C30B11/06 - добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции

Способ получения монокристаллических щелочно-галоидных фосфоров

Класс 12е, 16 № 108078 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Л. М. Шамовский и Ю. Н. Жванко СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЩЕЛОЧ НОГАЛОИДНЫХ ФОСФОРОВ Заявлено 17 августа 1956 r. за М 554433 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Предмет изобретения В приборах для регистрации радиоактивного и нейтронного излучения, например в фо...

108078

Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа" и а"1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Сооетскит Социалистическит Реслубли Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 18.IV.1963 (№ 831945/23-4) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 20.V1.1969. Бюллетень № 21 Дата опубликования описания 18.ХИ969 Комитет оо аелзи изобретений и открытий ори Совете Министров СССР Авторы изобретения Л. А. Сысоев, Л...

177844

Патент ссср 193438

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских С G U, и а л l1 с т и ч и с q". и х Республик Зависимое от авт, свидетельства № Кп. 12с, 2 12п, 5/00 Заявлено 12Х11.1962 (№ 786371/23-4) с присоединением заявки № Приоритет МПК В 01d С Olg УДК 661.857.321:54-162 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Сосете Министрое СССР Опубликовано 13.Ill.1967....

193438

Ампула для взаимодействия пара с расплавом

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № 1 л 12g, 17/08 Заявлено 14.!Х.1967 (№ 1185673j23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 13.1.1970. Бюллетень № 5 Дата опубликования описания 22Х.1970 МПК В 011 УД1(548.55(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Минист...

261368

Способ определения коэффициента распределения нелетучей примеси л1ежду жидкой и твердой фазами

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 29!737 Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № МПК В Olj 17/06 Заявлено 18.VII.1968 (№ 1257237/22-1) с присоединением заявки № Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Приоритет Опубликовано 06.1,1971. Бюллетень ¹ 4 Дата опубликования описания 11.III.1971 УДК 669.05...

291737

Способ получения тройных халькогенидов меди

Способ получения тройных халькогенидов меди, включающий взаимодействие расплава металлических элементов, расположенных в зоне синтеза, с парами халькогена, взятого в избытке от стехиометрии и расположенного в противоположном конце запаянной вакуумированной кварцевой ампулы, при температуре зоны синтеза на 21 - 40oС выше температуры плавления соединения, а зоны халькогена 600 - 650oС, выде...

1208848

Способ получения сцинтиллятора на основе иодида цезия

Изобретение-относится к технологии получения сцинтилляторов и может быть использовано при изготовлении детекторов рентгеновского и гамма-излучения в медицинской и промышленной томографии. Целью изобретения является уменьшение послесвечения в миллисекундном диапазоне. Изобретение описывает способ пол.учения сцинтиллятора на основе йодида цезия, включающий сушку йодида цезия и сушк...

1471546

Способ получения монокристаллов гамазова и устройство для его осуществления

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут н...

1825537

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути

Изобретение относится к области физики твердого тела и может найти применение как перспективный нелинейный материал для преддетекторного преобразования инфракрасной частоты в светолокационных установках, параметрических квантовых генераторах, спектроскопии и других приборах квантовой электроники. Сущность изобретения: монокристаллы тиогаллата ртути, HgGa2S4, получают путем охлаждения расп...

1839797

Нелинейный монокристаллический материал

Изобретение относится к области физики твердого тела и может быть использовано для преобразования излучения дальней инфракрасной области спектра, а также в параметрических квантовых генераторах, средствах связи, обработке информации. Сущность изобретения: нелинейный монокристаллический материал содержит серебро, галлий, селен и германий в соответствии с химической формулой Ag xGaxGe1-xS2,...

1839800

Способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках

Использование: при разработке и усовершенствовании технологии формирования слитка при воздействии слабого магнитного поля на кристаллизирующийся расплав. Способ заключается в том, что при воздействии постоянного магнитного поля со значениями индукции B=0,5-210-3 Тл на математическую модель, построенную на основе парамагнитных свойств кристаллических зародышей в двухфазовой области "структ...

2095493

Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния включает приготовление исходной шихты, содержащей 50% кремния, легированного фосфором, с удельным электрическим сопротивлением 0,8-3,0 Ом·см, или бором, с удельны...

2250275

Устройство для получения монокристаллов

Устройство относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов управляемого состава, используемых в полупроводниковой промышленности. Устройство для получения монокристаллов включает рабочую камеру, муфту с зажимами, печь с кольцевым нагревателем, кристаллизационный сосуд с теплоотводящим стержнем, обогреваемые сосуды для испарения летучих компонентов с...

2283904

Устройство для получения монокристаллов

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов, используемых в полупроводниковой промышленности. Устройство для получения монокристаллов включает рабочую камеру, муфту с зажимами, печь с кольцевым нагревателем, кристаллизационный сосуд с теплоотводящим стержнем, обогреваемые сосуды для испарения летучих компонентов с трубопроводами для...

2328559

Способ получения монокристаллов и устройство для его осуществления

Изобретение может быть использовано при получении полупроводниковых соединений. Монокристаллы бинарных и тройных соединений на основе серы, селена и теллура получают путем направленной кристаллизации из расплава или раствора-расплава в устройстве, включающем двухзонную печь, расположенную вертикально, состоящую из верхней 1 и нижней 2 печей. Расплав или раствор-расплав 12 помещен в тигель 10, скр...

2456385

C30B11/06 - добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции

Патенты в этой категории