Чувствительные к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью и способ изменения диэлектрической проницаемости

Чувствительные к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью и способ изменения диэлектрической проницаемости

Реферат

Область техники

Данное изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, к способу формирования модели диэлектрической проницаемости, к модели диэлектрической проницаемости и к устройству, имеющему модель диэлектрической проницаемости. Более конкретно, изобретение относится к новым чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, которые могут обеспечивать модель диэлектрической проницаемости, для применения в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат, к способу формирования модели диэлектрической проницаемости, к модели диэлектрической проницаемости и к устройству, имеющему модель диэлектрической проницаемости.

Уровень техники

В настоящее время проводится техническая разработка, направленная на снижение длины разводки, диэлектрической проницаемости промежуточной пленки и длительности строб-импульса, для того, чтобы увеличить быстродействие полупроводниковых приборов. Технология монтажа интегральных схем для создания пригодного состояния системы с одновременным сохранением эффективности полупроводника находится далеко позади указанных разработок. В настоящее время осуществляется пересмотр технологии монтажа интегральных схем с тем, чтобы соответствовать указанным разработкам. Например, предпринимаются попытки снизить длину разводки и диэлектрическую проницаемость промежуточной пленки в сфере технологии монтажа интегральных схем.

В обычных методах монтажа эффективность ИС памяти достигается размещением конденсатора пути или конденсатора входа/выхода рядом с терминалом ИС. Однако возникает необходимость в размещении этих элементов рядом с элементом для повышения быстродействия, и в настоящее время проводятся исследования, направленные на то, как разместить пассивный элемент, который расположен далеко от ИС, как можно ближе к ИС с целью снижения длины разводки для увеличения быстродействия. Поэтому особое внимание уделяется структуре подложки, такой как «встроенный пассивный элемент».

В представленном выше методе монтажа для получения распределения, имеющего разность между двумя различными диэлектрическими проницаемостями, сначала получают один материал, затем на всю поверхность первого материала наносят другой материал, имеющий другую диэлектрическую проницаемость. Затем излишнюю часть нанесенного материала удаляют травлением после структурирования с фоточувствительным материалом. Так как данный метод требует большого количества стадий, а полученная пленка сильно варьируется по толщине, в качестве материала, на который наносят другой материал, желательно применять материал, который дает пленку с высокой степенью однородности по толщине.

Поскольку интеграция становится выше, материал с более низкой диэлектрической проницаемостью необходим для промежуточной изолирующей пленки, применяемой для предотвращения задержки, вызываемой передачей информации между разводками в блоках высоко интегральных схем. До сих пор проводятся исследования, направленные на снижение диэлектрической проницаемости, с применением органических и неорганических материалов. Например, снижение диэлектрической проницаемости посредством применения пористых материалов описано в Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.511, 105 (1998); Electrochemical and Solid-State letters, Vol.2, 77 (1999); Proc. DUMIC Santa Clara, 25 (1998); в сборнике схем для 61^ого лектория общества Applied Physics Society, 4a-P4-20 (2000); в сборнике схем для 61^ого лектория общества Applied Physics Society, 4a-P4-27 (2000); в Proc. of the 2000 IITC, 143 (2000) и подобных. Снижение плотности благодаря применению пористых материалов делает возможным получение пленки, имеющей диэлектрическую проницаемость 2 или менее. Однако поскольку снижение плотности пленки оказывает непосредственное влияние на снижение прочности пленки, хотя это и позволяет снизить диэлектрическую проницаемость пленки, желательно получение промежуточной изолирующей пленки, имеющей более высокую прочность, чем обычные промежуточные изолирующие пленки.

Между тем исследования, направленные на снижение емкости разводок посредством применения полых структур, содержащих воздух, которые имеют самую низкую диэлектрическую проницаемость, в качестве структур высоко интегральных схем, описаны в JP-A 63-268254 (термин «JP-A» в контексте данного изобретения означает «выкладку не прошедшей экспертизы заявки на патент Японии»); Microprocessor report, Aug. 4, 14 (1997); Symp. On VLSI Technology, 82 (1996); DUMIC Conference, 139 (1997); IEEE Electron Device Letters, Vol.19, No. 1, 16 (1998) и подобных. Однако такие полые структуры создают множество проблем при их получении, например для их сборки требуется крайне высокая точность, и поэтому такие структуры до сих пор не применяются.

