Термоактивационный способ определения типа и концентрации дефектов в кристаллах с водородными связями

Термоактивационный способ определения типа и концентрации дефектов в кристаллах с водородными связями

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для определения изменения концентрации дефектов структуры в материалах, работающих в агрессивных средах, и изучения структуры минералов с неизвестным составом . Цель изобретения - повышение достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов. Цель достигается путем измерения термостимулированных токов деполяризации (ТСТД) кристаллов исходных образцов и образцов, прокаленных при температурах, соответствующих выходу того или иного вида молекул воды и выдержанных в растворах увеличивающих концентрацию определенного вида дефектов или влияющих на положение максимумов ТСТД. Концентрация дефектов определяется по площади под кривой соответствующего максимума Способ позволяет с большой степенью надежности определять тип и концентрацию дефектов, особенно в кристаллах содержащих водородные сияои (Л

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 8 01 N 27/24

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ а

6д (Л ,фм »

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4647766/25 (22) 28.12.88 (46) 15,04.91. Бюл. № 14 (71) Карагандинский государственный университет (72) M,Ï.Òîíконогов, В,M,Òèìoõèí и B,А.Миронов (53) 543.275(088.8) (56) Мурин А.Н., Мурин И.В., Сивков В.П, Влияние гидростатического давления на ионную проводимость в монокристаллах

AgCl u AgCI + MuC4. — Физика твердого тела, 1973. т.15, ¹ 11, с.142-147.

Авторское свидетельство СССР

N 737822, кл. G 01 N 27/24, 1977. (54) ТЕРМОАКТИВАЦИОННЫЙ СПОСОБ

ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА И КОНЦЕНТРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ С ВОДОРОДНЫМИ СВЯЗЯМИ (57) Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использоваИзобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для определения изменения концентрации дефектов структуры в материалах, работающих в агрессивной среде, и изучения состава минералов.

Цель изобретения — повышение достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов s кристаллах эа счет сравнения спектров термостимулированных токов деполяризации исходных легированных и прокаленных образцов.

Пример 1, Приготавливают несколько образцов онотского талька. Один помещают в раствор HCI (или несколько образцов в растворы HCI различной концентрации), где выдерживают длительное время (в данном

„„Я „„1642354 Al но для определения изменения концентрации дефектов структуры в материалах, работающих в агрессивных средах, и изучения структуры минералов с неизвестным составом, Цель изобретения — повышение достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов. Цель достигается путем измерения термостимулированных токов деполяризации (ТСТД) кристаллов исходных образцов и образцов, прокаленных при температурах, соответствующих выходу того или иного вида молекул воды и выдержанных в растворах, увеличивающиx концентрацию определенного вида дефектов или влияющих на положение макс<мумов

ТСТД. Концентрация дефектов определяется по площади под кригой соответствующего максимума. Способ позволяет с большой степенью надежности определятьтип и сочцентрацию дефектов, особенно в кристаллах, содержащих водородные связи. случае 88 сут). Второй образец (или ряд образцов} помещают в раствор NH

Следующим этапом снимают спектр термостимулированных токов (ТСТ) деполяризации природных непрокаленных образцов, который является эталонным, Спектр

ТСТ снимают следующим обпазом. Образец устанавливают между электоодами, Фиксируют температуру поляризации (в данном случае Т = 300 K) в течение 20 мин, После этого подклю ают постоянное электрическое поле с напряженностью

Ел/Еп = 2. 10 В/М. Поляризацию осущестБ вляют в течение времени ъ / тп = 15 мин.

Затем образец быстро охлаждают дп температуры Тр (То = 77 К), после «cro электрическое поле отключают и подключают

1642354

Формула изобретения

Для исследования растворимых в воде кристаллов выращивают как чистые, так и легированные кристаллы, в качестве легирующих добавок используют HCI, HF, HBr, HJ или ЙН4ОН.

Составитель В.Алешин

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор И.Муска

Редактор М.Циткина

Заказ 1143 Тираж 406 Подписное

ВНИ1лПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 электрометр и производят нагрев с постоянной скоростью 5,5 К/мин. При этом появляются максимумы ТСТ, Затем новую Группу Образцов прокаливают при различных температурах, соответстВующих выходу ТОГО или инОГО вида молекул воды, и снимают спектры ТСТ деполяризации, по изменению этих спектров судят О виде и концентрации молекул воды.

После легирования кристаллов в растворах кислоты или щелочи каждый образец очищают и снимают спектр TCT деполяризации. ПО изменению амплитуды и положения максимумов судят о типе, а по площади под кривой 1(т) — о концентрации дефектов структуры.

Термоактивационный способ определения типа и концентрации дефектов в кри5 сталлах с водородными связями, заключающийся в измерении термостимулированных токов деполяризации (ТСТД) кристаллов, о тли ч а ю щи йс я тем, что, с целью повышения достоверности и точно10 сти определения типа и концентрации дефектов, измеряют термостимулированные токи деполяризации исходных образцов,образцов, .прокаленных при различных температурах, обеспечивающих выход on15 ределенного вида молекул воды из кристаллов, и образцов. выдержанных в растворах кислот и щелочей, увеличивающих концентрацию определенного типа дефектов и влияющих на положение максимумов ТСТД, а о

20 типе и концентрации дефектов судят по смещению максимума ТСТД и его величине.