Способ обработки дрейфовых германиевь[х транзисторов

Способ обработки дрейфовых германиевь[х транзисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

l76986

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Ь 11 Ь.1 и 0 T I j g

Кл 21 11о»

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06Х!!.1964 (№ 910246/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01L

УДК 621.382.33.002.2:

: 546.289 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 01.Õ!!.1965. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 11.II.1966

Автор изобретения

М. И. Маркович

Заявитель

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДРЕЙФОВЫХ ГЕРМАНИЕВЬ!Х

ТРАНЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Подписная группа ЛФ 97

Относительно большое время рассасывания существующих германиевых транзисторов приводит к существенному усложнению и удорожанию быстродействующих схем вычислительной техники и снижению их надежности.

Известные методы сокращения времени рассасывания с помощью введения рекомбннационных примесей не дают в германиевых транзисторах значительного эффекта.

Для повышения скорости рекомбинации па поверхности пассивной базы предлагается использовать обработку поверхности полупроводниковых приборов в тлеющем разряде, которая по своему характеру отличается от локальных обработок поверхности полупроводников, проводимых при очистке или оксидировании поверхности.

Время рассасывания дрейфовых транзисторов приблизительно пропорционально эффективному времени жизни в пассивной области базы т,ф.

Веттичина т„, может быть существенно снижена при повышении скорости рекомбинации на поверхности пассивной базы до величины

10 сл/сек, Для сокращения времени рассасывания германиевых дрейфовых транзисторов на поверхность транзистора предварительно напыляют канифоль на открытом воздухе из близко рас5 положенного ("1 лл) распылителя. При этом поверхность пассивной базы закрывается маской. После этого незащищенная поверхность пассивной базы обрабатывается в тлеющем разряде при вакууме порядка 10 т лтл рт. ст. и

10 полном токе 200 лка в течение 3 — 5 сек.

При этом скорость рекомбинации на поверхности пассивной базы возрастает до величины ) 2 10 сл/сек.

Предлагаемая обработка приводит к сокра15 щению времени рассасывания транзнс1оров в

5 — 10 раз.

20 Способ обработки дрейфовых германиевых транзисторов путем локального воздействия тлеющим разрядом, отличающийся тем, что, целью сокращения времени рассасывания носителей тока транзисторов после нанесения

25 защитного покрытия, подвергают воздействию незащищенную поверхность пассивной базы.