Краткое описание изобретения

Данное изобретение создано с учетом описанной выше ситуации в известном уровне техники.

То есть объектом данного изобретения является обеспечение чувствительной к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, диэлектрическая проницаемость которой может быть изменена простым способом, и которая имеет достаточно большую разницу между измененной диэлектрической проницаемостью и исходной диэлектрической проницаемостью, и которая может обеспечивать модель диэлектрической проницаемости, которая является стабильной независимо от условий применения.

Другим объектом данного изобретения является обеспечение чувствительной к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, которая обеспечивает модель диэлектрической проницаемости, имеющей большое количество пор, образованных при облучении и остающейся стабильной, и имеющей значительную прочность, несмотря на большое количество пор.

Еще одним объектом данного изобретения является обеспечение способа формирования модели диэлектрической проницаемости из указанной выше композиции в соответствии с данным изобретением.

Еще одним объектом данного изобретения является обеспечение модели диэлектрической проницаемости, полученной указанным выше способом в соответствии с данным изобретением, или устройства, имеющего модель диэлектрической проницаемости.

Другие объекты и преимущества данного изобретения станут очевидны из нижеследующего описания.

В соответствии с данным изобретением, во-первых, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются с помощью чувствительной к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащей (А) расщепляющееся соединение, (В) не расщепляющееся соединение, (С) чувствительное к излучению вещество, вызывающее расщепление, и (D) стабилизатор.

В соответствии с данным изобретением, во-вторых, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются способом формирования модели диэлектрической проницаемости, включающим стадии облучения чувствительной к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, включающей (А) расщепляющееся соединение, (В) не расщепляющееся соединение, (С) чувствительное к излучению вещество, вызывающее расщепление, и (D) стабилизатор, и нагревания ее для взаимодействия стабилизатора (D) с расщепляющимся соединением (А).

В соответствии с данным изобретением, в-третьих, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются способом формирования модели диэлектрической проницаемости, включающим стадии облучения материала с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, включающего (А) расщепляющееся соединение, (В) не расщепляющееся соединение, (С) чувствительное к излучению вещество, вызывающее расщепление, и обработки его стабилизатором (D).

В соответствии с данным изобретением, в-четвертых, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются способом формирования модели диэлектрической проницаемости, включающим стадии облучения через шаблон материала с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, включающего (А) расщепляющееся соединение, (В) не расщепляющееся соединение, (С) чувствительное к излучению вещество, вызывающее расщепление, и нагревания его до расщепления расщепляющегося соединения в необлученных областях.

В соответствии с данным изобретением, в-пятых, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются с помощью модели диэлектрической проницаемости, формируемой указанным выше способом получения модели диэлектрической проницаемости.

В соответствии с данным изобретением, в-шестых, указанные выше объекты и преимущества данного изобретения достигаются с помощью устройства, имеющего указанную выше модель диэлектрической проницаемости.

В контексте данного изобретения термин «модель диэлектрической проницаемости» означает материал с распределением диэлектрической проницаемости, состоящий из областей, имеющих различную диэлектрическую проницаемость.

Каждый из компонентов материала с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, применяемого в способе формирования модели диэлектрической проницаемости в соответствии с данным изобретением, подробно описан ниже.

(А) Расщепляющееся соединение

Расщепляющееся соединение (А), применяемое в соответствии с данным изобретением, может быть расщепляющимся кислотой соединением или расщепляющимся основанием соединением.

Расщепляющееся кислотой соединение выбирают из соединений, имеющих, по крайней мере, одну из структур, представленных следующими формулами (1)-(6) и (10). Такие соединения могут применяться в чистом виде или в сочетании двух или более соединений.

(В формуле (1) R¹ является алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой или ариленовой группой и R² является алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, ариленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой.)

(В формуле (2) М является Si или Ge, R³ является алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, ариленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой, R⁴ является атомом кислорода, алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, ариленовой группой или одинарной связью, R⁵, R⁶, R⁷ и R⁸, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной группой, арильной группой, алкоксигруппой или тиоалкильной группой, и m является целым числом от 0 до 2.)

(В формуле (3) R⁹ и R¹⁰, каждый независимо, является алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, ариленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой.)

