Жидкокристаллическое устройство отображения

Жидкокристаллическое устройство отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, а более подробно к жидкокристаллическому устройству отображения с MVA.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Жидкокристаллические устройства отображения с MVA (многодоменным выравниванием по вертикали) имеют рабочие характеристики с более широкими углами обзора, чем жидкокристаллические устройства отображения на TN (скрученных нематических жидких кристаллах), так что жидкокристаллические устройства с MVA широко используются в качестве жидкокристаллических устройств отображения для ТВ (телевизоров, TV) и других применений (например, смотрите Патентные документы 1 и 2). Полное содержание, раскрытое в Патентных документах 1 и 2, включено в материалы настоящей заявки посредством ссылки.

В жидкокристаллическом устройстве отображения с MVA, на сторонах, обращенных к слою жидких кристаллов с вертикальным выравниванием пары подложек, которые находятся напротив, со слоем жидких кристаллов, вставленным между ними, расположены структуры стабилизации домена (также указываемые ссылкой как структуры стабилизации ориентации), с тем чтобы формировать множество жидкокристаллических доменов, имеющих разные ориентации (наклонные направления) направляющих. В качестве структуры стабилизации домена, используется прорезь (участок проема), предусмотренная в электроде, или диэлектрический выступ (ребро), сформированный на стороне, обращенной к слою жидких кристаллов, электрода.

Типично, каждая из пары подложек снабжена структурами линейной стабилизации домена, тянущимися в двух направлениях, которые взаимно ортогональны. Когда они наблюдаются с направления, перпендикулярного подложкам, структура стабилизации домена, сформированная на подложке, и структура стабилизации домена, сформированная на другой подложке, скомпонованы параллельно и поочередно. Как результат, когда напряжение прикладывается к жидкокристаллическому слою произвольного пикселя, четыре вида доменов, в которых молекулы жидкого кристалла, которые наклонены в направлениях, взаимно отличающихся приблизительно на 90° (также указываемых ссылкой как направления направляющей жидкокристаллических доменов), формируются между средствами линейной стабилизации домена. Типично, формируются четыре жидкокристаллических домена с их азимутальными углами направляющих в 45° относительно осей поляризации (осей пропускания) пары поляризационных пластин, расположенных с возможностью образования перекрестных призм Николя. Когда 0° азимутального угла предполагаются в качестве направления оси поляризации одной поляризационной пластины (например, горизонтального направления плоскости отображения (направление на 3 часа по круговой шкале)), а направление против часовой стрелки предполагается положительным направлением, азимутальными углами направляющих четырех жидкокристаллических доменов являются 45°, 135°, 225° и 315°. В дальнейшем, определение азимутального угла основано на описанном выше определении, если не отмечено иное.

Термин «пиксель» в настоящем описании указывает минимальный элемент отображения, выполняемого жидкокристаллическим устройством отображения. В случае цветного устройства отображения, термин «пиксель» указывает минимальный элемент для отображения каждого основного цвета (типично, R (красного), G (зеленого) или B (синего)), и иногда указывается ссылкой как «точка».

Обычно, пиксели скомпонованы в матрице со строками и столбцами. В материалах настоящей заявки, направление строки означает горизонтальное направление плоскости отображения (азимутальный угол 0° или 180°), а направление столбца означает вертикальное направление плоскости отображения (азимутальный угол 90° или 270°). Пиксель включает в себя пиксельный электрод, слой жидких кристаллов и противоэлектрод (общий электрод), который противоположен пиксельному электроду, со слоем жидких кристаллов, вставленным между ними. Пиксельный электрод имеет кромку (сторону), тянущуюся в направлении строки и кромку, тянущуюся в направлении столбца. Для того чтобы формировать упомянутые выше четыре жидкокристаллических домена, линейные структуры стабилизации домена, тянущиеся в двух направлениях, которые взаимно ортогональны, включенные в жидкокристаллическое устройство отображения с MVA, предусмотрены, с тем чтобы, например, тянуться в направлениях азимутальных углов 45° (225°) и 135° (315°) То есть линейные структуры стабилизации домена, тянущиеся в двух направлениях, которые взаимно ортогональны, предусмотренные на стороне противоэлектрода, пересекаются с кромкой, тянущейся в направлении строки пиксельного электрода, или кромкой, тянущейся в направлении его столбца.

