Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы.

Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы.

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВ ГОГСИОААУ СВИ1 г)т ЕТЕДЬСТВУ

Союз Советских

Социалиатииеских

Респ Одик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Гоаударетвеииый комитет Ао дегим изоОоетений и открытий СССР

Заявлено 13.1.1964 (¹ 875780,г26-25) Ь",л. 21д, 18 с присседиггеппем залВКИ ¹

Приоритет

ЧПК б 21

УДЫ, 621.О39(088.8) Опубликовано 29Х1.1965. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 29Х11.)905 гр-; 0

Ф (A. H. Ядаиов И H, M. 1«,хтКС

Преапривтие Госуаарственаото «оиптет", по использованию атом«он энергии СССР

Авторы изобретения

Залвптель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ПОРОГА

ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ЯДЕРНОЙ ЭМУЛЬСИИ

Поднггсная гругггга ¹ 97

При известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсггй по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определешгой ионпзпрующей способностью опираются на произвольные предложения о величине флюктуаций в передаче энергии частицей микро кристаллу АдВг. Это не дает возможности быть уверенным в достоверности спосооов.

ПО ПрЕДЛаГаЕМОМут СПОСООу 5101I«IIO ПрЛМО получить кривую распределения хпгкрокр tсталлов AgBr ядерной эмульсии по их чуь твительности.

Способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозящегося внутри миг«рокрпсталла до остановки. При этом минимальная энергия электрона, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.

Заключаетсл сгссоб в том, что па однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последовательность поле;"1, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций, После проявления препарата определлют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронов.

Экспозиции и предельную энергию электронов выбирают такими, чтобы мосжно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электроноВ В;1иксскриcталл и ВыхОдОм электроггов за пределы микрокристаллов. Этим ус5 ловиям соответствуют экспозиции О,) — 0,2 электрона 11а мнкрокрпсталл и энергия электро. ОВ прн экспозиции, не превышающая

2000 эв (макспмальньш пробег в AgBr

10 6 с.гг).

10 Тогда полученная зависимость выхода проявлс;гпых зерен от энергии электронного пуч1 .3 с;,1ет ПОI .3зыВать дсл10 микр01 pпстaллОВ с порогом чуьстзительностп не выше заданного зн31åíttÿ э герпш, а днфференцирован15 нал кp11В31! — распреДеление микрокp11cT3ллов по ч вствптсльностп.

Предмет изобретения

Способ определения эпергетпческогo поро20 га чувствптелыгостн ядерной эмульсии по плотности проявленных зерен, находящихся в поле облУченнл, отлггг гагоЩггггсЯ тем, что, с целью полученггл сьедешш о распределении микр01«ристаллсВ АДВГ по чуВстВителыIОсти, 25 изучают выход пролвлешгых зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспсп;грсванных Il pit постоянной эг спсзиции электронами с разлн шой энергнеп В услОВиях экспонирования, когда вероятность кратных

30 попадашш электро; ol3 в микрокрпсталл п выход электронов за пределы микрокрпсталла пренебрежимо малы.