H01L21/203 - физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием

Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину

1-. - . Д1т библиотек ),,.;вЂ” И С А H ii О П ИЗОБРЕТЕН ИЯ 355697 Союз Соеетски) Социалистикескиз Реслувлиз К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства Ке Заявлено 14.IV.l 969 (М 1325(!09 26-25) М. Кл. Н 01/ 7)64 с присоединением заявки No Приоритет Опубликовано 16.Х.1972. Бюллетень Х 31 Дата опубликования описаш1я 20.ХI.1972 Комитет ло пелен изойретений и о...

355697

Кассета для химическо% обработки изделий

1t,. Ьсйсоюзнйя у 4 Щтф:.эъ ну с . ни юо зувй ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (i1 5033I9 Союз Сооетсюц Социалистический Республик (61) Дополнительное. к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.11.74 (21) 2076360/26-25 (51) М. Кл. Н 01L 21, 203 с присоединением заявки № Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опуб...

503319

Способ получения полупроводниковых варизонных гетеростуктур

Союз Советсник Социалистических Республик (63) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 15. 02. 78(21) 2580579/2б-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 2 31080.Бюллетень ¹ 3 9 Дата опубликования описания 25.1080 Н 01 L 21/203 Государственный комитет СССР ио делам изобретений н открытий {53) УД)(б21 ° 382 (088. 8) (72) Авторы изобретения Л. N. Панасюк и...

773792

Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов

СООЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК . „„SU„„1484191 А1 (5l)5 Н 01 1. 21/203 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ Н А BTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ но, н частности, для изготовления сверхрешеток. Цель изобретения вЂ” повышение однородности пленки по стекиометрнческому составу, по толшин», ио в1опп1дп ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (46) 15. 12. 92 Бюл. Р 1...

1484191

Способ ионной обработки изделий

Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т. д. Целью изобретения является повышение стехиометричности состава при осаждении распыленного материала. Для этого распыляемую мишень и подложку устанавли...

1632088

Способ получения пленок с @ i @ s @

Использование: может быть использовано при создании полупроводниковых приборов с потенциальным барьером. Сущность изобретения: осаждают CulnSe2 методом термического испарения на нагретую подложку, причем испарение проводят для получения слоя n-типа проводимости при температуре испарителя 980-1130°С и для получения слоя р-типа проводимости при 1140-1250°С, а темпер...

1807531

Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка

Использование: светочувствительные структуры могут быть использованы в качестве мишеней передающих телевизионных трубок. Сущность: методом термического испарения на стеклянную подложку, с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-300° С, напыляют слой ZnSe толщиной 0,1-0,2 мкм, проводят напыление слоя твердого раствора (Zno.Cdo,3Te)o,99 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ...

1825431

Способ получения алмазных и алмазоподобных пленок из газовой фазы

(19) RU (11) (S1)S НО11.И гЕЗ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К ПАТЕНТУ " & j if)g f Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 5007516/25 (22) 01 11.91 (46) 1511.93 6юп. Мв 41-42 (71) Инженерный центр "Плазмодинамика" (72) Кулик П.П„Зорина ЕН.. Иванов 8.8.; Джон Андерсен Гей(6В} (73) Инженерный центр Ппазмодинамика" {54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИПИАЗНЫХ И АЛВВЗОПОДОЬНЫХ П...

2003200

Способ определения скорости роста полупроводниковых пленок и устройство для его осуществления

Сущность: генератор 9 синхронно с вращением подложкодержателя 4 вырабатывает импульсы, отпирающие пушку 5 быстрых электронов, которая вырабатывает импульсы с периодом, равным периоду вращения подложки. Дифрагированный пучок электронов регистрируется детектором 6. Фильтр 10 выделяет из зарегистрированного детектором 6 дискретного сигнала низкочастотную составляющую, несущую информацию об и...

2011973

Способ получения квантово-размерных полупроводниковых структур

Использование: при изготовлении квантово-размерных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ включает формирование квантово-размерных областей в процессе выращивания структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование производят посредством монохроматизации и фокусировки пучка атомов легирующей примеси с последующим направлением пучка атомов на дифракционный элемен...

2053582

Способ получения гетероэпитаксиальных структур in sb/ga as

Использование: изобретение может быть использовано в производстве интегральных схем и приборов оптоэлектроники. Сущность изобретения: способ включает выращивание на полупроводниковой подложке из GaAS буферного слоя GaAS и последующую эпитаксию слоя lnSb в 3 стадии - твердофазная эпитаксия аморфного слоя, осажденного при комнатной температуре, низкотемпературная и высокотемпературная эпита...

2063094

Способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996

Использование: в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, а именно технология получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых...

2065223

Способ управления процессом получения эпитаксиальной полупроводниковой структуры

Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка. Предварительно...

2132583

Испарительный тигель

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах. Сущность изобретения: в испарительном тигле, содержащем объем для испаряемого вещества и закрепленный на его горловине сепарирующий элемент, сепарирующий элемент выполнен в виде вставки с винтовым каналом. Использо...

2133308

Способ изготовления микромеханических приборов

Использование: в технологии изготовления микромеханических приборов, в частности микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур. Способ предусматривает изготовление микромеханических приборов из кремнийсодержащей полупроводниковой структуры, предусматривающий нанесение на подложку пленки из проводящего монокристаллического кре...

2137249

Источник атомарного водорода для молекулярно-лучевой эпитаксии

Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, сре...

2148871

Оптоэлектронный материал, устройство для его использования и способ изготовления оптоэлектронного материала

Сущность изобретения: оптоэлектронный материал содержит однородную среду с управляемой электрической характеристикой и полупроводниковые сверхмелкозернистые частицы, диспергированные в упомянутой среде. Сверхмелкозернистые частицы имеют средний размер частиц 100 нм или менее, а упомянутая среда имеет специфическое сопротивление приблизительно такое же или больше, чем у полупроводниковых с...

2152106

Установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках

Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содер...

2158986

Микромеханический прибор и способ его изготовления

Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных цен...

2170993

Способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния

Использование: в области наноэлектроники для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния заключается в том, что отжиг вицинальной поверхности кр...

2210836

Буля нитрида элемента iii-v групп для подложек и способ ее изготовления и применения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида эле...

2272090

Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и пе...

2305723

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия

Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения: в качестве материалов подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия используют интерметаллические соединения, выбранные из группы, состоящей из арсенида...

2308784

Способ получения зондов с углеродными нанотрубками

Изобретение относится к области вакуумной техники и технологии получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанонотрубки на кончике зондов, которые применяются в зондовой микроскопии для прецизионного сканирования. Способ получения зондов с углеродными нанотрубками осуществляется путем нанесения углеродных пленок с нанотрубками методом магнетронного распыления в вакууме при постоянном...

2369938

Порошок moo2, способы изготовления пластины из порошка moo2 (их варианты), элемент и способ изготовления тонкой пленки из нее, способ распыления с применением указанной пластины

Изобретение может быть использовано при изготовлении органических светоизлучающих диодов, жидкокристаллических дисплеев, плазменной дисплейной панели, тонкопленочного солнечного элемента и других электронных и полупроводниковых устройств. Предложен элемент, включающий мишень ионного распыления, где эта мишень включает обработанную пластину из MoO2 высокой чистоты. Способ изготовления такой пласти...

2396210

H01L21/203 - физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием

Патенты в этой категории