Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения

Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке матрицы тонкопленочных транзисторов (ТПТ), в которой элементы ТПТ выполнены на изолирующей подложке, и жидкокристаллической панели отображения, использующей подложку матрицы ТПТ.

Уровень техники

В устройствах отображения (таких как жидкокристаллические панели) и сенсорных устройствах широко известны подложки матриц ТПТ, в которых элементы ТПТ выполнены на изолирующей подложке. Элементы ТПТ подсоединены с помощью межсоединений к своим электродам.

В частности, элемент ТПТ соединен с соответствующей линией шины затворов на своем электроде затвора и соединен с соответствующей линией шины истоков на своем электроде истока.

Кроме того, в случае, где подложка матрицы ТПТ используется в жидкокристаллической панели, элемент ТПТ соединен с пиксельным электродом на своем электроде стока.

В случае, где элементы ТПТ размещены в виде матрицы, линии шины затворов и линии шины истоков выполнены перпендикулярно друг к другу на изолирующей подложке. В этом случае линии шины затворов и линии шины истоков выполнены в различных слоях на изолирующей подложке, между которыми выполнен изолирующий слой для того, чтобы линии шины затворов и линии шины истоков не были электрически соединены друг с другом.

(Схематичная конфигурация подложки матрицы ТПТ)

Далее приводится схематичное описание подложки матрицы ТПТ.

Фиг.12 изображает вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ. Как изображено на фиг.12, подложка 20 матрицы ТПТ имеет область 22 отображения на своем центральном участке при виде сверху. В области отображения элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно подсоединенные к элементам ТПТ, размещены в виде матрицы.

Область вокруг области 22 отображения и вблизи от краев 26 подложки 20 матрицы ТПТ представляет собой периферийную область 24. Схема 60 возбудителя и т.п. выполнены в периферийной области 24.

Одним специфическим примером схемы 60 возбудителя является схема возбудителя затворов. Фиг.12 изображает образцовую конфигурацию, в которой схема 60 возбудителя выполнена в периферийной области 24 на любой стороне области 22 отображения в горизонтальном направлении (в направлении Х на фиг.12).

В этой конфигурации возбудитель 60 соединен с элементами ТПТ (не изображены) в области 22 отображения через межсоединения, такие как линии 42 шины затворов.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ, изображенная на фиг.12, выполнена с возбудителем 62 в периферийной области 24 на одной из двух сторон области 22 отображения в вертикальном направлении (в направлении Y на фиг.12). Возбудитель 62 и схемы 60 возбуждения соединены через сигнальное межсоединение 46 схемы возбудителя затворов, такое как межсоединение синхронизации. Кроме того, возбудитель 62 соединен с элементом ТПТ (не изображен) в области 22 отображения через межсоединения, такие как линии 44 шины истоков.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ смонтирована вместе с противоэлектродом (не изображен) через изолирующий слой 90, таким образом образуя жидкокристаллическую панель 10 отображения. Изолирующий слой 90 выполнен в форме, похожей на рамку, вдоль и внутри краев 26 подложки 20 матрицы ТПТ.

(Периферийная область)

Далее более подробно описана периферийная область 24 со ссылкой на фиг.13.

Фиг.13 изображает вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию периферийной области 24.

Как изображено на фиг.13, периферийная область 24 выполнена не только со схемами 60 возбудителей, но также с различными межсоединенями, соединенными с возбудителем 62. Межсоединения выполнены между схемами 60 возбудителей и краями 26 подложки изолирующей подложки 16. Фиг.13 иллюстрирует пример подложки 20 матрицы ТПТ, на которой в качестве межсоединений выполнены межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, межсоединение 72 синхронизации или ответвительные межсоединения 74. Среди межсоединений, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации продолжаются в вертикальном направлении (в направлении Y), и ответвительные межсоединения 74 продолжаются в горизонтальном направлении (в направлении X). Кроме того, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации электрически соединены со схемой 60 возбудителя через ответвительные межсоединения 74, соответственно.

(Металлические материалы и т.д.)

Далее будут объяснены металлические материалы и т.д. для выполнения межсоединений.

Межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации, которые продолжаются в направлении Y, выполнены на изолирующей подложке таким способом, что межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации, продолжающиеся в направлении Y, выполнены на слое, который отличается от другого слоя, расположенного на нем, в котором выполнены ответвительные межсоединения 74, продолжающиеся в направлении X. Кроме того, они выполнены из различных металлических материалов.

Фиг.14 изображает вид в поперечном сечении, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ.

Как изображено на фиг.14, обычно выполняют такую конфигурацию, в которой первый металлический материал M1, первый изолирующий материал I1, второй металлический материал М2, второй изолирующий материал I2 и третий металлический материал М3 расположены послойно в этом порядке на изолирующей подложке 16. Первый металлический материал M1 представляет собой материал, из которого выполнены линии 42 шины затворов. Первый изолирующий материал I1 представляет собой материал, из которого выполнена изолирующая пленка 50 затворов. Второй металлический материал М2 представляет собой материал, из которого выполнены линии 42 шины истоков. Второй изолирующий материал 12 представляет собой материал, из которого выполнена межслойная изолирующая пленка 52. Кроме того, третий металлический материал М3 представляет собой материал, из которого выполнены пиксельные электроды 48.

Межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации выполнены из первого металлического материала M1, и ответвительные межсоединения 74 выполнены из второго металлического материала М2.

С помощью этой конфигурации, межсоединение, которое продолжается в направлении X, может легко пересекаться с межсоединением, которое продолжается в направлении Y, без электрического соединения этих межсоединений, как изображено в виде части 82 пересечения на фиг.13.

С другой стороны, необходимо выполнить контактное отверстие для того, чтобы установить электрическое соединение между межсоединением, которое продолжается в направлении X, и межсоединением, которое продолжается в направлении Y, как изображено на соединительном участке 80 на фиг.13.

(Патентная литература 1)

Одна известная конфигурация такого контактного отверстия изображена, например, в патентной литературе 1.

Фиг.15 изображает вид, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель отображения с многопленочными транзисторами на основе аморфного кремния, как описано в патентной литературе 1.

Как изображено на фиг.15, основное межсоединение 150 и электрод 160 затворов электрически соединены через контактное отверстие 100, выполненное в соединительном участке 80.

Список литературы

[Патентная литература]

[Патентная литература 1]

Японский перевод заявки РСТ, Токухио (Tokuhyo), №2005 - 527856 А (дата подачи: 15 сентября 2005 года).

[Патентная литература 2]

Патент США №7379148 В2, описание (дата подачи: 27 мая 2008 года).

[Патентная литература 3]

Публикация японской заявки на патент, Токукай (Tokukai), №2006 - 259691 (дата подачи: 28 сентября 2006 год).

[Патентная литература 4]

Публикация японской заявки на патент, Токукайхей (Tokukaihei), №9 - 179116 (дата подачи: 11 июля 1997 года).

[Патентная литература 5]

Публикация японской заявки на патент, Токукай (Tokukai), №2006 - 39524 (дата публикации: 9 февраля 2006 года).

Сущность изобретения

Техническая задача

Однако известная конфигурация контактного отверстия 100 имеет недостаток, который заключается в том, что оно вызывает ухудшение качества отображения жидкокристаллической панели 100 отображения. Ниже объяснен такой недостаток.

Фиг.16 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию известного соединительного участка 800. Между тем, фиг.17 изображает вид в поперечном сечении, взятом поперек линии С-С на фиг.16.

Как изображено на фиг.16, известное контактное отверстие 100 находится частично на и за пределами межсоединений 72 синхронизации при виде сверху. То есть, известное контактное отверстие 100 имеет участок 104 за пределами межсоединений.

Как изображено на фиг.17, контактное отверстие 100 позволяет подсоединять межсоединение 72 синхронизации к ответвительному межсоединению 74.

Межсоединение 72 синхронизации выполнено из первого металлического материала M1, из которого выполнен слой линии 42 шины затворов. Между тем, ответвительное межсоединение 74 выполнено из второго металлического материала М2, из которого выполнен слой линии 44 шины истоков. Поэтому, межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 выполнены на различных слоях на изолирующей подложке 16.

