Способ выращивания монокристаллических слоев

Способ выращивания монокристаллических слоев

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I84808

СПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соита Сосетсхих

Социалистииесинх

Респт0лии

"й"Ъ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 12с, 2

40с1, 3/00

Заявлено 15.XI1.1964 (№ 933370/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25.IV.1969. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 12.IX.1969

МПК В 01(j

С 22f

УДК 621,9.416(088.8) комитат по папа@ иаобоетеиий н отиоытиЙ при Совете Мннистроа

СССР

Авторы изобретсния

А. Г. Клименко и Э. А. Клименко

Заявитель Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ

ПОЛ УП РОВ ОДН И КО В

Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча. Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.

Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка

10 " мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводника,,в зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.

На чертеже .показано устройство для реализации способа.

Ориентированную флюоритовую подложку

l, размещенную на танталовом держателе 2, нагревают в цилиндрическом спиральном нагревателе 8 до температуры, близкой к 700 С в течение 40 мин.

Подложка связана молибденовым штоком 4 со,свинцовым грузиком 5 весом около 3 г и системой магнитного движителя 6. Одновременно навеску полупроводника 7, находящуюся на сапфировой матрице 8, расплавляют танталовым нагревателем 9 вплоть до образований капли. Затем ориентированную подложку опускают с высоты порядка 2 см на каплю кристаллизующегося вещества. При этом про5 исходит кристаллизация эпитаксиального слоя и перепечатывание его на нейтральную поверхность матрицы, например сапфировую или керамическуюую.

Процесс разравнивания капель и кристалли10 зации слоя происходит в течение 1 сек, после чего проводят отжиг слоя при температуре, близкой к 700 С.

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллических слоев полупроводников, например германия, методом жидкостной эпитаксии, осуществляемой в зазоре между плоско-параллельными по20 верхностями подложек, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на подложке неэпитаксиальной кристаллизующемуся веществу, производят перепечатывание слоя с ориентированной подложки, например флюоритовой, 25 на поверхность подложки-матрицы из материала с коэффициентом расширения, близким к полупроводнику, например сапфира, в вакууме

5 10 — < — 5 10 т мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводника, 184808

Составитель Т. 14. Ухорская

Редактор И. Каркас Техред Л. К. Малова Корректор Е. Н. Зелкииа

Заказ 2152,4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2