Установка группового ионного легирования полупроводниковых пластин

Установка группового ионного легирования полупроводниковых пластин

Реферат

 

Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: установка ионного легирования содержит систему вертикального электростатического сканирования и горизонтально вращающийся барабан, на боковой поверхности которого располагают пластины. Между сканирующим устройством и барабаном расположена маска, имеющая щелевидное окно. Щель имеет переменную в вертикальном направлении ширину. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе технологии ионного легирования. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей известного устройства для группового ионного легирования полупроводниковых пластин. Легирование полупроводниковой пластины через установленную таким образом на пути ионного пучка щелевую маску переменной ширины позволяет на одной пластине полупроводниковые приборы, различающиеся по классификационному электрическому параметру, зависящему от дозы имплантированных ионов, в несколько раз быстрее при обработке в устройстве. С другой стороны, получение полупроводниковых приборов с различной дозой имплантированных ионов в известном устройстве с использованием щелевой маски переменной ширины расширяет функциональные возможности известного устройства группового ионного легирования полупроводниковых пластин. Суть изобретения поясняется чертежом. На приемном барабане 1 горизонтального вращения укрепляют полупроводниковые пластины 2. Через установленную вертикально щелевую маску 3 переменной ширины, максимальный размер щели которой не превышает диаметр ионного пучка с помощью отклоняющихся пластин 4 системы вертикального электростатического сканирования осуществляют сканирование ионного пучка 5 по поверхности полупроводниковых пластин 2. Таким образом, проводят ионное легирование и на одной пластине получают полупроводниковые приборы с различными классификационными электрическими параметрами, зависящими от дозы имплантированной примеси. П р и м е р. Проводилось ионное легирование полупроводниковых пластин, содержащих полевые транзисторы типа 2П-305. Зависимость сдвига порогового напряжения этих транзисторов от имплантированной в канал дозы ионов фосфора к приведенной в аналоге, составляет примерно 0,43 В на 10¹¹ ион/см². Классификационным параметром, зависящим от дозы легирования, валяется напряжение на затворе, обеспечивающее протекание заданной величины тока в канале при установленном значении напряжения на стоке и "заземленном" истоке. Использование предлагаемого устройства позволило три раза уменьшить число циклов легирования, т.е. сократить трудоемкость изготовления приборов 2П-305.

Формула изобретения

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

РИСУНКИ

Рисунок 1