Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка

Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: светочувствительные структуры могут быть использованы в качестве мишеней передающих телевизионных трубок. Сущность: методом термического испарения на стеклянную подложку, с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-300° С, напыляют слой ZnSe толщиной 0,1-0,2 мкм, проводят напыление слоя твердого раствора (Zno.Cdo,3Te)o,99

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУбЛИК (5()л Н 01 1 21/203

ГОСУДАPСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОбРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

30Е668НМ

979TI5 - ПТЯ1ЕФИ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (21) 4943284/25 (22) 05.06.91 (46) 30.06.93. Бюл, N. 24 (71) Ленинградский технологический институт им. Ленсовета (72) А.П.Беляев, В.П.Рубец и И.П.Калинкин (73) А.П.Беляев (56) S.Fujlwara, Е.Така а, Е.Takeda, К.Уапо, Y.Aokl, К.Sadamatsu, l.Yamamato

"Newcosvicon" for Slngl — Tube Color

Cameras — National Techical Report, ч. 28, Na.

2., 1982, р. 52-61.

S.Eujlwara, Т.Chlkamura, М.Fukal The

hetегоjanCtiOn ZnSe — ((2П1-х)Сб» ТЕ)1-у (3пгТез)У having high sensitivity in hte vislbe

light rauge and Its applications -Journal of

Crystal Growth, ч. 61, 1983. р. 567-575, (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДОВ КАДМИЯ И ЦИНКА

Изобретение относится к области получения материалов для оптоэлектроники: мишеней передающих трубок, фоточувствительных элементов.

Целью изобретения является повышение величины тока фотоответа.

Поставленная цель достигается тем, что напыление слоя твердого раствора производят из испарителя, содержащего навеску твердого раствора (Zno7Ñdo3Te)ogg (!п20з)о.о1 массой 0.3-1,5 г, с линейно изменяемой в процессе напыления температурой от 450-500 С до 800-900 С и ри скорости изменения 0.2-1,0 град-/с.

Например, при нанесении слоя твердого раствора из испарителя с навеской

„„Я „„1825431 А3 (57) Использование: светочувствительные структуры могут быть использованы в качестве мишеней передающих телевизионных трубок. Сущность: методом термического испарения на стеклянную подложку,c прозрачным электродом, нагретую до температуры 150 — 300 С, напыляют слой ZnSe толщиной 0,1-0,2 мкм, проводят напыление слоя твердого раствора (Zno,7Cdo,çÒå)ogg (1п2Тез) o,ot толщиной 1,0 — 5,0 мкм из испарителя, содержащего навеску массой 0,3-1,5 г, с линейно изменяемой в процессе напыления температурой от 450-500 С до 800900 С при скорости изменения 0,2-1,0 град/с, затем проводят отжиг структуры в вакууме при температуре 500-550 С в течение 5-20 мин. t табл. (Zno,тСдо,зТе)е.gg (1п20з)е,о> массой в 1.5 г. нагреваемого m температуры 450 С до температуры 900 С со скоростью 0.5 град/с. была получена мишень с током фотоответа при облученности в 0.5 лк 0,45 мкА.

Нанесение слоев проводилось термическим напылением на установке типа ВУП-4 в вакууме 10 Па, Нанесение слоя ZnSe проводилось при температуре испарителя 900

С.

Нанесение слоя твердого раствора проводилось из испарителя, температура которого в процессе напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора. До достижения испа1825431

Формула изобретения

6

Составитель А,Беляев

Техред М.Моргентал Корректор В.Петраш

Редактор

Заказ 2235 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 рителем температуры 450ОС поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (Zno,vCdo, зТе)ол (1пзОз)о,oi. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. 3аранее определенная масса навески позволяла несколько упростить технологию.

Именно масса навески определяла толщину слоя твердого раствора, а возможность полностью распылять навеску позволяла одновременно с напылением готовить испаритель.к следующей загрузке (отпадала необходимость B отжиге испарителя перед загрузкой).

Все исходные материалы применялись в порошковом виде.

Изменяющаяся в процессе синтеза температура испарителя. вследствие разного давления насыщенного пара компонентов твердого раствора CdTe и ZnTe, приводила к переменному по составу потоку в процессе синтеза, падающему на подложку. При относительно низких температурах испарителя падающий поток оказывался обогащенным теллуридом кадмия, а при высоких — теллуридом цинка. В результате на подложке (в рассматриваемом случае на стеклянной пластине с прозрачным электродом и слоем ZnSe) синтезировалась структура с определенной конфигурацией потенциального рельефа зон. Внутренне поле структуры способствует разделению зарядов, возникающих при облучении предлагаемой структуры светом со стороны стеклянной

5 подложки. Повышенная эффективность разделения зарядов способствует повышению величины тока фотоответа.

Измерение тока фотоответа проводилось методом видикона.

Способ поясняется таблицей.

Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка, включающий последовательное напыление методом термического испарения слоев 2пЯе толщиной 0,1-0,2 мкм и твердого

2р раствора (Zn1-xCdxTe)1-у (1п2Тез)у толщиной

1,0-5,0 мкм на стеклянную подложку с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-300 С, и отжиг структуры в вакууме при температуре 500-550 С в течение5-20мин, отл ича ющийс я тем.что. с целью повышения светочувствительности структур, напыление слоя твердого раствора проводят иэ испарителя, содержащего навеску твердого раствора (Zno,xCdo,зТе)о,а

30 (1пгТез)о,о массой 0,3-1,5 г, с линейно изме-: няемой в процессе напыления температу- " рой от 450-500 С до 800-900 С при скорости изменения 0,2 — 1,0 град/с.