H01L21/322 - для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки

Способ обработки дрейфовых германиевь[х транзисторов

l76986 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Ь 11 Ь.1 и 0 T I j g Кл 21 11о» Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 06Х!!.1964 (№ 910246/26-25) с присоединением заявки № Приоритет МПК Н 01L УДК 621.382.33.002.2: : 546.289 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 01.Õ!!.196...

176986

Способ повышения коэффициента усиления по току кремниевых диффузионных р—р-л-транзисторов

О П И С А Н И Е 240852 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21g, 11/02 Заявлено 18.111.1967 (№ 1141136/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 01.1К1969. Бюллетень ¹ 13 Дата опубликования описания 25Х111.1969 МПК Н Oll УДК 621.382.002 (088.8) Комитет по делам изооретений и о...

240852

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ для силовых диодов и солнечных элементов на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов , включакяций управление градиентом ширины запрещенной зоны раствора V Б U путем изменения его химичёскЪ .го состава и введение легирующей примеси в процессе его выращивания, чающийс...

1061658

Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии

(19)SU(11)1083848(13)A1(51) МПК 5 H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

1083848

Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии. Перед отжиго...

1340492

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соед...

1387798

Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. Цель достигается тем, что проводят сначала отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200°С, а затем - отжиг в окислительной среде при 430 - 450°С и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750°С в течение 4 - 6 ч и 1000 - 1050°С. Причем продолжительность отжигов...

1499627

Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение эффективности геттера для пластин кремния с содержанием кислорода не менее 6-1017 см . Цель достигается тем. что формируют внутренний геттер в процессе трехступенчатого отжига. Перед отжигом проводят окисле...

1635827

Способ изготовления фоточувствительного прибора с зарядовой связью

Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении МДП-микросхем. Сущность: способ включает формирование на кремниевой подложке маскирующего слоя, предварительную термообработку, формирование элементов прибора и финишную термообработку. Охлаждение после термообработки проводят по заданной программе. Изобретение относится к технологии изготовления МДП-микросхем, а именно...

2014671

Способ геттерирования в полупроводниковом материале

Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность способа заключается в том, что после проведения имплантации ионов в поверхностный слой полупроводниковых пластин их (пластины) подвергают обработке импульсным магнитным полем с последующим термическим отжигом при температуре 200-300oC в течение 30-15 мин. Причем имплантацию ионов осуществляют путем...

2092931

Способ обработки кремниевых подложек

Использование: в производстве полупроводниковых приборов, а именно в технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием дефектов и фоновых примесей. Сущность изобретения: производят формирование анодной обработкой в растворе фтористоводородной кислоты на нерабочей стороне подложки слоя пористого кремния, при этом во время анодирования подложки упруго деформируют изги...

2098887

Способ обработки пластин кремния

Использование: в области микроэлектроники для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: предварительно пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона пластины была вогнутой, затем производят 3-х стадийный отжиг платины в деформированном состоянии в инертной атмосфере вначале при температуре из интер...

2105381

Способ изготовления интегральных схем

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. Сущность: предлагается способ изготовления как дискретных приборов, так и интегральных схем, формируемых в полупроводниковой подложке, которая затем утоняется с помощью химического травления. Равномерность травления обеспечивается за счет формирования с обратной стороны пластины геттерирующего слоя и последующего геттерирующе...

2109371

Способ подготовки кремниевых подложек

Использование: в области микроэлектроники, а именно в технологии изготовления пластин подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. Сущность изобретения: производят механическую и химическую обработки поверхности рабочей и нерабочей сторон подложек, а затем трехстадийный отжиг при высоких и низких температурах для формирования внутреннего геттерирующего слоя, перед вто...

2110115

Способ обработки пластин монокристаллического кремния

Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для повышения однородности распределения электрофизических характеристик подложек вдоль их рабочей стороны за счет снижения концентраций структурных дефектов и фоновых примесей в приповерхностной области на рабочую сторону пластины монокристаллического кремния наносят моноокись германия в виде пленки т...

2119693

Способ обработки кремниевых подложек

Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и...

2120682

Способ устранения структурных дефектов в твердых телах

Использование: технология производства электронных компонентов, интегральных схем и устройств функциональной электроники. Сущность изобретения: для устранения структурных дефектов в твердом теле, в том числе пленке, возбуждают акустические колебания с длинами волн, соизмеримыми с эффективными размерами дефектов, и с энергией, превышающей энергию активации дефектов. Техническим результатом...

2124784

Способ геттерирующей обработки подложек кремния

Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточных дефектов в кремниевых подложках. Сущность изобретения: способ включает осаждение на нерабочую сторону подложек кремния слоя поликристаллического кремния и термообработку, перед термообработкой пове...

2134467

Способ изготовления структур "кремний на изоляторе"

Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. Сущность изобретения: производят термокомпрессионное соединение через слой диэлектрика рабочей пластины и пластины-носителя, производят облучение со стороны рабочей пластины ионами средних энергий дозам...

2137252

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин

Использование: в области изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки исходных пластин-подложек. Технический результат: улучшение структурного совершенства полупроводниковых пластин за счет уменьшения в них концентрации дефектов. Сущность изобретения: облучают нерабочую сторону пластин ионами средних энергий и проводят отжиг пластин, причем перед облучением пластины уп...

2137253

Способ формирования структур "кремний на изоляторе"

Использование: в области производства полупроводниковых приборов, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Сущность изобретения: способ включает термокомпрессионное соединение окисленных рабочей кремниевой пластины с пластиной-носителем и абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. Перед термокомпрессионным соединением в рабочей пластине пу...

2139595

Способ обработки кремниевых подложек

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и...

2172537

Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур

Использование: в технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности. Сущность: в способе геттерирующей обработки, включающем аморфизацию полупроводниковых структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средни...

2176422

Способ изготовления структур "кремний на изоляторе"

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. Сущ...

2193256

Способ обработки структур "кремний на диэлектрике"

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Технический результат: улучшение структурного совершенства пленок кремния в структурах "кремний на диэлектрике". Сущность...

2193257

H01L21/322 - для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки

Патенты в этой категории