Когда разность потенциалов сформирована между пиксельным электродом и противоэлектродом, наклонное электрическое поле (краевое поле) формируется вблизи кромки пиксельного электрода. Наклонное электрическое поле, сформированное вдоль кромки пиксельного электрода, действует, с тем чтобы наклонять молекулы жидкого кристалла в направлении, ортогональном кромке пиксельного электрода. Соответственно, вблизи положения, в котором структура стабилизации домена, предусмотренная на стороне противоэлектрода (или ее линия продления), пересекается с кромкой, тянущейся в направлении строки или в направлении столбца пиксельного электрода, наклонное электрическое поле, сформированное вблизи кромки пиксельного электрода действует, с тем чтобы нарушать выравнивание молекул жидкого кристалла, стабилизированных структурой стабилизации домена. Понятно, что, если выравнивание молекул жидкого кристалла нарушается, качество отображения ухудшается.

Для того чтобы подавлять нарушение выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи положения, в котором структура стабилизации домена, предусмотренная на стороне противоэлектрода, (или ее линия продления) пересекается с кромкой пиксельного электрода, тянущегося в направлении строки или в направлении столбца, Патентный документ 1 раскрывает конфигурацию, в которой линейная вспомогательная структура предусмотрена в положении, противоположном участку кромки пиксельного электрода, на котором возникает нарушение выравнивания. Линейная вспомогательная структура тянется параллельно соответствующему участку кромки. Вспомогательная структура может быть предусмотрена внутри пикселя или вне пикселя. Вспомогательная структура, например, является прорезью, сформированной в противоэлектроде, или диэлектрическим выступом, сформированным на стороне слоя жидких кристаллов противоэлектрода. Применяемая вспомогательная структура является такой же, как структура стабилизации домена, предусмотренная на стороне противоэлектрода. То есть, в случае, где структура стабилизации домена является прорезью, сформированной в проивоэлектроде, прорезь принята в качестве вспомогательной структуры. В случае, где структура стабилизации домена является диэлектрическим выступом, сформированным на стороне слоя жидких кристаллов противоэлектрода, диэлектрическйи выступ принят в качестве вспомогательной структуры.

Однако участок, на котором сформирована вспомогательная структура (прорезь или диэлектрический выступ), не вносит вклад в отображение, так что есть проблема, что, если по меньшей мере часть вспомогательной структуры существует в пикселе, ухудшается коэффициент пропускания. Нарушение выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки пиксельного электрода может подавляться посредством вспомогательной структуры, но ориентация молекул жидкого кристалла вблизи кромки отлична от ориентации направляющих в домене, определенном структурой стабилизации домена, так что потеря коэффициента пропускания неизбежна. В дополнение, если диэлектрический выступ используется в качестве вспомогательной структуры, компоновка столбчатого разделителя (также указываемого ссылкой как фоторазделитель) для определения толщины слоя жидких кристаллов (зазора ячейки) ограничивается, так что степень свободы конструкции неблагоприятно ухудшается.

В последние годы, для того чтобы улучшить зависимость γ-характеристики (показателя контрастности) от угла обзора жидкокристаллического устройства отображения с MVA, в патентном документе 3, заявители настоящего изобретения раскрывают жидкокристаллическое устройство отображения и способ возбуждения, в котором один пиксель делится на множество подпикселей, имеющих разные степени яркости, тем самым, улучшая зависимость γ-характеристики от угла обзора. В особенности, можно улучшать зависимость γ-характеристики от угла обзора, в которой яркость отображения последовательности с более низкой градацией выше (бледнее), чем предопределенная яркость. В настоящем описании изобретения, такое отображение или возбуждение иногда может указываться ссылкой как отображение с зоновой модуляцией покрытия, возбуждение с модуляцией покрытия, многопиксельное отображение, многопиксельное возбуждение, или тому подобное. Полное содержание Патентного документа 3 включено в материалы настоящей заявки посредством ссылки.

