Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа" и а"1

Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа" и а"1

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Сооетскит

Социалистическит

Реслубли

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 18.IV.1963 (№ 831945/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.V1.1969. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 18.ХИ969

Комитет оо аелзи изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Л. А. Сысоев, Л. В. Конвисар и Э. К. Райскин

Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов

Заявитель

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ .СУЛЬФИДОВ И СЕЛЕНИДОВ ГРУПП

Аи и A

Известен способ выращивания монокристаллов типа CdS (группа Аи Btv — сульфидов и селенидов кадмия, цинка, теллура) из расплава под давлением инертного газа.

Предлагаемый спосоо выращивания полупроводниковых монокристаллов типа CdS отличается от известного тем, что для получения монокристаллов стехиометрического состава в реакционный объем вводят химическое соединение металлоида с углеродом.

Пример 1. Выращивание монокристаллов сульфидов кадмия и цинка.

Предварительно подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 — 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему контейнера.

Наличие в газовой фазе сероуглерода допускает необходимый перегрев расплава с соответствующим градиентом температуры вдоль оси контейнера без термического разлоукения перегретого исходного вещества, что обеспечивает получение монокристаллов с заданными свойствами.

Аналогично получают монокристаллы сульфида цинка.

Пример 2. Выращивание монокристаллов селенидов кадмия и цинка.

Отличие от примера 1 состоит в том, что в вакуумированный объем вводят заданное количество селеноуглерода либо впрыскиванием готового продукта, либо продувкой паров селена через нагретую кварцевую трубку, содержащую пористую углеродную массу (древесный уголь и т. п.).

Предмет изобретения

Способ выращивания полупроводниковых монокрпсталлов сульфидов и селенндов групп

A" и А н, например CdS, из расплава под

25 давлением инертного газа, отличаюцийся тем, что, с целью получения монокристаллов стехиометрического состава и упрощения процесса, в реакционный объем вводят химическое соединение одноименного металлоида

30 с углеродом, например СЬз.