(В формуле (4) R¹¹ является оксиалкиленовой группой или одинарной связью и R¹² является атомом водорода, алкильной группой, алкиленариленалкиленовой группой или арильной группой.)

(В формуле (5) R¹³ является атомом водорода, алкильной группой или арильной группой).

(В формуле (6) R¹⁴ является алкиленовой группой или структурой, представленной следующими формулами (7), (8) или (9).)

(В формуле (7) R¹⁵, R¹⁶, R¹⁷ и R¹⁸, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода, атомом хлора, атомом брома, атомом йода, гидроксильной группой, меркаптогруппой, карбоксильной группой, алкоксильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, алкилтиогруппой, имеющей 1-6 атомов углерода, галоалкильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, галоалкоксильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, галоалкилтиогруппой, имеющей 1-6 атомов углерода, гидроксиалкильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, меркаптоалкильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, гидроксиалкоксильной группой, имеющей 1-6 атомов углерода, меркаптоалкилтиогруппой, имеющей 1-6 атомов углерода, арильной группой, имеющей 6-10 атомов углерода, или аралкильной группой, имеющей 7-11 атомов углерода.)

-O-R¹⁹-O- (8)

(В формуле (8) R¹⁹ является алкиленовой группой.)

-NH-R²⁰-NH- (9)

(В формуле (9) R²⁰ является алкиленовой группой.)

(В формуле (10) R²¹ является алкиленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой или ариленовой группой.)

Расщепляющиеся кислотой соединения, имеющие структуры, представленные указанными выше формулами (1)-(6) и (10), расщепляются под действием кислоты, вырабатываемой из чувствительного к излучению вещества, вызывающего кислотное расщепление при облучении. Низкомолекулярное соединение, образующееся при расщеплении, представляет собой соединение, такое как углекислый газ, которое является газообразным при обычной температуре, или соединение, которое может испаряться или сублимироваться в виде газа при обработке при повышенной температуре. После рассеивания газа образуются поры.

В качестве расщепляющегося кислотой соединения (А) может быть использована (i) фенольная смола, имеющая, по крайней мере, две фенольные гидроксильные группы и, по крайней мере, две фенильные группы в молекуле, где, по крайней мере, одна из фенольных гидроксильных групп образует группу нафтохинондиазидосульфонилового сложного эфира, такую как группу 1,2-нафтохинондиазидо-5-сульфонилового эфира, (ii) новолачная фенолформальдегидная смола, имеющая, по крайней мере, одну фенольную гидроксильную группу, образующую группу нафтохинондиазидосульфонилового сложного эфира, такую как группу 1,2-нафтохинондиазидо-5-сульфонилового эфира, (iii) фенольная смола, имеющая, по крайней мере, две фенольные гидроксильные группы и, по крайней мере, две фенильные группы в молекуле, где, по крайней мере, одна из фенольных гидроксильных групп защищена расщепляющейся кислотой защитной группой, (iv) новолачная фенолформальдегидная смола, имеющая, по крайней мере, одну фенольную гидроксильную группу, защищенную расщепляющейся кислотой защитной группой, и (v) смола, содержащая карбоксильную группу, имеющую, по крайней мере, одну карбоксильную группу, защищенную расщепляющейся кислотой защитной группой.

Смолы (i)-(v) могут применяться в чистом виде или в сочетании двух или более.

Описанные выше расщепляющиеся кислотой соединения (i)-(v) расщепляются под действием кислоты, образующейся из чувствительного к излучению вещества, вызывающего кислотное расщепление при облучении, с получением фенольной смолы, новолачной фенолформальдегидной смолы или смолы, содержащей карбоксильную группу, все из которых являются растворимыми в щелочи смолами. Полученные растворимые в щелочи смолы удаляют экстракцией щелочным водным раствором, и после экстракции образуются поры. Поэтому, поскольку экстракцию щелочным водным раствором проводят, когда в качестве компонента (А) применяется любое из расщепляющихся кислотой соединений (i)-(v), полимер, нерастворимый в щелочном водном растворе, например полимер, не имеющий карбоксильных групп или фенольных гидроксильных групп, предпочтительно применяют в качестве компонента (В), а именно в качестве не расщепляющегося кислотой соединения.

