Способ послойного анализа тонких пленок

Способ послойного анализа тонких пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к физическим методам анализа материалов электронной техники и может применяться для анализа тонких пленок методом Оже-спектроскопии Цель изобретения - повышение разрешения по глубине Для этого исследуемый образец облучают электронами с энергией 10-15 кэВ и одновременно со спектром Ожеэлектронов регистрируют характеристическое рентгеновское излучение исследуемого образца . 1 ил

союз советских социАлистических

РЕСПУБЛИК ч (я)5 G 01 N 23/227

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ х =h ° Jy )(Т)бт, о (21) 4695470/25 (22) 26.05.89 (46) 23.05.91, Бюл. ¹ 19 (71) Каунасский политехнический институт им. А.Снечкуса (72) Л.И.Пранявичюс, Ю.П.Будинавичюс и

С, И.Тамулевичюс (53) 543.53:621,382.08 (088.8) (56) Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, / Под ред. Д.Бриггса и M.Ï,Ñèõà,—

M.: Мир, 1987, с, 191, Методы анализа поверхностей. / Под ред. А.Зандерны. — M.: Мир, 1979, с.216.

Изобретение относится к физическим методам анализа материалов электронной техники- и может применяться для анализа тонких пленок методом Оже-спектроскопии.

Цель изобретения — повышение разрешения по глубине, На чертеже представлены профили распределения концентрации серебра по глубине двухслойной структуры AgSi, Кривая 1 получена с помощью подсчета глубины х слоя по формуле где h — толщина монослоя; у — коэффициент распыления;

)(с) — плотность ионного тока;

t — время распыления.

„... Ж„„1651174 А1 (54) СПОСОБ ПОСЛОЙНОГО АНАЛИЗА

ТОНКИХ ПЛЕНОК (57) Изобретение относится к физическим методам анализа материалов электронной техники и может применяться для анализа тонких пленок методом Оже-спектроскопии. Цель изобретения — повышение разрешения по глубине. Для этого исследуемый образец облучают электронами с энергией

10-15 кэВ и одновременно со спектром Ожеэлектронов регистрируют характеристическое рентгеновское излучение исследуемого о6разца, 1 ил.

Кривая 2 получена с помощью предлагаемого способа, а кривая 3 — с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния (POP). используя ионы Не+ 2 МэВ, угол падения &jan = 80, угол рассеяния 0= 168 (с помощью такой геометрии разрешение

POP по глубине составляет 3-3,5 нм).

Способ послойного анализа тонких пленок реализуют следующим образом.

Послойный Оже-анализ двухслойной структуры Ag-Si производят s вакуумной камере при давлении остаточных газов 10 Па.

-8

Облучение исследуемого образца пучком ионов, пучком электронов и регистрацию

Оже-электронов осуществляют при помощи серийного Оже-анализатора. Облучение электронами производят с энергией 11 кэВ, Одновременно с регистрацией Оже-электронов производят регистрацию характеристического рентгеновского излучения с помощью пропорционального счетчика и

1651174 полосового фильтра. Полученные сигналы поступают на установку обработки сигналов, В установке при помощи формулы d =

= с k . I определяют толщину пленки серебра, где d —;! — интенсивность характеристического рентгеновского излучения; k — коэффициент, характеризующий исследуемый материал и геометрию эксперимента; с — процентная концентрация атомов пленки.

Интенсивность рентгеновского излучения фиксируют как количество импульсов в

1 с (имп/с), Коэффициент k устанавливают для каждого материала пленки во время калибровки. Калибровку производят измерением I пленки известной толщины и химического состава и определением k в виде k = . Для пленки серебра в данd с I

Формула изоб ретения номслучае1=4,3 10, Процен-3 Гнм С1 (имп тная концентрация известна из результатов анализа Оже-электронов. Для сравнения приведены результаты, полученные при

Составитель К,Кононов

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор О.Ципле

Редактор О.Головач

Заказ 1603 Тираж 411 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород. ул.Гагарина, 101 сф

Ф;

Ю

З

4 расчете величины d (кривая 1) и с помощь . метода POP с повышенным разрешением по глубине (кривая 3). Сопоставление результатов свидетельствует о том, что пред5 лагаемое техническое решение позволяет повысить разрешение по глубине в 2-3 раза по сравнению с расчетным методом и получить сопоставительные результаты с методом POP.

Способ послойного анализа тонких пленок, заключающийся в облучении исс15 ледуемого образца пучком ускоренных электронов, регистрации Оже.-электронов и послойном стравливании образца ионным пучком, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешения по глубине, 20 энергию ускоренных электронов выбирают в диапазоне 10-15 кэВ и одновременно с

Оже-электронами регистрируют характеристическое рентгеновское излучение исследуемого образца.