Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ l75143

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.11.1961 (№ 710002/26-9) Кл. 21g 1102 с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н Oll

УДК 621.382.23(088.8) Опубликовано 21.IX.1965. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 18.XI.1965

Авторы изобретения

В. А. Стружинскнй и T. А. Маркова

Заявитель

СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ВЕЛИЧИНЪ| КОЭФФИЦИЕНТА

УСИЛЕНИЯ ПО ТОКУ ГЕРМАНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Подписная группа № 97

Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава.

Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологическин разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.

Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей микросекунд. Обладая высокой растворимостью в германии, никель мало влияет на его электропроводность.

Коэффициент диффузии никеля высок при температуре порядка 800 С и приближается к коэффициенту диффузии меди, а при низких температурах он такой же, как у обычных примесей в германии (индий, галлий, сурьма, мышьяк), что исключает возможность диффузии никеля в диапазоне рабочих температур, 10 Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов, основанный на введении примесей в состав эмиттерного сплава, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента

1 усиления по току и технологического разброса по коэффициенту усиления и увеличения частотного предела германиевых полупроводниковых приборов, в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жиз20 ни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса.