Подложка активной матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Подложка активной матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения.

Уровень техники

Жидкокристаллические дисплеи имеют характеристики, такие, что они являются тонкими и требуют низкое энергопотребление. Использование этих характеристик приводит к широкому использованию жидкокристаллических устройств отображения, жидкокристаллические устройства отображения традиционно широко использовались как дисплеи целых устройств, не ограниченные обычными устройствами, такими как телевизоры, персональные компьютеры, но включающие в себя измерительное аппаратное обеспечение, медицинское оборудование и промышленное оборудование. Как и жидкокристаллическое устройство отображения, известно жидкокристаллическое устройство отображения, управляемое активной матрицей, в котором предусматривается TFT (тонкопленочный транзистор, thin film transistor) для каждого пикселя, или минимальный блок для отображения пикселя, таким образом, чтобы позволить точное изображения для отображения.

Жидкокристаллические устройства отображения, управляемые активной матрицей, включают в себя: подложку активной матрицы, на которой предоставлено множество TFT упомянутых выше для каждого пикселя, противоположную подложку, которая обращена к подложке активной матрицы и на которой сформированы общий электрод и схожие, и жидкокристаллический слой, который предусматривается между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой.

Фиг.17 - вид в плане, схематически показывающий часть традиционной подложки активной матрицы.

В подложке активной матрицы, как показано на фиг.17, предусматривается для пересечения множество истоковых шин 100, простирающихся параллельно друг к другу, и множество затворных шин 101, простирающихся параллельно друг к другу. На подложке активной матрицы, предоставляются TFT 102 рядом с соответствующими пересечениями истоковых шин 100 и затворных шин 101, и множество пиксельных электродов 104 (показанных в передающей форме), которые электрически подключены к соответствующим TFT 102, контактные отверстия 103, сформированные в изолирующей пленке (не показанной), покрывающей TFT 102, сформированы в форме матрицы.

Дополнительно, на подложке активной матрицы, множество вспомогательных емкостных шин 105 предусматриваются как каждая простирающаяся между вдоль затворными шинами 101. Предоставленным на каждой вспомогательной емкостной шине 105 является множество вспомогательных емкостных электродов 107, сформированных как объединенные с электродами 106 стока соответствующих TFT 102, и вспомогательные емкостные сопротивления для подержания потенциалов, записанных в соответствующих пиксельных электродах 104 формируются между вспомогательными емкостными шинами 105 и вспомогательными емкостными электродами 107, которые перекрывают друг друга.

Фиг.18 показывает отношение между шаблонами сигналов, которые прикладываются к затворной шине, истоковой шине и пиксельному электроду, соответственно. Как показано на Фиг.18, когда потенциал V_gh прикладывается к затворной линии, включается TFT, подключенный к затворной линии, и потенциал Vs который был приложен к истоковой шине, подключенной к TFT прикладывается через электрод стока к пиксельному электроду. С этой точки, запись выполняется до тех пор, пока потенциал V_PO пиксельного электрода не достигнет такого же значения, что и потенциал V_S истоковой шины. Когда потенциал V_gl прикладывают к затворной линии, потенциал пиксельного электрода падает, что приводит к разности ΔVgd от потенциала V_PO по завершению записи. Разность ΔVgd, появившаяся от падения потенциала пиксельного электрода, генерируется паразитным емкостном сопротивлением между электродом стока и затворным электродом в каждом пикселе, и называется проходным напряжением. В случаях, когда проходное напряжение ΔVgd меняется от одного пикселя к другому, дефекты дисплея, такие как неравномерность яркости и мерцание, могут быть, вероятно, визуально заметными.

Проходное напряжение ΔVgd выражается простым образом следующим уравнением. Заметим, что Vgpp представляет разность между Vgh и Vgl(Vgh-Vgl), Cgd представляет паразитное емкостное сопротивление между затворным электродом и электродом стока, Cs представляет вспомогательное емкостное сопротивление, и Clc представляет жидкокристаллическое емкостное сопротивление.

