Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n- -ni-слоях арсенида галлия

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n- -ni-слоях арсенида галлия

Реферат

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n^--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n^--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом облучение проводят интегральным потоком дейтронов (1-7) 10¹² см^-2, а затем структуру подвергают термообработке при температуре 500-530^oC.