Способ изготовления арсенидгаллиевых структур
Патент 1820784
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления арсенидгаллиевых структур
Реферат
Способ изготовления арсенидгаллиевых структур, включающий имплантацию кремния в подложку из арсенида галлия, импульсный отжиг и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения неуправляемого уширения профиля легирования и снижения удельного сопротивления подложки, охлаждение осуществляют со скоростью не более 250oС/с.