Патент ссср 160829
Иллюстрации
Реферат
Cow Coaem x
C0U,ИАЛИС 1 ИЧЕС| ИХ
РеспуБлиК
Класс
40d, 1а, 0IINCAHNE
ИЗОБРЕТЕНИ.Н
K АВТОРСКОМУ СВИЬ,ЕТЕЛЬСТВУ
Ко 160829
МПК
С 22f
Заявлено 06.Ч11.1962 (№ 785811/22-2) ГОСУДАРСТВЕННЫИ
КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ
ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
СССР
УДК
Опубликовано 26.11.1964, Бюллетень № 5
) + lL C !
Подписная группа № 1б
c:;;д,"„ ". ;". ><
A. В. Сандулова, П. С. Богоявленский и М. И. Дронюк
СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ НИТЕВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ
ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ температуре 850 — 900 С для кремния и 600 С для германия.
В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном конце ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристаллического осадка, состоящего из многих мелких монокристаллов, а затем на этом слое, как на подложке, вырастают как отдельные монокристаллы, так и сростки и кисти нитевидных монокристаллов. Вследствие концентрации примесей в поликристаллическом слое выращенные нитевидные монокристаллы более чисты, чем исходное вещество. Они имеют чистую, ровную поверхность и значительную механическую прочность.
B настоящее время при выращивании нитевидных монокристаллов металлов и полупроводников из паровой фазы путем термического разложения их галоидов в качестве компонента-растворителя используют в основном йод.
Согласно предлагаемому способу, котсрый отличается тем, что выращивание монокристаллов германия производят при температуре исходного вещества 850 — 900 С и температуре зоны кристаллизации 600 С, а выращивание монокристаллов кремния — при температуре исходного вещества 1150 С и температуре зо ны кристаллизации 850 — 900С, — в качестве компонента-растворителя используют бром, давление паров которого при температуре процесса составляет 3 — 4 атл.
B результате в качестве основного продукта получают нитевидные монокристаллы германия и кремния диаметром 1 — 20 лк с высокой степенью совершенства структуры.
Осуществление способа. Навески исходного германия или кремния и брома помещают в ббльшую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем ампулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 10 ил1 рт. ст. и отпаивают. Запаянную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы с навесками выдерживается при температуре
1150"С для кремния и 850 — 900 С для германия. Давление паров компонента-растворителя при этих температурах составляет 3 — 4 ат,и.
Другой конец ампулы поддерживается при
Предмет изобретения
Способ выращивания нитевидных монокристаллов германия и кремния из паровой фазы с использованием галоида в качестве компонента-растворителя, отличающийся тем, что, с целью получения нитевидных монокристаллов германия и кремния диаметром 1—
20 lfK, выращивание монокристаллов германия производят при температуре исходного вещества 850 †900 и температуре зоны кристаллизации 600, а выращивание монокристаллов кремния — при температуре исходного вещества 1150 С и температуре зоны кристаллизации 850 — 900 С, причем в качестве компонента-растворителя используют бром, давление паров которого при температуре процесса составляет 3 — 4 атлт.