Расщепляющееся основанием соединение выбирают из соединений, имеющих, по крайней мере, одну из структур, представленных следующими формулами (11)-(13) и (14). Данные соединения могут применяться в чистом виде или в сочетании двух или более.

(В формуле (11) R²² является алкиленовой группой, аралкиленовой группой или ариленовой группой, R²³ является алкиленовой группой, аралкиленовой группой, ариленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой, R²⁴, R²⁵, R²⁶ и R²⁷, каждый независимо, являются атомом водорода, алкильной группой, арильной группой, алкоксильной группой или тиоалкильной группой, и i и j, каждый независимо равны, 0 или 1.)

(В формуле (12) R²⁸ является алкиленовой группой, аралкиленовой группой или ариленовой группой и R²⁹ является алкиленовой группой, аралкиленовой группой, ариленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой.)

(В формуле (13) R³⁰ и R³¹, каждый независимо, являются алкиленовой группой, аралкиленовой группой, ариленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой.)

(В формуле (14) R³² и R³³, каждый независимо, являются алкиленовой группой, аралкиленовой группой, ариленовой группой, алкиленариленалкиленовой группой, алкилсилиленовой группой или алкилгермиленовой группой.)

Каждая из описанных выше алкиленариленалкиленовых групп независимо имеет структуру, представленную следующими формулами (15) или (16):

(В формуле (15) R³⁴, R³⁵, R³⁶ и R³⁷, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода, или арильной группой, имеющей 6-10 атомов углерода, и R³⁸, R³⁹, R⁴⁰ и R⁴¹, каждый независимо, является атомом водорода, атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, арильной группой, цианогруппой или нитрогруппой.)

(В формуле (16) R⁴², R⁴³, R⁴⁴ и R⁴⁵, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода, или арильной группой, имеющей 6-10 атомов углерода, R⁴⁶, R⁴⁷, R⁴⁸, R⁴⁹, R⁵⁰, R⁵¹, R⁵² и R⁵³, каждый независимо, является атомом водорода, атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, арильной группой, цианогруппой или нитрогруппой, и А¹ является -S-, -O-, -SO₂-, -CO-, -COO-, -OCOO-, -CH₂- или -C(R⁵⁴)₂- (R⁵⁴ является алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода.)

Каждая из описанных выше ариленовых групп независимо имеет структуру, представленную следующей формулой (17):

где R⁵⁵-R⁶², каждый независимо, является атомом водорода, атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, арильной группой, цианогруппой или нитрогруппой, и А² является -S-, -O-, -SO₂-, -CO-, -COO-, -OCOO-, -CH₂- или -C(R⁶³)₂- (R⁶³ является алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода.)

Каждая из описанных выше алкилсилиленовых групп независимо имеет структуру, представленную следующей формулой (18):

где R⁶⁴, R⁶⁵, R⁶⁶ и R⁶⁷, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода, или арильной группой, имеющей 6-10 атомов углерода, A³ является -О-, алкиленовой группой или ариленовой группой и а является целым числом 0 или 1.

Каждая из описанных выше алкилгермиленовых групп независимо имеет структуру, представленную следующей формулой (19):

где R⁶⁸, R⁶⁹, R⁷⁰ и R⁷¹, каждый независимо, является атомом водорода, алкильной цепью, имеющей 1-6 атомов углерода, или арильной группой, имеющей 6-10 атомов углерода, A⁴ является -О-, алкиленовой группой или ариленовой группой и b является целым числом 0 или 1.

Каждая из указанных выше алкиленовых групп формул (18) и (19) независимо и предпочтительно является линейной, разветвленной или циклической алкиленовой группой, имеющей 1-10 атомов углерода, такой как метилен, 1,2-этилен, 1,3-триметилен или 1,10-декаметилен, и атом водорода, содержащийся в указанной группе, может быть замещен атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, арильной группой или цианогруппой.

Каждая из представленных выше алкильных групп и алкильных групп, содержащихся в указанных выше алкоксильных группах, тиоалкильных группах, группах сложного алкилового эфира и группах сложного алкилтиоэфира, независимо и предпочтительно является линейной, разветвленной или циклической алкильной группой, имеющей 1-10 атомов углерода, и атом водорода, содержащийся в указанной группе, может быть замещен атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, арильной группой или цианогруппой.