Патентный документ 3 раскрывает жидкокристаллическое устройство отображения, в котором запоминающий конденсатор предусмотрен для множества подпикселей в одном пикселе, противоэлектрод запоминающего конденсатора для создания запоминающего конденсатора (присоединенного к линии шины CS) электрически независим для каждого подпикселя, а напряжение, прикладываемое к противоэлектроду запоминающего конденсатора (указываемое ссылкой как противодействующее напряжение запоминающего конденсатора) меняется, тем самым, изменяя действующие напряжения, которые должны прикладываться к слоям жидких кристаллов множества подпикселей, используя емкостное разделение. В применениях, требующих рабочих характеристик с широким углом обзора, таких как применение для TB, жидкокристаллическое устройство отображения с MVA перенимает многопиксельное отображение различными способами.

В жидкокристаллическом устройстве отображения с многопиксельной структурой, пиксельный электрод поделен на множество подпиксельных электродов, соответствующих множеству подпикселей. Другими словами, множество подпиксельных электродов составляют один пиксельный электрод.

Кроме многопиксельной структуры, в некоторых случаях, множество подпиксельных электродов расположены в каждом пикселе. Например, с целью легкого восстановления отказа типа короткого замыкания между пиксельным электродом и противоэлектродом или с целью становления отказа типа короткого замыкания незаметным, пиксельный электрод может быть составлен множеством подпиксельных электродов. В таком случае, одинаковое напряжение подается на множество подпиксельных электродов, включенных в каждый пиксель.

СПИСОК ССЫЛОК

ПАТЕНТНАЯ ЛИТЕРАТУРА

Патентный документ 1: Публикация № 11-242225 выложенного патента Японии (патент США под № 6724452)

Патентный документ 2: Публикация № 2000-155317 выложенного патента Японии (патент США под № 6879364)

Патентный документ 3: Публикация № 2004-62146 выложенного патента Японии (патент США под № 6958791)

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОБЛЕМА

Как описано выше, если жидкокристаллическое устройство отображения с MVA включает в себя вышеописанную вспомогательную структуру, для того чтобы подавлять нарушение выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки пиксельного электрода (или подпиксельного электрода), возникает проблема, что, например, может происходить потеря коэффициента пропускания.

Настоящее изобретение было проведено, с тем чтобы решить вышеупомянутые проблемы, и цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы предоставить жидкокристаллическое устройство отображения с MVA, в котором ухудшение качества отображения, вызванное нарушением выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки пиксельного электрода, может подавляться без предоставления описанной выше вспомогательной структуры.

