C30B29/62 - нитевидные кристаллы или иглы

Патент ссср 160829

Cow Coaem x C0U,ИАЛИС 1 ИЧЕС| ИХ РеспуБлиК Класс 40d, 1а, 0IINCAHNE ИЗОБРЕТЕНИ.Н K АВТОРСКОМУ СВИЬ,ЕТЕЛЬСТВУ Ко 160829 МПК С 22f Заявлено 06.Ч11.1962 (№ 785811/22-2) ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ СССР УДК Опубликовано 26.11.1964, Бюллетень № 5 ) + lL C ! Подписная группа № 1б c:;;д,"„ ". ;". >< A. В. Сандулова, П. С. Богоявленский и М. И. Дроню...

160829

Способ получения монокристаллов соединений

34266I ОПИСАНИЕ Союз vàââòñêõõ Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 23Л1.1970 (¹ 1405385/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 22 1/11972. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 18.VII.1972 М. Кл. В Olj 17/14 Комитет по делам изобретений и открытий ври Совете Министров СССР УДК 669.046-172 (0...

342661

Способ автоматического! управления процессом роста нитевидных кристаллов нитрида кремния

:союзнлЯ TFXHHq CKJER ПИСАНИЕ ЗОБРЕТ ЕНИЯ АВТОР СИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ имое от авт. свидетельства ¹ ено 05.VII.1971 (№ 1682545!23-26) М. Кл. В 01 j 17,,32 G 05d 11 02 оед«нен (ei(заявк« ¹ итет иковано 15Л .1973. Б(Ьллетень М 21 УДК 669.782.094.1, 2.661. .96:65.011.56:62-98 (088.8) опубликования описания 2Л I I I.1973 Авторы изобретения А. Г. Творожников, В. М. Бирюков, A. В. З...

380344

Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния

СГ OJO3 H A R ;1ут16 : ° МЬ4 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ПАТЕНТУ 384208 Союз Советских Социалистических Республик Зависимый от патента № вЂ”М,Кл. В Olj 17/22 Заявлено 21.Ч!1.1970 (№ 1462682/23-26) Приоритет 04 ЧП1.1969, № 11760/69, Швейцария Котситет ао делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК 669-172:546.28 2.61 (088.8) Опубликовано 23.Ч.1973. Бюллетень № 24...

384208

Патент ссср 396862

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Респубгик К ПАТЕНТУ Зависимый от патента ¹â€” М. Кл. В 01 j 1 7/28 С 01 b 31 36 Заявлено 12.V.1971 (¹ 1658471/23-26) Приоритет 14Л .1970. Ле 7191/70, Швейцар:.!я Гасударственный комитет Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий УДК 546.28 261 (088.8) Опубликовано 29.VI11.1973. БюллетI.III, Л2а 36 Дата опубликовз...

396862

Патент ссср 401042

О П И С А Н И Е 40I042 ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ Союз Советских Социалистических Республик Х ПАТЕНТУ Зависимый от патента МвЂ” М,Кг!. С 01Ь 31. 36 В 01) 17,"28 Заявлено 19.Ч.1971 (Ме 1661466/23-26) Государстве!!ный комите Совета )иинистров ССП tto делам изобретений и открытий Приоритет ()5Л 1.1970, N. 8424/70, 111в !!ня1!и>-! Онублнков-tttn 01.Х.1973. Б!Ог)лс тень М 40 УДК 546.28:261....

401042

Способ получения нитевидных кристаллов а-окиси

О П И С А Н И Е 404502 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советски Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 03 Х.1969 (Ko 1367869/23-26) М. Кл. В 01j 17/32 С Olf 7/02 с присоединением заявки № Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий Приоритет Опубликовано 22.Х.1973, Бюллетень М 44 Дата опубликован...

404502

Патент ссср 429838

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЫ:ТВУ (ii) 429838 Союз Советских Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 02.06.72 (21) 1792462/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 30,05.74. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 11.11.74 (51) М. Кл. В Olj 17/06 С Olg 23/04 Государственный комите1 Совета Министров...

429838

Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в про...

1565088

Способ получения дисперсных частиц

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению монокристаллов сферической и нитевидной форм, которые могут быть использованы в практике физического эксперимента и как материалы со специально созданным комплексом свойств: высоким уровнем прочности, коррозионной износостойкости. Целью способа является получение монокристаллических частиц сферической и нитев...

1638217

Способ получения игольчатых кристаллов

Использование: для токсикологических исследований патогенеза действия аэрозолей цинка на организм экспериментальных животных. Сущность изобретения: исходный металлический цинк нагревают в печи до 800°С, подают воздух со скоростью 2-3 м /мин и аргон со скоростью 1 м /мин, температуру повышают до 1200°С и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15&...

1763526

Способ получения микрокристаллов с микровыступом

Изобретение относится к способам получения микрокристаллов, а именно к выращиванию кристаллических микровыступов из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой и обеспечивает получение единственного стационарного микровыступа на вершине острия кристалла. Способ включает ориентацию кристалла вдоль кристаллографического направления < III > и изготовление его в виде острия в...