Каждая из указанных выше арильных групп независимо является фенильной группой, нафтильной группой, антраценильной группой или бифенильной группой, и атом водорода, содержащийся в указанной группе, может быть замещен атомом хлора, атомом брома, гидроксильной группой, меркаптогруппой, алкоксильной группой, тиоалкильной группой, группой алкилового сложного эфира, группой сложного алкилтиоэфира, цианогруппой или нитрогруппой.

Способы получения расщепляемых кислотой соединений, имеющих структуры, представленные формулами (1)-(6) и (10), в качестве повторяющихся групп, например в данном изобретении, известны.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (1), описаны в Polymer Bull., 1, 199 (1978), JP-A 62-136638, EP 225454, US 806597, JP-A 4-303843, JP-A 7-56354 и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (2), описаны в Macromolecules 29, 5529 (1996), Polymer 17, 1086 (1976), JP-A 60-37549 и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (3), описаны в Electrochem. Soc., Solid State Sci. Technol., 133(1) 181 (1986); J. Imaging Sci., 30(2)59 (1986); Macromol. Chem., Rapid Commun., 7, 121 (1986) и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (4), описаны в USP 3894253, JP-A 62-190211, JP-A 2-146544, Macromol. Chem., 23, 16 (1957); JP-A 63-97945, Polymer Sci., A-1, 8, 2375 (1970); USP 4247611, EP 41657, JP-A 57-31674, JP-A 64-3647, JP-A 56-17345 и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (5), описаны в Prepr. Eur. Disc Meet. Polymer Sci., Strasbourg, p. 106 (1978), Macromol. Chem., 179, 1689 (1978) и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (6), описаны в USP 3894253, USP 3940507, JP-A 62-190211 и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (10), описаны в J. Am. Chem. Soc., 54, 1579 (1932); J. Polym. Sci., 29, 343 (1958); J. Polym. Sci., Part A, Polym. Chem., 25, 3373 (1958); Macromolecules, 25, 12 (1992); Macromolecules, 20, 705 (1997); Macromolecules, 21, 1925 (1998); Macromol. Chem., Rapid Commun., 11, 83 (1990) и подобных.

Способы получения расщепляемых основанием соединений, имеющих структуры, представленные формулами (11)-(14) в качестве повторяющейся группы, также известны.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (11), описаны в Macromol. Chem., Rapid Commun., 5, 151 (1984); Macromol. Chem., 189, 2229 (1988); Macromol. Chem., 187, 2525 (1986); Polym. J., 22, 803 (1990) и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (12), описаны в J. Polym. Sci., 47, 1523 (1993); J. Appl. Polym. Sci., 35, 85 (1985); J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed., 22, 1579 (1984); J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed., 14, 655 (1976); J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed., 17, 2429 (1979) и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (13), описаны в J. Macromol. Sci. Chem., A9, 1265 (1975) и подобных.

Способы получения соединений, имеющих структуру, представленную формулой (14), описаны в Polym. Bull., 14, 85 (1985); Macromol. Chem., 189, 1323 (1988) и подобных.

Количество повторяющихся единиц расцепляемого соединения (А) предпочтительно составляет от 1 до 5000.

(В) Не расщепляемое соединение

Не расщепляемое соединение (В), применяемое в данном изобретении, представляет собой соединение, устойчивое к кислоте или основанию. Диэлектрическая проницаемость компонента (В) может быть установлена или доведена до предпочтительного значения в соответствии с целью применения.