Соединительный проводник 102, выполненный в контактном отверстии 100, соединяет межсоединение 72 синхронизации с ответвительным межсоединением 74. Однако межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 не перекрывают друг друга при виде сверху. Соответственно, соединительный проводник 102 выполнен так, что он позволяет соединить межсоединение 72 синхронизации с ответвительным межсоединением 72 при виде сверху.

(Сквозное отверстие)

Более конкретно, через сквозное отверстие 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации соединены друг с другом в месте, где соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации перекрывают друг друга при виде сверху. Между тем, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения, соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 соединены друг с другом в месте, где соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 перекрывают друг друга при виде сверху.

Другими словами, контактное отверстие 100 выполнено так, что межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 соединены через два сквозных отверстия.

В этом случае соединительный проводник 102 выполнен из третьего металлического материала M3, который является материалом, из которого выполнены пиксельные электроды.

В непосредственной близости от сквозного отверстия 110 основного межсоединения, между межсоединением 72 синхронизации и соединительным проводником 102 находятся пленка 50 для изоляции затворов и межслойная изолирующая пленка 52. Соответственно, сквозное отверстие 110 основного межсоединения проходит сквозь пленку 50 для изоляции затворов и межслойную изолирующую пленку 52 для того, чтобы межсоединение 72 синхронизации и соединительный проводник 102 имели возможность соединения друг с другом.

Подобным образом в непосредственной близости от сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения между ответвительным межсоединением 74 и соединительным проводником 102 находится межслойная изолирующая пленка 52. Соответственно, сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения проходит насквозь межслойную изолирующую пленку 52 так, чтобы ответвительное межсоединение 74 и соединительный проводник 102 имели возможность соединения друг с другом.

(Участок за пределами межсоединений)

Сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения подсоединены через соединительный проводник 102.

Известная подложка 20 матрицы ТПТ выполнена так, что межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 не перекрывают друг друга при виде сверху. То есть, ответвительное межсоединение 74 продолжается почти до межсоединения 72 синхронизации. Соответственно, соединительный проводник 102 имеет участок 104 за пределами межсоединений. Участок 104 за пределами межсоединений является таким участком соединительного проводника 102, который находится за пределами межсоединений 72 синхронизации при виде сверху.

Участок 104 за пределами межсоединений позволяет обеспечить соединение между сквозным отверстием 110 основного межсоединения и сквозным отверстием 112 ответвительного межсоединения.

(Изолирующий слой)

Ниже описан изолирующий слой 90 для соединения подложки 20 матрицы ТПТ с противоподложкой.

Изолирующий слой 90 выполнен в периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ для того, чтобы он проходил вдоль краев 26 подложки, как показано на фиг.12. Как изображено на фиг.16, изолирующий слой 90 закрывает межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, межсоединение 72 синхронизации и, частично, схемы 60 возбудителей. То есть, при виде сверху изолирующий слой 90 перекрывает межсоединение, которое продолжается в направлении X, и межсоединение, которое продолжается в направлении Y.

Изолирующий слой 90 позиционируется таким образом для нормального функционирования, связывая при этом подложку 20 матрицы ТПТ и противоподложку 18, и уменьшения области участка рамки.

Так как изолирующий слой 90 позиционируется таким образом, контактное отверстие 100 позиционируется под изолирующим слоем 90.

(Толщина ячейки)

Известная жидкокристаллическая панель отображения не позволяет обеспечить идентичную толщину ячейки в непосредственной близости от изолирующего слоя 90.

Невозможность обеспечения одинаковой толщины ячейки происходит из-за отличия по уровню, вызванного контактным отверстием 100, и отличий по ширине, плотности и т.д. межсоединений, выполненных под изолирующим слоем 90.

Особенно известная жидкокристаллическая панель 10 отображения, в которой соединительный проводник 102 имеет участок за пределами межсоединений, подвержена такой неравномерной толщине ячейки.

