

Обработанный образец вынимают из зажима и деформируют сжатием по направлению < 100 > до значения относительной деформации 80%.

В таблице представлены характеристики предлагаемого способа.

Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов KBr и KCl, включающего одноосную деформацию сжатием по направлению < 100> до значений относительной деформации 60 — 80%, позволяет упростить технологию за счет исключения операции нагрева; поскольку отпадает необходимость подбора специальных материалов прокладок, обеспечивающих малое трение между заготовкой и пуансонами и исключающих химическое взаимодействие с материалом заготовки при повышенных температурах деформации.

1590485 процесса, предварительно кристалл закрепляют в пластичном держателе, помещают в ванну с органической жидкостью, не взаимодействующей с ним, и обрабатывают уль5 тразвуковой волной с амплитудой 5 — 20 мкм, направленной перпендикулярно поверхности кристалла, s режиме кавитации в течение 5-60 мин при комнатной температуре.

Формула изобретения

Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов для оптических элементов инфракрасной области спектра, включающий одноосную деформацию сжатием по направлению < 100>, отл и ч а ю щи йс я тем. что, с целью упрощения технологии

Амплитуда ультразвуковых колебаний, мкм

Плотность рабочей жидкости, г/см

=25 С

Материал держателя

Время обработки, мин

Расстояние от торца волновода до образца,мм

Пример

Тефлон

II !

Продолжение таблицы

2

4

6

8

11

12

13

14

16

17

18

19

3

5

5

5

5

5

2

2

2

2

2

2

2

2,5

2

0,08

0,1

0,8

08

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

0,6

0,8

0,8

0,8

0,8

Продолжение таблицы

Составитель Н.Пономарева

Редактор И.Дербак Техред M. Моргентал Корректор Н.Король

Заказ 2613 Тираж 343 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113О35, Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина, 101