Иллюстрации к патенту 172407
Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы.
![Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. (патент 172407)](https://img.patentdb.ru/i/1000x1000/f0105af8d7e7839cdf49af337d90a065.jpg "Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. (патент 172407)")