(Толщина изолирующего слоя)

Неравномерная толщина ячейки вызвана тем, что существуют области с или без контактного отверстия 100 при виде вдоль направления Y. То есть, неравномерная толщина ячейки вызвана тем, что изолирующий слой 90 имеет неравномерную толщину между двумя одинаковыми областями. Кроме двух вогнутых частей из-за сквозного отверстия 110 основного межсоединения и сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения, существует вогнутый участок, образованный вдоль направления Y на или около контактного отверстия 100. Вогнутый участок, выполненный вдоль направления Y на или около контактного отверстия 100, вероятно вызывает неравномерную толщину ячейки, как описано выше.

Как описано выше, известная жидкокристаллическая панель 10 отображения вероятно имеет неравномерную толщину ячейки из-за конфигурации рисунка на или около контактного отверстия 100 или неравномерную плотность межсоединений на или около контактного отверстия 100.

(Качество отображения)

Неравномерная толщина ячейки вероятно ухудшает качество отображения.

Кроме того, известная жидкокристаллическая панель 10 отображения с участком за пределами межсоединений имеет недостаток, который заключается в том, что участок за пределами межсоединений затрудняет выполнение равномерного облучения светом светоотверждаемой смолы или т.п. в случае, где светоотверждаемая смола или т.п. выполнена на или около контактного отверстия 100. Это приводит к недостаточному отверждению светоотверждаемой смолы. В таком случае, материал изолирующего слоя 90 будет вероятно протекать в жидкокристаллический слой, таким образом, вызывая ухудшение качества отображения.

(Другие характеристики схемы возбудителя)

Кроме того, с учетом современных требований к уменьшению внешних размеров панелей отображения, можно уменьшить площадь периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ, в результате чего должны уменьшиться расстояния внутренних межсоединений между межсоединениями, такими как межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации. В этом случае, конфигурация с участком за пределами межсоединений может быть препятствием для уменьшения расстояний внутренних межсоединений. То есть, уменьшение расстояний внутренних межсоединений нельзя выполнить таким способом, чтобы уменьшилась область, в которой часть за пределами межсоединений перекрывала соседние межсоединения, или уменьшилось расстояние от участка за пределами межсоединений до такого соседнего межсоединения, потому что если участок за пределами межсоединений размещен таким образом, то нагрузка на межсоединения будет увеличиваться, таким образом, ухудшая выходные характеристики схем возбудителей.

Настоящее изобретение устраняет вышеупомянутые недостатки, и его задача заключается в том, чтобы выполнить подложку матрицы ТПТ и жидкокристаллическую панель отображения, каждая из которых позволяет избежать ухудшения качества отображения, вызванного неравномерной толщиной ячейки.

Решение задачи

Для того чтобы решить эту задачу, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению представляет собой подложку матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, которые соединены соответственно с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ включает в себя: линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала, пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла, изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения, периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им, периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые, соответственно, соединены со схемами возбудителей, и (и) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями, ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала, основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала, периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений, соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала, соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию, по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

Кроме того, для того чтобы решить эту задачу, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению представляет собой подложку матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ включает в себя: линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала, пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материала, изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды расположены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения, периферийную область, выполненную с периферийными элементами ТПТ для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих ей, периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, соответственно, соединенными с периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, соединенным с ответвительными межсоединениями, ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала, основное межсоединение, выполненное из другого одного из металлического материала и другого металлического материала, периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений, соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала, соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник закрывает этот незащищенный участок соответствующего одного из ответвительных межсоединений, по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

В этих конфигурациях, в соединительных частях, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху. В этих конфигурациях трудно иметь для соединительного проводника участок за пределами межсоединений, описанный выше, что, таким образом, служит причиной для того, чтобы слой межсоединений имел более равномерную толщину в направлении, в котором продолжаются основные межсоединения.

Это позволяет легко предотвратить неравномерную толщину ячейки, например, в случае, где изолирующий слой выполнен в периферийной области. Таким образом, становится легче предотвратить ухудшение качества отображения в подложке матрицы ТПТ с помощью любой из этих конфигураций.