ΔVgd = Vgpp x Cgd/(Clc + Cs + Cgd)

В последнее время, в виду того, что требовалось увеличение размеров экранов отображения телевизоров и им подобных, увеличились размеры подложек активных матриц. Для производства подложки активной матрицы, выполняют формирование шаблона с использованием фотолитографии для формирования шин и электродов. В фотолитографии при производстве большой по размеру подложки активной матрицы, выполняемом как процесс экспонирования, в котором сопротивление, приложенное на стеклянную подложку, экспонируется через фотошаблон, является процессом экспонирования способа экспонирования с раздельными этапами. В процессе экспонирования этого способа фотошаблон, меньший, чем стеклянная подложка, располагается на стеклянной подложке, и экспонирование выполняется разделенным образом с использованием множества снимков, в то время как стеклянная подложка передвигается поэтапно и фотошаблон заменяется по необходимости.

В процессе экспонирования способа экспонирования с раздельными этапами, сопротивление на стеклянную подложку экспонируют распределенным образом с использованием множества снимков, и таким образом экспонирование с относительно высокой точностью выравнивания требуется между множеством блоков, определенных для соответствующих зон на стеклянной подложке, которые экспонируются в снимках. Если происходит ошибка выравнивания устройства экспонирования в каждом блоке, отношения выравнивания между шинами, электродами и полупроводниковым слоем и схожими отличаются от одного блока к другому и таким образом паразитное емкостное сопротивление Cgd, которое определяется зоной перекрытия затворного электрода и электрода стока, различается от одного блока к другому. В результате существует различие в проходном напряжении от одного блока к другому, что упрощает неравномерность яркости между блоками быть визуально заметной на экране отображения.

В жидкокристаллическом устройстве отображения, раскрытом в ПАТЕНТНОМ ДОКУМЕНТЕ 1, значения ширины участков полупроводникового слоя в TFT и электроде стока, перекрывающем полупроводниковый слой, который пересекает конец затворного электрода, делают меньшими, чем значение ширины электрода стока, которая является значением ширины канала TFT. Это может снизить разность между блоками в зоне перекрытия между затворным электродом и электродом стока, которая вызвана ошибкой выравнивания в направлении, перпендикулярном к ширине канала.

Список цитируемых документов

Патентные документы

ПАТЕНТНЫЙ ДОКУМЕНТ 1: Японский Патент No.3881160

Сущность изобретения

Техническая проблема

Однако, даже с жидкокристаллическим устройством отображения по ПАТЕНТНОМУ ДОКУМЕНТУ 1, ошибка выравнивания устройства экспонирования происходит между блоками в процессе экспонирования во время формирования электрода стока, как отношение расположения между вспомогательным емкостным электродом, сформированным, чтобы быть объединенным с электродом стока и вспомогательной емкостной шиной, и отношение расположения между затворным электродом и электродом стока различаются от одного блока к другому, и таким образом вспомогательное емкостное сопротивление C_S, которое определяется зоной перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины, различается от одного блока к другому. В результате, оба изменения паразитного емкостного сопротивления Cgd и изменения вспомогательного емкостного сопротивления Cs происходят между блоками. Таким образом, существует возможность, что эти два фактора вместе предотвращают разности в проходном напряжении ΔVgd между блоками от полного сдерживания, что приводит к визуальному восприятию неравномерности яркости на экране отображения, как описано выше. Таким образом, данное жидкокристаллическое устройство отображения имеет характеристики для улучшения.

Настоящее изобретение было сделано ввиду вышеуказанных пунктов и объектом изобретения является сдерживание изменения проходного напряжения, вырабатываемого паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока.

Решение проблемы

Для достижения цели упомянутого объекта, в соответствии с настоящим изобретением, в каждом из вспомогательных емкостных электродов в соответствующих пиксельных областях, боковой конец одной стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

А именно, подложка активной матрицы по изобретению, содержащая множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы, множество истоковых шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу между пиксельными областями, множество затворных шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины, множество вспомогательных емкостных шин, каждая предусмотренная простирающейся между затворными шинами, множество тонкопленочных транзисторов, каждый имеющий затворный электрод электрически подключенный к затворным шинам, полупроводниковый слой, предоставленный для перекрытия затворного электрода, истоковый электрод, предоставленный для перекрытия затворного электрода и полупроводникового уровня, причем истоковый электрод электрически подключенный к одной из истоковых шин, и электрод стока, предоставленный для пересечения конца затворного электрода с возможностью перекрытия затворной шины и полупроводникового слоя, и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов, причем в каждом из вспомогательных емкостных электродов, боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его.