РЕШЕНИЕ ДЛЯ ПРОБЛЕМЫ

Жидкокристаллическое устройство отображения по первому изобретению является жидкокристаллическим устройством отображения с MVA, включающим в себя множество пикселей, скомпонованных матрицей из строк и столбцов, каждый из множества пикселей включает в себя: первую подложку; вторую подложку; слой жидких кристаллов типа с вертикальным выравниванием, расположенный между первой подложкой и второй подложкой; по меньшей мере один первый электрод, сформированный на первой подложке; второй электрод, противоположный по меньшей мере одному первому электроду через слой жидких кристаллов; первую структуру стабилизации домена, сформированную на первой подложке; и вторую структуру стабилизации домена, сформированную на второй подложке, первая структура стабилизации домена включает в себя прорезь, сформированную в по меньшей мере одном первом электроде, а вторая структура стабилизации домена является прорезью, сформированной во втором электроде, или диэлектрическим выступом, сформированным на стороне слоя жидких кристаллов второго электрода, первая структура стабилизации домена имеет первый линейный компонент, тянущийся в первом направлении, когда наблюдается с направления, перпендикулярного первой подложке, и второй линейный компонент, тянущийся во втором направлении, которое отлично от первого направления приблизительно на 90°, и вторая структура стабилизации домена имеет третий линейный компонент, тянущийся в первом направлении, и четвертый линейный компонент, тянущийся во втором направлении, по меньшей мере один из первого и второго линейных компонентов или третьего и четвертого линейных компонентов являются множественными по количеству, когда наблюдаются с направления, перпендикулярного первой подложке, первый линейный компонент и третий линейный компонент являются поочередно скомпонованными, второй линейный компонент и четвертый линейный компонент являются поочередно скомпонованными, и когда напряжение приложено к слою жидких кристаллов произвольного пикселя из множества пикселей, четыре вида доменов, у которых направления наклона молекул жидкого кристалла взаимно отличаются приблизительно на 90°, формируются между первым линейным компонентом и третьим линейным компонентом, и между вторым линейным компонентом и четвертым линейным компонентом, при этом, первое направление и второе направление являются направлениями, пересекающимися с направлением строки и направлением столбца, и в по меньшей мере одном первом электроде, когда наблюдается с направления, перпендикулярного первой подложке, участок, вставленный между первым участком и вторым участком, который является смежным с первым участком по меньшей мере одного первого электрода, имеет расширенный участок, выступающий в направлении строки, первый участок является участком, на котором кромка по меньшей мере одного первого электрода пересекается с прорезью, или участком, на котором кромка по меньшей мере одного первого электрода пересекается с продленной линией прорези, ближайшей к кромке, а второй участок является участком, на котором кромка по меньшей мере одного первого электрода пересекается с второй структурой стабилизации домена, или участком, на котором по меньшей мере один первый электрод пересекается с продленной линией второй структуры стабилизации домена, ближайшей к кромке.

В материалах настоящей заявки, первый электрод, в основе, определен наружной кромкой проводящего слоя, составляющего электрод, и не связан с потенциалом (в случае, где прорезь, продолженная от наружной кромки (длинный и узкий полосковый вырез), сформирована в первом электроде, прорезь считается включенной в первый электрод). Например, в случае, где наружные кромки двух проводящих слоев (например, слоев ITO (легированного оловом оксида индия)) взаимно независимы, когда они наблюдаются со стороны слоя жидких кристаллов, два проводящих слоя составляют два первых электрода, даже когда по существу идентичное напряжение подается на два проводящих слоя через сток одиночного TFT. Понятно, что количество TFT, присоединенных к проводящему слою, не имеет отношения к количеству первых электродов. Например, первый электрод является пиксельным электродом, а в случае, где каждый пиксель включает в себя множество подпиксельных электродов в жидкокристаллическом устройстве отображения с многопиксельной структурой, или тому подобное, каждый подпиксельный электрод соответствует первому электроду.

В одном из вариантов осуществления, вторая подложка дополнительно включает в себя черную матрицу, и край в направлении строки расширенного участка перекрывает черную матрицу, когда наблюдается с направления, перпендикулярного первой подложке.

В одном из вариантов осуществления, расширенный участок, включенный в по меньшей мере один первый электрод, имеет кромку, параллельную направлению, в котором тянется прорезь, пересекающаяся с кромкой первого участка, или прорезь, имеющая продленную линию, пересекающуюся с кромкой первого участка.

В одном из вариантов осуществления, кромка расширенного участка, включенного в по меньшей мере один первый электрод, и кромка прорези являются непрерывными.

В одном из вариантов осуществления, расширенный участок имеет кромку, параллельную направлению строки или направлению столбца.

В одном из вариантов осуществления, по меньшей мере один первый электрод имеет участок выреза в кромке, противоположной расширенному участку по меньшей мере одного пиксельного электрода пикселя, смежного в направлении строки.

В одном из вариантов осуществления, расширенный участок существует вблизи углового участка пикселя.

В одном из вариантов осуществления, расширенный участок существует вблизи середины направления столбца пикселя и по меньшей мере один первый электрод имеет участок выреза равнобедренной треугольной формы с линией, параллельной направлению строки в середине направления столбца, в качестве оси симметрии.