Преимущественные эффекты изобретения

Как описано выше, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, выполнена с возможностью включать в себя:

линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и

линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,

пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла,

изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,

периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им,

периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые, соответственно, соединены со схемами возбудителей или периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями,

ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,

основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала,

периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями,

причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,

соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,

соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию,

по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

Это позволяет предотвратить ухудшение качества отображения, вызванное неравномерной толщиной ячейки.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 - вид, иллюстрирующий поперечное сечение, взятое вдоль линии А-А на фиг.1.

Фиг.3 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.4 - вид, иллюстрирующий поперечное сечение, взятое вдоль линии В-В на фиг.3.

Фиг.5 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.6 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.7 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.8 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.9 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.10 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.11 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.12 - вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ.

Фиг.13 - вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию периферийной области подложки матрицы ТПТ.

Фиг.14 - вид в поперечном сечении, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ.

Фиг.15 - вид, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель отображения, использующую тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния, как описано в патентной литературе 1.

Фиг.16 - вид, иллюстрирующий известный уровень техники и схематично иллюстрирующий конфигурацию соединительного участка.

Фиг.17 - вид в поперечном сечении, взятом вдоль линии С-С на фиг.16.

Подробное описание изобретения

Ниже представлено подробное описание вариантов осуществления настоящего изобретения.

[Вариант осуществления 1]

Один вариант осуществления настоящего изобретения описан ниже со ссылкой на фиг.1 и 2. Фиг.1 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления.

Схематичная конфигурация подложки 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления по существу подобна конфигурации подложки 20 матрицы ТПТ, объясненной выше со ссылкой на фиг.16.

То есть различные межсоединения (слой межсоединений) и схемы возбудителей выполнены в периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ.

Более конкретно, различные межсоединения охватывают межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (сигнальное межсоединение для схем возбудителей линий сканирования) и межсоединения 72 синхронизации (сигнальные межсоединение для схем возбудителей линии сканирования) вдоль направления Y подложки 20 матрицы ТПТ. Каждое из межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединений 70 синхронизации представляют собой основные межсоединения. Более конкретно, одно межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и три межсоединения 72 синхронизации расположены в этом порядке в направлении от одного края 26 подложки до области 22 отображения.

Кроме того, схемы 60 возбудителей (такие как, схемы возбудителей затворов) выполнены между этими межсоединениями и областью 22 отображения.

В этом случае область 22 отображения представляет собой область, в которой элементы ТПТ (не изображены) и пиксельные электроды (не изображены), соединенные соответственно с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы.

Кроме того, ответвительные межсоединения 74 выполнены для соединения этих межсоединений, соответственно, со схемами 60 возбудителей. Ответвительные межсоединения 74 продолжаются в направлении X.

Контактное отверстие 100 выполнено в каждой из частей 80 пересечений, в которых ответвительные межсоединения 74 соединены с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом или любым из межсоединений 72 синхронизации, соответственно.

Подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, выполнена так, что соединительный проводник 102 не имеет участка 104 за пределами межсоединений, который описан выше. Ниже приведено описание конфигурации настоящего варианта осуществления со ссылкой, например, на соединительный участок 80 для соединения между межсоединением 72 синхронизации и ответвительным межсоединением 74.

В соединительном участке 80 межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 электрически соединены друг с другом через контактное отверстие 100.

Эта конфигурация более подробно описана со ссылкой на фиг.2. Фиг.2 изображает вид в поперечном сечении, взятом вдоль линии А-А на фиг.1.

Как изображено на фиг.2, контактное отверстие 100 имеет два сквозных отверстия, а именно, сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения. Через сквозное отверстие 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации соединены друг с другом. Другими словами, через сквозное отверстие 110 основного межсоединения межсоединение 72 синхронизации (которое служит в качестве основного межсоединения), которое закрыто соединительным проводником 102, подвергается воздействию.

Кроме того, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 соединены друг с другом. Другими словами, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения ответвительное межсоединение 74 подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник 102 закрывает этот незащищенный участок ответвительного межсоединения 74.