Не расщепляемое соединение (В) представляет собой, например, акриловую смолу, смолу на основе уретана, смолу на основе полиэфира, смолу на основе поликарбоната, смолу на основе норборнена, смолу на основе стирола, смолу на основе сульфона полиэфира, силиконовую смолу, полиамидную смолу, полиимидную смолу, смолу на основе полисилоксана, смолу на основе фтора, смолу на основе полибутадиена, смолу на основе простого винилового эфира, смолу на основе сложного винилового эфира, полимер на основе полиарилового эфира, полимер на основе полиарилена, полимер на основе полиамида, полимер на основе полиимида, полиэтилен, полипропилен, полимер на основе поликарбоната, полимер на основе полиарилата, полимер на основе полиамида, полимер на основе полиамидимида, полимер на основе полисульфона, полимер на основе сульфона полиэфира, полимер на основе полиэфиркетона, полимер на основе полифениленсульфида, полимер на основе простого полиэфиримида, полимер на основе полиамидимида, полимер на основе сложного полиэфиримида, полимер на основе модифицированного оксида полифенилена, полимер на основе полибензооксазола, полимер на основе полиакрилловой кислоты, полимер на основе малеимида, смола на основе хинолина, смола на основе бензоциклобутена, смола на основе Парилена, эпоксидная смола, акриловая смола, новолачная фенолформальдегидная смола, стирольная смола, фенолоальдегидный полимер, полимочевина, смола на основе изоцианата, бисмалеимидная смола, цианатная смола, смола на основе углеводорода, нанопены, органические SOG, термореактивные РРЕ смолы и смолы, которые получают замещением некоторых или всех атомов водорода атомами фтора, такие как полимер на основе фторида кремния, полимер на основе циклоперфторированного углеводорода, фторированный углерод, перфторвиниловый простой эфир, Тефлон (зарегистрированный) или фторид фуллерена.

Характерные примеры не расщепляемого соединения (В) включают следующие полимеры:

