ХОРИУТИ Сатоси (JP)

Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения и направлено на подавление изменений проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока. Подложка активной матрицы содержит: множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы; множество истоковых шин, простирающ...

Изобретение относится к подложкам активной матрицы. Подложка включает в себя пиксельные электроды, размещаемые в матричном рисунке; линию истока, проходящую в направлении столбцов и перекрывающуюся с любыми смежными двумя из пиксельных электродов в направлении строк; и линию накопительного конденсатора, проходящую в направлении строк и пересекающуюся с линией истока. Пиксельные электроды, линия и...

Каждый из элементов (14) изображения имеет множество областей ориентирования (R1, R2, R3 и R4), в каждой из которых молекулы жидких кристаллов, содержащиеся в слое жидких кристаллов, ориентированы в направлении, отличном от направлений в других из множества областей ориентирования. Каждая из множества сигнальных линий (32) сканирования и граничная область (R11 и R12) между соответствующими смежны...

Подложка (10) матрицы включает в себя изолирующую подложку; множество линий (2) развертки на изолирующей подложке; множество линий (1) данных, каждая из которых расположена так, что она пересекает множество линий (2) развертки на изолирующей подложке; электроды (13) элемента изображения, каждый из которых выполнен в форме прямоугольника. Каждый из электродов (13) элемента изображения соединен чер...

Устройство дисплея включает в себя панель (40а) дисплея, имеющую множество межсоединений (3) дисплея, обеспеченных таким образом, что они проходят параллельно друг другу; схему (44а) возбуждения, обеспеченную на стороне одних концов межсоединений (3) дисплея и подключенную к межсоединениям (3) дисплея. Первый путь межсоединения (Wa) и второй путь межсоединения (Wb) пересекают одни концы этих межс...

В подложке (20) матрицы содержатся элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, которые расположены в виде матрицы на изолирующей подложке. Подложка матрицы включает в себя: линии шины затворов, изготовленные из первого металлического материала (M1); линии шины истоков, изготовленные из второго металлического материала (М2); пиксельные электроды, изготовленны...

В жидкокристаллическом устройстве отображения с MVA в по меньшей мере одном электроде (21) каждого пикселя участок, вставленный между первым участком и вторым участком, смежным с первым участком первого электрода, имеет расширенный участок (21аЕ1, 21bE1, 21аЕ2, 21bE2), выступающий в направлении строки. Первый участок является участком, на котором кромка первого электрода пересекается с прорезью...

Устройство включает жидкокристаллический слой между подложкой матрицы тонкопленочных транзисторов и противоположной подложкой и, по меньшей мере, один электрод. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает прозрачную подложку; линии истока и линии затвора; проводящую часть в пикселе, заданную линиями истока и линиями затвора; и изолирующую пленку, покрывающую данную проводящую часть и о...

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит множество пикселей, каждый из которых включает в себя по меньшей мере один первый электрод (21), который имеет первый угловой участок с первой кромкой, параллельной направлению строки, и второй кромкой, параллельной направлению столбца, а также первую подложку, которая включает в себя электродный слой (например, противоэлектрод (18а) запоминаю...

Настоящее изобретение относится к (i) подложке матрицы, в которой элементы тонкопленочных транзисторов (TFT) и другие компоненты обеспечиваются на изолирующей подложке, и (ii) жидкокристаллической панели отображения, изготовленной с подложкой матрицы. Жидкокристаллическая панель отображения содержит подложку матрицы, содержащую: изолирующую подложку, имеющую область отображения и ее окружающую о...

В жидкокристаллическом устройстве отображения первая вспомогательная линия 430 образована узкой, а вторая вспомогательная линия 440 вспомогательной расположена в самом ближнем положении к периферии подложки. Первая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения. Вторая вспомогательная линия расположена между схе...

Панель содержит первую и вторую изолирующие подложки и жидкокристаллический слой, расположенный между ними. Одна из подложек имеет на стороне, контактирующей с жидкокристаллическим слоем, общий электрод с выступами и/или вырезами, а другая - линии сигнала сканирования, линии сигнала данных и электроды элементов изображения. Каждый из электродов элементов изображения имеет секцию выреза и выступа...

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой. По меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участков. Подл...