Способ контроля качества проработки элементов топологии

Способ контроля качества проработки элементов топологии

Реферат

 

Назначение: изобретение относится к электронной технике и направлено на создание неразрушающего метода контроля качества проработки линий в проводящем маскирующем материале на диэлектрической подложке. Сущность изобретения: сканирование контролируемой линии сфокусированным электронным зондом, регистрация сигнала вторичных электронов, эмитированных из поверхности, сканируемой электронным зондом, формирование видеосигнала на экране электронно-лучевой трубки ЭЛТ и визуальная оценка качества, проработки линии, причем сканирования проводят электронным зондом, падающим по нормали к поверхности, на которой сформирована линия, причем линию ориентируют вдоль направления, параллельного направлению строчной развертки на экране ЭЛТ, и в качестве визуального критерия проработки линии берут большую яркость ее изображения на экране ЭЛТ по сравнению с яркостью изображения окружающего ее зонда от непроработанного маскирующего слоя.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля качества проработки линий рисунка в проводящем маскирующем слое на диэлектрической подложке, например на кварцевых фотошаблонах с хромовым покрытием. Целью изобретения является повышение достоверности контроля при одновременном упрощении его. Как показывает опыт работы на РЭМ, нормальное падение электронного зонда на диэлектрическую подложку через вскрытое в проводящем маскирующем слое окно приводит к эффективной ее зарядке во вскрытой области и, как следствие, более яркому контрасту на экране ЭЛТ. Размещение контролируемой линии вдоль направления строчной развертки увеличивает временное проявление эффекта вспыхивания проработанной линии на экране ЭЛТ, что обеспечивает возможность визуального контроля яркости контраста. Поскольку даже тонкий (до 100 100 ) слой проводящего покрытия убирает эффект вспыхивания при прохождении электронным зондом области вскрытого диэлектрика, то критерий большей яркости проработанной линии в проводящем покрытии на диэлектрике позволяет говорить об отсутствии проводящего слоя в проработанной области. П р и м е р. Проверка возможности метода контроля проработки линий в проводящем покрытии на диэлектрической подложке проводилась на фотошаблонах для фотографии, представляющих из себя кварцевую подложку квадратной формы (102 х 102 мм) толщиной 3 мм, на одну из поверхностей которой нанесено хромовое маскирующее покрытие толщиной 0,1 мкм, в котором и формировались линии. Для экспериментов использовался растровый электронный микроскоп, обладающий диапазоном ускоряющих напряжений от 2 до 30 кВ, с диаметром электронного зонда до 0,02 мкм. Система объектодержателя РЭМ обеспечивает нормальное падение электронного зонда на поверхность контролируемого объекта, а система регистрации видеосигнала дает возможность визуализировать его на экране дисплея в диапазоне увеличений от 200 до 100000 крат. Проработка линий в хромовом покрытии фотошаблона осуществлялась с помощью ионно-лучевого травления. Контроль качества травления проводился на РЭМ при увеличении 10⁹, ускоряющем напряжении 8-30 кэВ. Фотошаблон размещался в специальном объектодержателе так, что формируемые линии были параллельны направлению строчной развертки на экране дисплея РЭМ. Контроль проработки линий с помощью РЭМ начинался после того, как визуально наблюдалось удаление хрома на больших площадях (20 х 20 мм). После этого дважды проводилось дотравливание в течение 7 мин до тех пор, пока после второго дотравливания при контроле в РЭМ наблюдаемые линии шириной 2-4 мкм не стали ярко выделяться на экране ЭЛТ. Технико-экономическая эффективность предлагаемого изобретения по сравнению с прототипом заключается в том, что он обеспечивает неразрушающий контроль качества проработки линий в проводящем маскирующем слое на диэлектрической подложке. К таким объектам относятся, в частности, фотошаблоны для литографии, применяемые в электронной промышленности.

Формула изобретения

СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПРОРАБОТКИ ЭЛЕМЕНТОВ ТОПОЛОГИИ в проводящем слое на диэлектрической подложке, включающий сканирование поверхности с контролируемой линией сфокусированным электронным зондом, регистрацию сигнала вторичных электронов, эмитированных поверхностью, формирование видеосигнала на экране электронно-лучевой трубки и визуальную оценку качества проработки, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля при одновременном его упрощении, сканирование проводят электронным зондом, направленным перпендикулярно к поверхности, причем контролируемый элемент топологии ориентируют параллельно строчной развертке на экране, а в качестве визуального критерия качества проработки используют яркость изображения.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 29-2000

Извещение опубликовано: 20.10.2000