поливинилиденфторид, полидиметилсилоксан,

политрифторэтилметакрилат, полиоксипропилен,

поливинилизобутиловый простой эфир,

поливинилэтиловый простой эфир, полиоксиэтилен,

поливинилбутиловый простой эфир,

поливинилпентиловый простой эфир,

поливинилгексиловый простой эфир, поли(4-метил-1-пентен),

бутират ацетата целлюлозы, поли(4-фтор-2-трифторметилстирол),

поливинилоктиловый простой эфир,

поли(винил-2-этилгексиловый простой эфир),

поливинилдециловый простой эфир, поли(2-метоксиэтилакрилат),

полибутилакрилат, поли(трет-бутилметакрилат),

поливинилдодециловый простой эфир, поли(3-этоксипропилакрилат),

полиоксикарбонилтетраметилен, поливинилпропионат,

поливинилацетат, поливинилметиловый простой эфир,

полиэтилакрилат, сополимер этилен-винилацетата,

пропионат (80%-20% винилацетат)целлюлозы,

пропионат ацетата целлюлозы, бензилцеллюлоза,

фенолоформальдегидная смола, триацетат целлюлозы,

поливинилметиловый простой эфир (изотактический),

поли(3-метоксипропилакрилат), поли(2-этоксиэтилакрилат),

полиметилакрилат, полиизопропилметакрилат, поли(1-децен),

полипропилен (атактический, плотность 0,8575 г/см³),

поли(винил-втор-бутиловый простой эфир) (изотактический),

полидодецилметакрилат, полиоксиэтиленоксисукциноил,

(полиэтиленсукцинат) политетрадецилметакрилат,

этилен-пропиленовый сополимер (EPR-каучук),

полигексадецилметакрилат, поливинилформиат,

поли(2-фторэтилметакрилат), полиизобутилметакрилат,

этилцеллюлоза, поливинилацеталь, ацетат целлюлозы,

трипропионат целлюлозы, полиоксиметилен, поливинилбутираль,

поли(н-гексилметакрилат), поли(н-бутилметакрилат),

полиэтилидендиметакрилат, поли(2-этоксиэтилметакрилат),

полиоксиэтиленоксималеоил,

(полиэтиленмалеат)поли(н-пропилметакрилат),

поли(3,3,5-триметилциклогексилметакрилат), полиэтилметакрилат,

поли(2-нитро-2-метилпропилметакрилат),

политриэтилкарбинилметакрилат, поли(1,1-диэтилпропилметакрилат),

полиметилметакрилат, поли(2-децил-1,3-бутадиен),

поливиниловый спирт, полиэтилгликолятметакрилат,

поли(3-метилциклогексилметакрилат),

поли(циклогексил-α-этоксиакрилат),

метилцеллюлоза (низкой вязкости),

поли(4-метилциклогексилметакрилат),

полидекаметиленгликольдиметакрилат, полиуретан,

поли(1,2-бутадиен), поливинилформаль,

поли(2-бром-4-трифторметилстирол), нитрат целлюлозы,

поли(втор-бутил α-хлоракрилат), поли(2-гептил-1,3-бутадиен),

поли(этил α-хлоракрилат), поли(2-изопропил-1,3-бутадиен),

поли(2-метилциклогексилметакрилат),

полипропилен (плотность 0,9075 г/см³), полиизобутен,

полиборнилметакрилат, поли(2-трет-бутил-1,3-бутадиен),

полиэтиленгликольдиметакрилат, полициклогексилметакрилат,

поли(циклогександиол-1,4-диметакрилат),

бутилкаучук (не вулканизированный),

политетрагидрофурфурилметакрилат, гуттаперча (β),

полиэтиленовый иономер,

полиоксиэтилен (с высокой молекулярной массой),

полиэтилен (плотность 0,914 г/см³), (плотность от 0,94 до 0,945 г/см³), (плотность 0,965 г/см³),

поли(1-метилциклогексилметакрилат),

поли(2-гидроксиэтилметакрилат), поливинилхлорацетат,

полибутен (изотактический), поливинилметакрилат,

поли(N-бутилметакриламид), гуттаперча (α), терпеновая смола,

поли(1,3-бутадиен), шеллак, поли(метил α-хлоракрилат),

поли(2-хлорэтилметакрилат), поли(2-диэтиламиноэтилметакрилат),

поли(2-хлорциклогексилметакрилат), поли(1,3-бутадиен) (35% цис-формы; 56% транс-формы 1,5180; 7% 1,2-добавок),

натуральный каучук, полиаллилметакрилат,

поливинилхлорид+40% диоктилфталата, полиакрилонитрил,

полиметакрилонитрил, поли(1,3-бутадиен) (насыщенный цис-формой),

бутадиен-акрилонитриловый сополимер, полиметилизопропенилкетон,

полиизопрен, жесткая полиэфирная смола (около 50% стирола),

поли(N-(2-метоксиэтил)метакриламид),

поли(2,3-диметилбутадиен) (метилкаучук),

сополимер винилхлорид-винилацетат (95/5-90/10),

полиакриловая кислота, поли(1,3-дихлорпропилметакрилат),

поли(2-хлор-1-(хлорметил)этилметакрилат), полиакролеин,

поли(1-винил-2-пирролидон), гидрохлорированный каучук, нейлон 6;

нейлон 6,6; нейлон 6,10 (формованный продукт),

бутадиен-стироловый сополимер (около 30% стирола),

поли(циклогексил-α-хлоракрилатный) блоксополимер,

поли(2-хлорэтил-α-хлоракрилат),

бутадиен-стироловый сополимер (около 75/25),

поли(2-аминоэтилметакрилат), полифурфурилметакрилат,

полибутилмеркаптилметакрилат, поли(1-фенил-н-амилметакрилат),

поли(N-метилметакриламид), целлюлоза, поливинилхлорид,

карбамидформальдегидная смесь, поли(втор-бутил α-бромакрилат),

поли(циклогексил α-бромакрилат), поли(2-бромэтилметакрилат),

полидигидроабиетиновая кислота, полиабиетиновая кислота,

полиэтилмеркаптилметакрилат, поли(N-аллилметакриламид),

поли(1-фенилэтилметакрилат), поливинилфуран,

поли(2-винилтетрагидрофуран),

поли(винилхлорид)+40% трикрезилфосфата,

поли(п-метоксибензилметакрилат), полиизопропилметакрилат,

поли(п-изопропилстирол), полихлоропрен,

поли(оксиэтилен-α-бензоат-ω-метакрилат),

поли(п,п'-ксилиленилдиметакрилат), поли(1-фенилаллилметакрилат),

поли(п-циклогексилфенилметакрилат), поли(2-фенилэтилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фенилен-1-пропил),

поли(1-(о-хлорфенил)этилметакрилат),

сополимер стирола и малеинового ангидрида,

поли(1-фенилциклогексилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фенилен-1,3-диметилбутилиден-1,4-фенилен), поли(метил α-бромакрилат), полибензилметакрилат,

поли(2-(фенилсульфонил)этилметакрилат),

поли(м-крезилметакрилат),

стирол-акрилонитриловый сополимер (около 75/25),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фениленизобутилиден-1,4-фенилен),

поли(о-метоксифенилметакрилат), полифенилметакрилат,

поли(о-крезилметакрилат), полидиаллилфталат,

поли(2,3-дибромпропилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фенилен-1-метилбутилиден-1,4-фенилен),

