Способ изготовления образца для контроля микроскопов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для контроля микроскопов и микрообъективов по качеству изображения . Цель изобретения - улучшение качества образца путем повышения однородности распределения частиц латекса по поверхности образца. Цель достигается тем, что в способе изготовления образца для контроля микроскопов , включающем нанесение на стеклянную подложку водной суспензии латекса , высушивание суспензии, нанесение на подложку слоя алюминия толщиной 30-100 нм путем его испарения в вакууме с последующим удалением1 частиц пу,- тем протирания, перед нанесением водной суспензии латекса на подложку наносят слой двуокиси кремния толщиной 50-300 нм путем ее испарения в вакууме с последующим охлаждением подложки до температуры 0-10 С, а высушивание проводят при температуре 5-10°С. с 8 (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 01 М 11/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И (ЛНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4665739/10 (22) 23.03.89 (46) 28.02.91. Бюл. 9 8 (72) Б.Я.Герловин и М.Д.Левина (53) 535.818(088.8) (56) M.Uhlig, Mikroskopil 17, 1962, р.273-284.

P. N. Sister "Optics in Metrology, Pergamon Press, New — Jork — London, ed by Mollet, 1963, р.267. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦА ДЛЯ

КОНТРОЛЯ МИКРОСКОПОВ (57) Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для контроля микроскопов и микрообъективов по качеству изображения . Цель изобретения — улучшение

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для контроля микроскопов и микрообъективов по качеству изображения.

Цель изобретения — улучшение качества образца путем повышения однородности распределения частиц латекса по поверхности образца.

Способ включает следующую последовательность взаимосвязанных операций.

Наносят на подложку слой двуокиси кремния толщиной 50-300 нм путем ее испарения в вакууме. Охлаждают подложку до Π— 10 С. Наносят на подложку о поверх слоя кремния водную суспензию о латекса и высушивают ее при 5-10 С.

„„SU„„1631341 А 1

2 качества образца путем повышения однородности распределения частиц латекса по поверхности образца. Цель достигается тем, что в способе изготовления образца для контроля микроскопов, включающем нанесение на стеклянную подложку водной суспенэии латекса высушивание суспензии, нанесение на подложку слоя алюминия толщиной

30-100 нм путем его испарения в вакууме с последующим удалением" частиц путем протирания, перед нанесением водной суспензии латекса на подложку наносят слой двуокиси кремния толщиной

50-300 нм путем ее испарения в вакууме с последующим охлаждением подлож- ки до температуры 0-10 С, а высушивао 10 ние проводят при температуре 5"10 С.

Наносят на подложку поверх слоя крем-, ния водную суспенэию латекса и высушивают ее при 5-10 С. Наносят на подложку поверх слоя двуокиси крем- ния и латекса слой алюминия толщиной 30 — 100 нм путем напыления в вакууме. Удаляют частицы латекса с поверхности путем протирки, С помощью полученного таким образом образца по качеству оптического изображения контролируют качество микроско- пов и иикрообъективов.

Формула и з обретения

Способ изготовления образца для контроля микроскопов, включающий нанасение на стеклянную подложку водной

Составитель В, Сячинов

Техред Л.Сердюкова Корректор И.Эрдейи

Редактор И,Касарда Заказ 537 Тираж 347 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1)3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10) 3 )63)34 ! суспензии латекса, высушивание суспензии, нанесение на подложку алюминия толщиной 30-100 нм путем его испарения в вакууме с последующим удалени- .5 ем частиц латекса, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью улучшения качества образца путем повышения однородности распределения частиц латекса по поверхности образца, перед нанесением водной суспензии латекса на подложку наносят слой двуокиси кремния толщиной 50-300 нм путем ее испарения в вакууме с последующим охлаждением подложки до температуры

0-10 С, а высушивание суспензии проводят при 5-10 С.