В такой конфигурации, в вспомогательном емкостном электроде в каждой пиксельной области, боковой конец одной стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, расположен снаружи вспомогательной емкостной шины. Это вызывает изменение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода, сформированного в том же слое, как и электрод стока и вспомогательной емкостной шины в соответствии с и вместе с изменением зоны перекрытия затворного электрода и электрода стока. Таким образом, в случаях, когда электрод стока отклоняется в сторону направления, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, что приводит к увеличению в зоне перекрытия электрода стока и затворного электрода, вспомогательный емкостный электрод также отклоняется к стороне того же направления, как электрод стока, что вызывает увеличение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины на величину, соответствующую отклонению электрода стока. Альтернативно, в случаях, когда электрод стока отклоняется к стороне направления, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, что приводит к уменьшению в зоне перекрытия электрода стока и затворного электрода, вспомогательный емкостной электрод также отклоняется к стороне того же самого направления, как электрод стока, что вызывает уменьшение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины на величину, соответствующую отклонению электрода стока. Соответственно, так как вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательным емкостным электродом и вспомогательной емкостной шиной может быть увеличено и уменьшено в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом и электродом стока, эффекты паразитного емкостного сопротивления и вспомогательного емкостного сопротивления на проходном напряжении взаимно поглощают друг друга. В результате чего, изменения проходного напряжения, которое сгенерировано паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока, подавляются.

Предпочтительно, что каждая из вспомогательных емкостных шин имеет главную емкостную шину, предусмотренную, чтобы простираться вдоль одной из затворных шин, и дополнительную емкостную шину, предусмотренную, чтобы выступать к стороне от главной емкостной шины, и что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусмотрен, чтобы перекрывать основную емкостную шину и дополнительную емкостную шину.

С данной конфигурацией, из-за того, что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается для перекрытия как основной емкостной шины, так и дополнительной емкостной шины, увеличивается зона перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины, что приводит к увеличению вспомогательного емкостного сопротивления для уменьшения проходного напряжения. В добавление к этому случаю, удлинением, в вспомогательном емкостном электроде, участка, который пересекает боковой конец вспомогательной емкостной шины, становится возможным увеличивать вспомогательное емкостное сопротивление в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока. Это позволяет увеличению и уменьшению вспомогательного емкостного сопротивления по отношению к увеличению и уменьшению в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока быть надлежащим образом настроенным, таким образом, что изменения проходного сопротивления подавляются насколько это возможно.

Предпочтительно, что множество пиксельных областей включаются во множество групп пиксельных областей, упорядоченных вдоль истоковых шин, и что в каждой из групп пиксельных областей истоковые электроды подключаются с той же самой одной из истоковых шин, и затворные электроды подключаются к затворным шинам, которые отличаются от друг друга.

С этой конфигурацией, в каждой группе пиксельной области, истоковые электроды подключаются к той же самой истоковой шине, и затворные электроды подключаются к затворным шинам, которые отличаются от друг друга. Поэтому, число истоковых шин, подключенных к истоковым электродам каждой группы пиксельной области, может быть сделано меньшим, чем в случаях, когда в каждой группе пиксельной области истоковые электроды подключаются к истоковым шинам, которые отличаются от друг друга, и затворные электроды подключаются к той же самой затворной шине. Это позволяет уменьшиться числу истоковых чипов драйвера ИС (интегральная схема), которые являются более дорогими, чем затворные чипы драйвера ИС, и таким образом может быть уменьшена стоимость.

Жидкокристаллическое устройство отображения согласно изобретению включает в себя подложку активной матрицы, противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы, и жидкокристаллический слой, предоставленный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой.

С этой конфигурацией, включение подложки активной матрицы вызывает увеличение и уменьшение вспомогательного емкостного сопротивления между вспомогательным емкостным электродом и вспомогательной емкостной шиной в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом и электродом стока. В результате чего, подавляются изменения проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродами стока. Это делает сложным визуальное распознание неравномерности яркости на экране отображения.

Предпочтительно, что уровень выравнивания по вертикали и множество участков регулировки выравнивания для того, чтобы разделить жидкокристаллический уровень на множество доменов для каждой из пиксельных областей будут предоставленными на каждой из сторон жидкокристаллического уровня подложки активной матрицы и противоположной подложки, и что, по меньшей мере, часть множества участков регулировки выравнивания будут сформированными, чтобы перекрыть, по меньшей мере, одну из вспомогательных емкостных шин и вспомогательных емкостных электродов.