поли(окси-2,6-диметилфенилен),

полиоксиэтиленокситерефталоил (аморфный), полиэтилентерефталат,

поливинилбензоат,

поли(оксикарбонилокси-1,4-фениленбутилиден-1,4-фенилен),

поли(1,2-дифенилэтилметакрилат), поли(о-хлорбензилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фенилен-втор-бутилиден-1,4-фенилен),

полиоксипентаэритритолоксифталоил,

поли(м-нитробензилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фениленизопропилиден-1,4-фенилен),

поли(N-(2-фенилэтил)метакриламид),

поли(4-метокси-2-метилстирол), поли(о-метилстирол), полистирол,

поли(оксикарбонилокси-1,4-фениленциклогексилиден-1,4-фенилен),

поли(о-метоксистирол), полидифенилметилметакрилат,

поли(оксикарбонилокси-1,4-фениленэтилиден-1,4-фенилен),

поли(п-бромфенилметакрилат), поли(N-бензилметакриламид),

поли(п-метоксистирол), поливинилиденхлорид,

полисульфид («Тиокол»), поли(о-хлордифенилметилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-(2,6-дихлор)фениленизопропилиден-1,4-(2,6-дихлор)фенилен),

поли(оксикарбонилоксибис(1,4-(3,5-дихлорфенилен)))полипентахлорфенилметакрилат,

поли(о-хлорстирол), поли(фенил α-бромакрилат),

поли(п-дивинилбензол), поли(N-винилфталимид),

поли(2,6-дихлорстирол), поли(β-нафтилметакрилат),

поли(α-нафтилкарбинилметакрилат), полисульфон,

поли(2-винилтиофен), поли(α-нафтилметакрилат),

поли(оксикарбонилокси-1,4-фенилендифенилметилен-1,4-фенилен),

поливинилфенилсульфид, бутилфенолформальдегидная смола,

мочевинотиомочевиноформальдегидная смола, поливинилнафталин,

поливинилкарбазол, нафталинформальдегидная смола,

фенолформальдегидная смола и полипентабромфенилметакрилат.

В качестве компонента (В) в соответствии с данным изобретением может применяться гидролизат, по крайней мере, одного соединения, выбранного из группы, состоящей из алкоксидов металлов, представленных следующей формулой (20), и галогенидов металлов, представленных следующей формулой (21):

М⁰(OR)_tY_u (20)

M⁰X_tY_u (21)

(В формулах (20) и (21) М⁰ является положительным двухвалентным-пятивалентным атомом, R является алкильной группой или арильной группой, Y является атомом водорода, алкильной группой, арильной группой, гидроксильной группой, алкоксильной группой или арилоксигруппой, Х является атомом галогена и t и u, каждый независимо, является целым числом, равным 0 или более, при условии, что (t+u) равно валентности М⁰.)

Должно быть понятно, что указанные выше гидролизаты включают те, которые получены гидролизом всех гидролизуемых частей исходного соединения, и также те, которые получены гидролизом некоторых, а не всех гидролизуемых частей.

Положительный двухвалентный-пятивалентный атом М⁰ в указанных выше формулах (20) и (21) является, например, B, Si, P или атомом металла. Атом металла предпочтительно представляет собой атом металла группы 2А или 3В периодической таблицы или атом переходного металла.

Все указанные выше алкильные группы и алкильные группы, содержащиеся в указанных выше алкоксильных группах, могут быть линейными, разветвленными или циклическими алкильными группами, имеющими 1-10 атомов углерода, и некоторые из атомов водорода, содержащихся в указанных выше группах, могут быть замещены атомом фтора, или некоторые или все атомы водорода, содержащиеся в указанных выше группах, могут быть замещены атомом хлора, атомом брома, перфторалкильной группой, гидроксильной группой, меркаптогруппой, тиоалкильной группой, алкоксильной группой, перфторалкоксигруппой, группой алкилового сложного эфира, группой простой алкилтиоэфира, группой перфторалкилового простой эфира, цианогруппой, нитрогруппой или арильной группой.

Каждая из указанных выше арильных групп и арильных групп, содержащихся в указанных выше арилоксигруппах, независимо является фенильной группой, нафтильной группой, антраценильной группой, бифенильной группой или группой, полученной замещением атома водорода, содержащегося в указанных выше группах, атомом хло