Фланец для полупроводниковых элементов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Сооетскил
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 02.VI 1.1962 (№ 786158/25-27) Кл, 21g, 11/02
49h, 35/02 с присоединением заявки №
Приоритет
МПК Н 01/
В 23k
УДК 621.315.592:621..791.12 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 03.Х.1966. Бюллетень № 19
Дата опубликования описания 3.Х.1966
Авторы изобретения
В. И. Зотов, Н. М. Аснин и Г. А. Дроздов
Заявитель
ФЛАНЕЦ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Известны фланцы для полупроводниковых приборов, содержащие плоскость для монтажа полупроводниковых переходов, разгрузочную канавку для локализации деформации при сварке и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке, Описываемый фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке. Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртика
На чертеже изображен предлагаемый фланец.
Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 8. Поверхность 4 разгрузочной канавки и поверхность 5 сварочного буртика параллельны одна другой, и расстояние между ними не превышает 0,1 толщины буртика.
Предмет изобретения
Фланец для полупроводниковых элементов с плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную канавку и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке давлением, отличаютцийся тем, что, с целью уменьшения веса фланца и локализации нагрузок, возникающих при холодной сварке, нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртика.
)86567 ,S
Составитель A. Савостин
Редактор Л. М. Жаворонкова Техред Ц. Я. Бриккер Корректоры: А. Е. Марисич и C. Н. Соколова
Заказ 3383/2 Тираж 3175 Формат бум. 60)(90 !e Объем 0,1 изд. л. Подписное
1Ц1ИЛПР1 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва,Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2