1776099

Шихта для получения кристаллов муллита и способ получения кристаллов муллита

Использование: в качестве наполнителя и армирующего материала в композитах и различных устройствах. Сущность изобретения: используют шихту состава, мас. %: глинозем 7,7 - 18,3; кремнезем 37,1 - 38,5; фтористый алюминий 44,5 - 55,8; муллит - остальное. Способ получения кристаллов муллита включает загрузку в тигель шихты, содержащей указанные компоненты, и ее нагрев при 1120 - 1250oС в атмо...

2056464

Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты)

Использование: в электронном материаловедении, и микроэлектронике, в частности, вакуумной для выращивания систем нитевидных кристаллов для автоэмиссионных катодов. Сущность изобретения: способ относится к категории кристаллизации веществ из паровой фазы и состоит в том, что вещество для кристаллизации нитевидных кристаллов переносится от твердого тела к подложке. Источник материала и моно...

2099808

Способ получения тетратитаната бария bati4o9

Использование: для получения высокодобротной СВЧ-керамики для элементов в микроволновых интегральных схемах и для подложек, на которых выполняются элементы схемы. Сущность изобретения: нитевидные кристаллы диоксида титана предварительно обрабатывают серной кислотой при соотношении 0,25-0,5 дм3 H2SO4 на 1 кг TiO2, смешивают с кислородсодержащим соединением бария, имеющим температуру плавле...

2104946

Способ определения угла роста нитевидных кристаллов полупроводников

Изобретение предназначено для определения основного параметра кристаллизации при выращивании нитевидных кристаллов (НК) угла роста. Это достигается тем, что в процессе выращивания создают начальный конусовидный участок пьедестала кристалла, а угол роста р определяют из формулы , где r0 - начальный радиус пьедестала НК, r - конечный радиус пьедестала НК. 1 ил. Изобретение относится к техн...

2111293

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами. Сущность изобретения состоит в том, что на поверхность кремниевой пластины напыляется слой металла толщиной не менее 400 , после чего осуществляют маскирование поверхности пластины фоторезистором с последующим на...

2117081

Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер. 1 ил. Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения. Р...

2131951

Способ формирования выступа типа острия

Использование: при изготовлении широкого класса полевых эмиссионных приборов, для создания зондов сканирующих микроскопов зондового типа, в устройствах сверхплотной записи и считывания информации, при разработке и создании различного рода датчиков, для декорирования поверхностей и т.д. Изобретение позволяет стабильно и управляемо получать одиночное коническое острие и совокупность таких о...

2139373

Способ получения нитевидных кристаллов

Изобретение относится к новым способам получения кристаллов, используемых в полупроводниковом материаловедении. Способ выращивания нитевидных кристаллов заключается в том, что рост кристаллов осуществляется на материале пластин в камере, заполненной рабочим газом, в поле действия встречных дифракционных полей от рентгеновских излучателей, излучение от которых проходит в камеру через пакет...

2180932

Способ получения микроволокон диоксида циркония

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к способам получения исходных веществ для композиционных материалов и конструкционной керамики. Способ получения микроволокон диоксида циркония заключается в том, что приготовленный раствор оксихлорида циркония концентрацией от 200 до 2000 г/л перекристаллизовывают при температуре от 0 до 20oС и давлении от 0,1 до 0,01 МПа, зат...

2193608

Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа

Изобретение может быть использовано для получения светочувствительных элементов в солнечных батареях, при производстве инертных насадок для микроскопов SPM, аккумуляторных батарей и т.д. Сущность изобретения: предлагается способ приготовления наночастиц металлических оксидов, содержащих введенные частицы металла, относящийся также к получаемым из данных оксидов неорганическим фуллеренопод...

2194807

Способ получения муллита из кварц-топазового сырья

Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. Способ получения муллита включает измельчение исходного кварц-топазового сырья, отделение примесей выщелачиванием путем обработки сырья соляной кислотой концентрацией 10-38% в течение 0,5-2 ч, промывание водой, отделение избыточного оксида кремния в виде гексафторосиликата аммония с помощью бифторида аммония и прокаливание п...

2272854

Кантилевер с вискерным зондом и способ его изготовления

Использование: в микроскопах. Сущность: предлагается создавать зонды для зондовой микроскопии из кремниевых вискеров, выращенных по механизму пар-жидкость-кристалл на кантилеверах с кристаллографической ориентацией (111). Такие кантилеверы изготовляют из структур кремния-на-изоляторе, которые создают сплавлением кремниевых пластин, причем одна из пластин имеет ориентацию (111). Выращенные таким пу...

2275591

Способ получения нитевидного нитрида алюминия

Изобретение может быть использовано для получения нитевидных кристаллов нитрида алюминия, пригодных для изготовления сенсорных зондов на кантилеверах атомно-силовых микроскопов. Способ получения нитевидного нитрида алюминия включает пропускание через нагретый алюминий газообразных реагентов в виде галогенидов алюминия (III) и азота и последующую конденсацию конечного продукта. Подачу галогенида ал...

2312061

C30B29/62 - нитевидные кристаллы или иглы

Патенты в этой категории