Усилитель считывания на мдп-транзисторах

Усилитель считывания на мдп-транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на МДП-транзисторах для усиления сигналов считываемой информации. Целью изобретения является повышение надежности усилителя считывания. Для этого в усилитель введены пятый и шестой ключевые транзисторы 12, 14 и второй, третий и четвертый установочные транзисторы 17, 18, 15 с соответствующими связями. Затворы транзисторов 12,11 являются парафазным входом усилителя, а стоки транзисторов 13, 14 - парафазным выходом. Усиление парафазного сигнала обеспечивает большую чувствительность усилителя. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю G 11 С 7/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР галл.,;л

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4724738/24 (22) 03.08.89 (46) 23.09.91. Бюл. М 35 (71), Научно-исследовательский институт точной технологии (72) В.И.Белоусов, Н.Г.Григорьев, П.Б.Поплевин, С.АТрошин и П.Ю.Чекмазов (53) 681.327.6 (088.8) (56) Патент США М 4479202, кл. 6 11 С 7/00, 1984.

Авторское свидетельство СССР

ЬЬ 1200333, кл. G 11 С 7/00, 1984.

;„, S U „„1б 79547 А1 (54) УСИЛИТЕЛЬ СЧИТЫВАНИЯ НА МДПТРАНЗИСТОРАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на МДП-транзисторах для усиления сигналов считываемой информации. Целью изобретения является повышение надежности усилителя считывания. Для этого в усилитель введены пятый и шестой ключевые транзисторы 12, 14 и второй, третий и четвертый установочные транзисторы 17, 18, 15 с соответствующими связями. Затворы транзисторов 12, 11 являются парафазным входом усилителя, а стоки транзисторов 13, 14 — парафазным выходом. Усиление парафазного сигнала обеспечивает большую чувствительность усилителя. 1 ил.

8 9

1679547

10

25

40

50

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в о запоминающих устройствах на МДП-транзисторах для усиления сигналов считываемой информации, Цель изобретения — повышение надежности усилителя считывания.

На чертеже представлена схема усилителя.

Усилитель считывания содержит первый 1 и второй 2 ключевые транзисторы первого типа проводимости, с первого по четвертый нагрузочные транзисторы 3-6 второго типа проводимости, шину 7 питания, первый 8 и второй 9 входы, шину 10 нулевого потенциала, третий 11 и пятый 12 ключевые транзисторы первого типа проводимости, четвертый и шестой ключевые транзисторы 13 и 14 второго типа проводимости, четвертый, первый, второй, третий установочные транзисторы 15-18 второго типа проводимости, тактовый вход 19, внутренние точки 20 и 21, первый 22 и второй 23 выходы.

Устройство работает следующим образом.

В статическом режиме на входах 8, 9 и

19 поддерживается напряжение логической единицы. При этом закрыты транзисторы

1,2, 11 и 12 и открыты транзисторы 15-18, благодаря чему во внутренних точках 20 и

21 и на выходах 22 и "23 устанавливается низкий уровень напряжения, соответствующий логическому нулю, При этом оказываются закрытыми транзисторы 3-6, 13 и 14. 35

Таким образом, в статическом режиме отсутствует протекание сквозного тока через усилитель, а симметричные транзисторы усилителя оказываются в одинаковых электрических режимах.

B режиме считывания информации на вход 19 подается напряжение логического нуля, а на входы 8 и 9 — напряжение, соответствующее считываемой информации.

Выходной сигнал формируется транзисторами 11-14, причем на затворы транзисторов 11 и 12 подается непосредственно дифференциальный входной сигнал, а на затворы транзисторов 13 и 14 — сигнал, усиленный транзисторами 1-6, Формула изобретения

Усилитель считывания на МДП-транзисторах, содержащий три ключевых транзистора первого типа проводимости, четвертый ключевой транзистор второго типа проводимости, первый установочный транзистор второго типа проводимости, четыре нагрузочных транзистора второго типа проводимости, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала усилителя, стоки первого и второго нагрузочных транзисторов соединены со стоками первых установочного и ключевого транзисторов, затворами четвертого ключевого и третьего нагрузочного транзисторов, сток последнего соединен со стоком черверого нагрузочного транзистора, затвором второго нагрузочного транзистора и стоком второго ключевого транзистора, затвор которого Соединен с затвором третьего ключевого транзистора, исток которого соединен с истоками первого и второго ключевых транзисторов и подключен к шине питания усилителя, сток третьего ключевого транзистора является первым выходом усилителя и соединен со стоком четвертого ключевого транзистора, исток которого подключен к шине нулевого потенциала усилителя и соединен с истоком первого установочного транзистора, затвор которого является тактовым входом усилителя,о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения надежности усилителя, он содержит пятый ключевой транзистор первоготипа проводимости, шестой ключевой транзистор второго типа проводимости, второй, третий и четвЕртый установочные транзисторы второго типа проводимости, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала усилителя и соединены с истоком шестого ключевого транзистора, затвор которого соединен с затвором и стоком четвертого нагрузочного транзистора и стоком второго установочного транзистора, затвор которого соединен с затворами первого, третьего и четвертого установочных транзисторов, сток шестого . ключевого транзистора является вторым выходом усилителя и соединен со стоками третьего установочного транзистора и пятого ключевого транзистора, исток которого подключен к шине питания усилителя, а затвор соединен с затвором первого ключевого транзистора и является первым информационным входом усилителя, вторым информационным входом которого является затвор третьего . ключевого транзистора, сток которого соединен со стоком четвертого установочного транзистора. сток первого установочного транзистора соединен с затвором первого нагруэочного транзистора.