Межсоединение 72 синхронизации выполнено из первого металлического материала M1, из которого выполнены линии 42 шин затворов. Между тем, ответвительное межсоединение 74 выполнено из второго металлического материала М2, из которого выполнены линии 44 шины истоков. Кроме того, соединительный проводник 102 выполнен из третьего металлического материала М3, из которого выполнены пиксельные электроды 48.

Эти металлические материалы ламинируют на изолирующей подложке 116, изготовленной из стекла в следующей последовательности: первый металлический материал M1, второй металлический материал М2 и третий металлический материал M3. Между первым металлическим материалом M1 и вторым металлическим материалом М2 предусмотрена пленка 50 для изоляции затворов. Пленка 50 для изоляции затворов выполнена из первого изолирующего материала I1. Кроме того, между вторым металлическим материалом М2 и третьим металлическим материалом M3 выполнена межслойная изолирующая пленка 52. Межслойная изолирующая пленка 52 выполнена из второго изолирующего материала 12. Кроме того, первый металлический материал M1 и второй металлический материал могут быть, но не ограничиваться, алюминием, молибденом, танталом или т.п. Кроме того, третий металлический материал M3 может быть, например, оксидом индия и олова (ИТО) или т.п.

С помощью этой конфигурации, в сквозном отверстии 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 проходит сквозь пленку 50 для изоляции затворов и межслойную изолирующую пленку 52 и соединяется с межсоединением 72 синхронизации.

Кроме того, в сквозном отверстии 112 ответвительного межсоединения соединительный проводник 102 проходит насквозь межслойную изолирующую пленку 52 и соединяется с ответвительным межсоединением 74.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что в соединительном участке 80 межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 перекрывают друг друга при виде сверху.

Поэтому соединительный проводник 102 не имеет участка, под которым выполнено межсоединение 72 синхронизации или ответвительное межсоединение 74. Другими словами, межсоединение 72 синхронизации или ответвительное межсоединение 74 выполнено под соединительным проводником 120 без исключения. Формулировка "под" соединительным проводником 102 или его участком означает то, что находится под ними, но выше изолирующей подложки 16.

В конфигурации, объясненной выше, соединительный проводник 102 не имеет участка за пределами межсоединений, в котором, при виде сверху, соединительный проводник 102 не перекрывает какой-либо из межсоединений, к которым подсоединяется соединительный проводник 102. Другими словами, в соединительном участке 80 соединительный проводник 102 выполнен только на межсоединениях, к которым подсоединяется соединительный проводник 102.

Более конкретно, подложка 20 матрицы ТПТ, показанная в качестве примера в настоящем варианте осуществления, выполнена так, что соединительный проводник 102 перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху таким способом, что обе стороны соединительного проводника 102 совпадают со сторонами межсоединения 72 синхронизации. Поэтому соединительный проводник 102 не имеет участка, который находится за пределами межсоединения 72 синхронизации при виде сверху.

Как описано выше, соединительный проводник 102 настоящего варианта осуществления перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху таким способом, что обе стороны соединительного проводника 102 совпадают со сторонами межсоединения 72 синхронизации, в котором межсоединение 72 синхронизации представляет собой самое нижнее межсоединение, расположенное между двумя межсоединениями, к которому подсоединяется соединительный проводник 102, другими словами, межсоединение, которое расположено ближе всего к изолирующей подложке 16, расположенной между двумя межсоединениями, к которому подсоединяется соединительный проводник 102.

С другой стороны, ответвительное межсоединение 74, соединенное с межсоединением 72 синхронизации, подвергается воздействию для того, чтобы перекрыть межсоединение 72 синхронизации при виде сверху, в отличие от известной подложки 20 матрицы ТПТ, изображенной на фиг.16.

С помощью этой конфигурации, сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения можно выполнить выше межсоединения 72 синхронизации при виде сверху, как изображено на фиг.2. Кроме того, с помощью этой конфигурации, соединительный проводник 102 для закрытия и соединения сквозного отверстия основного межсоединения и сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения можно выполнить без выхода за пределы межсоединения 72 синхронизации при виде сверху.

(Качество отображения)

Как описано выше, соединительный проводник 102 выполнен без выхода за пределы межсоединения 72 синхронизации при