С этой конфигурацией, слой выравнивания по вертикали и множество участков регулировки выравнивания для того, чтобы разделить жидкокристаллический уровень на множество доменов для каждой пиксельной области обеспечивают на каждой из сторон жидкокристаллического слоя подложки активной матрицы и противоположной подложки, и поэтому, когда напряжение не применено к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около участков регулировки выравнивания выравнивают наклоненным образом, центрированным в участках регулировки выравнивания, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме участков регулировки выравнивания, выравнивают перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположной подложки). Когда напряжение применяют к жидкокристаллическому слою, жидкокристаллические молекулы, кроме участков регулировки выравнивания, выравнивают в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около участков регулировки выравнивания. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

В зонах, где предоставляются участки регулировки выравнивания, выравнивание жидкокристаллических молекул, вероятно, будет не в порядке, и поэтому коэффициент пропускания света, вероятно, уменьшится и, вероятно, произойдет рассеяние света. В зонах, где предоставлены вспомогательная емкостная шина и вспомогательный емкостной электрод, вспомогательная емкостная шина и светопроницаемость блока вспомогательного емкостного электрода должна уменьшать световой коэффициент пропускания. С вышеупомянутой конфигурацией, по меньшей мере, формируется часть множества участков регулировки выравнивания, чтобы перекрыть, по меньшей мере, одно из вспомогательной емкостной шины и вспомогательного емкостного электрода. Поэтому, по сравнению со случаями, в которых, по меньшей мере, часть, множества участков регулировки выравнивания сформирована в другой зоне, то есть формируется множество участков регулирования выравнивания, чтобы не перекрыть либо вспомогательные емкостные шины или вспомогательные емкостные электроды, подавляется уменьшение в световом коэффициенте пропускания, и подавляется рассеяние света от зон, где жидкокристаллические молекулы, вероятно, будут не в выравнивании, что приводит к увеличению наоборот.

Предпочтительно, что у каждой из вспомогательных емкостных шин есть основная емкостная шина, обеспеченная, чтобы простираться вдоль одной из затворных шин, и дополнительная емкостная шина, обеспеченная, чтобы выступать к стороне от главной емкостной шины, и что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается, чтобы перекрывать главную емкостную шину и дополнительную емкостную шину.

С этой конфигурацией каждый вспомогательный емкостный электрод обеспечен, чтобы перекрывать и главную емкостную шину, и вспомогательную емкостную шину, и поэтому зона перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины увеличивается, что приводит к увеличению вспомогательного емкостного сопротивления, чтобы уменьшить проходное напряжение. В дополнение к этому случаю, удлиняя, во вспомогательном емкостном электроде 33 участок, который пересекает боковой конец вспомогательной емкостной шины, становится возможным, чтобы увеличить вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока. Это дает возможность увеличения и уменьшения вспомогательного емкостного сопротивления относительно увеличения и уменьшения в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока быть соответственно настроенными, так, чтобы изменения проходного напряжения были подавлены на сколько возможно.

Предпочтительно, что каждый из вспомогательных емкостных электродов обеспечен, чтобы простираться вдоль главной емкостной шины и дополнительной емкостной шины таким образом, чтобы, во множестве участков среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительной емкостной шины, боковой конец на одной стороне был расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец на другой стороне был расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

С этой конфигурацией, во множестве участков среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительных емкостных шин в каждом вспомогательном емкостном электроде, боковые концы с одной стороны расположены внутри вспомогательной емкостной шины, и боковые концы с другой стороны расположены снаружи вспомогательной емкостной шины. Это увеличивает вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока больше, чем в случае, в котором, только в одном участке среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительных емкостных шин вспомогательного емкостного электрода, боковой конец с одной стороны расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец с другой стороны расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

Пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, может быть обеспечен в каждой из пиксельных областей, каждый из участков регулировки выравнивания подложки активной матрицы может быть сделан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулировки выравнивания противоположной подложки может быть сделан из выступающего, сформированного, чтобы выступать на стороне жидкокристаллического слоя.

