Способ герметизации корпуса полупроводникового прибора

Способ герметизации корпуса полупроводникового прибора

Реферат

 

Изобретение касается производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации корпусов полупроводниковых приборов. Цель изобретения повышение качества герметизации за счет равномерного разогрева герметика и соединяемых деталей достигается тем, что используют электромагнитное излучение в диапазоне длин волн 0,2 0,9 мкм в течение 2 8 с, при этом поверхностную плотность энергии выбирают равной 70 300 Дж/см².

Изобретение касается производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации корпусов полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение качества герметизации за счет равномерного разогрева герметика и соединяемых деталей. Сущность изобретения заключается в том, что герметик помещают на основание или на крышку по контуру соединения крышки с основанием, устанавливают крышку на основание, вводят корпус в вакуумную камеру, нагревают место соединения электромагнитным излучением в диапазоне длин волн 0,2-0,9 мкм в течение 2-8 с с поверхностной плотностью, равной 70-300 Дж/см² до расплавления герметика и охлаждают до затвердевания шва. Экспериментально установлено, что при поверхностной плотности энергии менее 70 Дж/см² значительно возрастает время разогрева герметика, соединяемых деталей и вследствие этого снижается надежность полупроводникового кристалла и его соединение с основанием прибора. При увеличении значений поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см² происходит образование эвтектических соединений материалов выводов и корпуса полупроводникового прибора с их покрытием, что приводит к ухудшению качества прибора. Кроме того, наблюдается выброс герметика за пределы корпуса, а также в отдельных случаях разрушение керамических деталей корпуса. При длительности нагрева менее 2 с необходимое значение поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см², при этом происходит разрушение корпуса, а при длительности излучения более 8 с происходит недопустимый разогрев полупроводникового кристалла и снижение его надежности. Пример конкретного выполнения. Герметизировали корпуса типа 4 схема 66,69, представляющие собой металлокерамические шестнадцативыводные корпуса интегральных микросхем с металлической крышкой из ковара, верхняя часть которой покрыта никелем и золотом, а внутренняя часть припоем типа ПОССу-61. Герметизация проводилась на установке типа УОЛ.А.1 с источником излучения в виде ксеноновой лампы типа ИНП-16/250 А. Соединяемые детали корпуса с герметиком между ними загружали в кассету и устанавливали в вакуумную камеру с остаточным давлением 10²-10⁴ Па. Время нагрева выдерживали от 2 до 8 с при поверхностной плотности энергии от 70 до 300 Дж/см². После расплавления герметика корпус охлаждали азотом, разгерметизировали вакуумную камеру и извлекали кассету с герметизированным корпусом.

Формула изобретения

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий помещение герметика на основание или на крышку по контуру соединения крышки с основанием, установку крышки на основание, нагрев места соединения электромагнитным излучением в вакууме до расплавления герметика и охлаждение до затвердевания шва, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности, используют электромагнитное излучение в диапазоне длин волн 0,2 0,9 мкм в течение 2 8 с, при этом поверхностную плотность энергии выбирают равной 70 - 300 Дж/см².

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000