С этой конфигурацией, когда напряжение не прикладывается к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около щелей и выступов выравниваются наклоненным образом, центрированным в щелях и выступах, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме щелей и выступов, выровнены перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположная подложка 40). Когда напряжение прикладывается к жидкокристаллическому слою 14, жидкокристаллические молекулы, кроме щелей и выступов, выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей и выступов. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

Пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, может быть обеспечен в каждой из пиксельных областей, общий электрод может быть обеспечен, чтобы перекрыть пиксельный электрод, на стороне жидкокристаллического слоя противоположной подложки, каждый из участков регулирования выравнивания подложки активной матрицы может быть сделан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулирования выравнивания противоположной подложки может быть сделан из щели, сформированной в общем электроде.

С этой конфигурацией, когда напряжение не прикладывают к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около щелей пиксельных электродов и общего электрода выравниваются наклоненным способом, центрированным в щелях, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме щелей, выравниваются перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположной подложки). Когда напряжение прикладывают к жидкокристаллическому уровню, жидкокристаллические молекулы отдельно от щелей выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

Преимущества изобретения

Согласно изобретению, во вспомогательном емкостном электроде в каждой пиксельной области, боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, чтобы войти снаружи затворного электрода во внутрь его, располагают во вспомогательной емкостной шине, и боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его, располагают снаружи вспомогательной емкостной шины, и поэтому изменения проходного напряжения, которое сгенерировано паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока, подавляются.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг.1 является видом в плане, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство отображения.

Фиг.2 является видом в сечении, взятым вдоль линии II-II на Фиг.1.

Фиг.3 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть жидкокристаллического устройства отображения по 1 варианту осуществления.

Фиг.4 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 1 варианту осуществления.

Фиг.5 является видом в сечении, взятым вдоль линии V-V на Фиг.3.

Фиг.6 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируется затворная изолирующая пленка.

Фиг.7 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируются электроды стока и вспомогательный емкостной электрод.

Фиг.8 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируются пиксельные электроды.

Фиг.9 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 2 варианту осуществления.

Фиг.10 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 2 варианту осуществления.

Фиг.11 является видом в сечении, взятым вдоль линии V-V на Фиг.9.

Фиг.12 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 3 варианту осуществления.

Фиг.13 является видом в сечении, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 4 варианту осуществления.

Фиг.14 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 5 варианту осуществления.

Фиг.15 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 5 варианту осуществления.

Фиг.16 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по другому варианту осуществления.

Фиг.17 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть традиционной подложки активной матрицы.

Фиг.18 показывает отношение между шаблонами сигналов, которые применяются в затворной шине, истоковой шине и пиксельном электроде соответственно.

Фиг.19 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть традиционной подложки активной матрицы, в которой длина в направлении строк в каждой пиксельной области обеспечивается быть примерно равной трем длинам в направлении столбцов.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Варианты осуществления изобретения будут подробно описаны ниже со ссылкой на чертежи. Заметим, что изобретение не ограничивается следующими вариантами осуществления.

1 Вариант осуществления изобретения

Фиг.1-8 показывают 1 Вариант осуществления изобретения. Фиг.1 является видом в плане, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения. Фиг.2 является видом в сечении, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения, взятым вдоль линии II-II на Фиг.1. Фиг.3 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть жидкокристаллического устройства S отображения. Фиг.4 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки 20 активной матрицы в жидкокристаллическом устройстве S отображения. Фиг.5 является видом в сечении, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения, взятым вдоль линии V-V на Фиг.3. Заметим, что на Фиг.4 ламинированная изоляционная пленка 35 и пиксельные электроды 35 показаны прозрачными.

Жидкокристаллическое устройство S отображения, как показано на Фиг.1 и Фиг.2, включает в себя жидкокристаллическую панель 10 отображения, в которой пара подложек 20 и 40 соединены вместе. Жидкокристаллическая панель 10 отображения включает в себя подложку 20 активной матрицы, противоположную подложку 40, расположенную напротив подложки 20 активной матрицы, и жидкокристаллический слой 14, предоставленный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой 40. Жидкокристаллическая панель 10 отображения имеет участок D отображения, в котором изображение отображается, и участок F кадра, который является неотображаемой частью, расположенной за пределами участка D отображения.

Подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 40 формируются, например, в прямоугольных формах. Как показано на Фиг.2, слои 37 и 45 выравнивания предоставляются на поверхностях на сторонах жидкокристаллического слоя 14 подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, соответственно, и пластины поляризации (не показаны) предоставляются на поверхностях на сторонах, отдаленных от жидкокристаллического слоя 14 подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, соответственно. Герметизирующий материал 15 в форме пленки, сделанный из эпоксидной смолы, располагают между подложкой 20 активной матрицы и противоположной подложкой 40, и жидкокристаллический материал включается в герметизирующий материал 15, таким образом, что обеспечивается жидкокристаллический слой 14.

Участок D отображения, как показано на Фиг.3, составляется из множества пикселей 11, предоставленных в форме матрицы. Относительно множества пикселей 11, каждое множество пикселей 11 упорядочено в направлении строк (поперечное направление на Фиг.3) включается в пиксельную группу 12. Как используется здесь, минимальный блок отображения изображения называется как "пиксель", и одна “пиксельная группа” составляется из "пикселей" множества цветов. А именно, каждая пиксельная группа 12 в настоящем варианте осуществления составляется из красных, зеленых и синих пикселей 11r, 11g и 11b, упорядоченных в форме полос в направлении строк. Каждый пиксель 11 предоставляется таким образом, чтобы длина в направлении столбцов (продольном направлении на Фиг.3) была приблизительно равна трем длинам в направлении строк. Заметим, что в настоящем варианте осуществления противоположная подложка 40 предоставляется с черной матрицей 43, которая будет описана позже, и поэтому области, в которых формируются отверстия черной матрицы 43, соответствуют пикселям 11.

На подложке 20 активной матрицы, как показано на Фиг.4, множество пиксельных областей 22, включенных в соответствующие пиксели 11, определены в форме матрицы. Таким образом, каждый пиксель 11 сконфигурирован таким образом, чтобы соответствующая пиксельная область 22 и противоположная подложка 40 были обращены друг к другу с жидкокристаллическим слоем 14, вставленным между ними. Множество пиксельных областей 22 включается во множество групп 23 пиксельных областей таким образом, чтобы множество пиксельных областей 22, упорядоченных в направлении строк, чтобы соответствовать одной пиксельной группе 12, было включено в каждую группу 23 пиксельной области.

Подложка 20 активной матрицы имеет стеклянную подложку 21, показанную на Фиг.5, и включает в себя, в участок D отображения на стеклянной подложке 21, как показано на фиг.4, множество истоковых шин 24, обеспеченных, чтобы простираться параллельно друг другу между пиксельными областями 22, множество затворных шин 25, обеспеченных, чтобы простираться параллельно друг другу в направлениях, пересекающих истоковые шины 24 между пиксельными областями 22, множество тонкопленочных транзисторов (в дальнейшем называемые «TFT») 27, электрически подключенных к соответствующим истоковым шинам 24, и затворным шинам 25, и множество пиксельных электродов 36, электрически подключенных к соответствующим TFT 27.

Каждая истоковая шина 24 линейно предоставлена, чтобы простираться в направлении столбца, и каждая затворная шина 25 линейно предоставлена, чтобы простираться в направлении строк. Каждая вспомогательная емкостная шина 26 линейно предоставлена между затворными шинами 25, чтобы простираться вдоль затворных шин 25.

TFT 27 предоставляются около пересечений истоковых шин 24 и затворных шин 25 для соответствующих пиксельных областей 22. TFT 27 в каждой группе 23 пиксельной области подключаются к истоковым шинам 24, которые отличаются друг от друга, и подключаются к той же самой затворной шине 25. TFT 27, как показано на фиг.5, являются нижними затворными TFT, каждый из которых включает в себя затворный электрод 28 электрически подключенный к затворной шине 25, полупроводниковый слой 30, обеспеченный, чтобы перекрывать затворный электрод 28, исходный электрод 31, подключенный к полупроводниковому слою 30 на одной стороне затворного электрода 28, и электрод 32 стока, подключенный к полупроводниковому слою 30 с другой стороны затворного электрода 28.

Затворные шины 25, как показано на чертежах, сформированы вместе с вспомогательными емкостными шинами 26 на поверхности стеклянной подложки 21 и покрыты затворной изолирующей пленкой 29. Полупроводниковый слой 30 каждого TFT 27 сформирован, чтобы пересекать часть затворной шины 25 с затворной изолирующей пленкой 29, вставленной м