В одном из вариантов осуществления, участок выреза имеет кромку, параллельную первому направлению или второму направлению.

В одном из вариантов осуществления, по меньшей мере один первый электрод имеет кромку, параллельную первому направлению или второму направлению.

В одном из вариантов осуществления по меньшей мере один первый электрод имеет множество прорезей, скомпонованных в одну линию в первом направлении, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию во втором направлении.

В одном из вариантов осуществления, зазор между множеством прорезей, скомпонованных в одну линию, является меньшим, чем 8 мкм.

В одном из вариантов осуществления, по меньшей мере один первый электрод имеет первый угловой участок, включающий в себя первую кромку, параллельную направлению строки, и вторую кромку, параллельную направлению столбца, и первая подложка дополнительно включает в себя электродный слой, который перекрывает по меньшей мере часть первой кромки и по меньшей мере часть второй кромки первого углового участка. Другими словами, первое изобретение и второе изобретение, которые будут описаны ниже, могут комбинироваться.

В одном из вариантов осуществления, дополнительно включен в состав запоминающий конденсатор, соответствующий каждому из множества пикселей, при этом, запоминающий конденсатор включает в себя электрод запоминающего конденсатора, электрически присоединенный к по меньшей мере одному первому электроду, и противоэлектрод запоминающего конденсатора, расположенный напротив электрода запоминающего конденсатора через изолирующий слой, электродный слой является противоэлектродом запоминающего конденсатора или электродом запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, дополнительно включен в состав междуслойный изолирующий слой, сформированный на электроде запоминающего конденсатора, при этом, по меньшей мере один первый электрод присоединен к электроду запоминающего конденсатора в контактном отверстии, сформированном через междуслойный изолирующий слой на электроде запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, электродный слой перекрывает часть первой структуры стабилизации домена или второй структуры стабилизации домена.

В одном из вариантов осуществления, первая подложка имеет линию шины CS для каждой строки, по меньшей мере один первый электрод включает в себя два первых электрода, имеющих границу на линии шины CS и скомпонованных в верхнем и нижнем положениях вдоль направления столбца, и по меньшей мере один из двух первых электродов имеет первый угловой участок.

В одном из вариантов осуществления, включены в состав два запоминающих конденсатора, соответствующих каждому из множества пикселей, каждый из двух запоминающих конденсаторов имеет электрод запоминающего конденсатора, электрически присоединенный к соответствующему одному из двух первых электродов, и противоэлектрод запоминающего конденсатора, расположенный напротив электрода запоминающего конденсатора через изолирующий слой, электродный слой является противоэлектродом запоминающего конденсатора или электродом запоминающего конденсатора, при этом, нижняя кромка верхнего одного из двух первых электродов имеет первый выступающий участок, выступающий вниз, верхняя кромка нижнего одного из двух первых электродов имеет второй выступающий участок, выступающий вверх, и нижняя кромка первого выступающего участка и верхняя кромка второго выступающего участка перекрывают линию шины CS или противоэлектрод запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, один из двух первых электродов имеет только одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления, и другой один из двух первых электродов имеет только другую одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления.

В одном из вариантов осуществления, вторая структура стабилизации домена имеет третий линейный компонент и четвертый линейный компонент, у которых соответственные кромки, параллельные направлению строки, противоположны на линии шины CS или противоэлектроде запоминающего конденсатора, а зазор между кромкой третьего линейного компонента и кромкой четвертого линейного компонента является меньшим, чем 8 мкм.

В одном из вариантов осуществления, по меньшей мере один первый электрод включает в себя три или четыре первых электрода, и три или четыре первых электрода включают в себя два первых электрода.

В одном из вариантов осуществления, включены в состав три или четыре запоминающих конденсаторов, соответствующих каждому из множества пикселей, три или четыре запоминающих конденсаторов имеют электрод запоминающего конденсатора, электрически присоединенный к соответствующему одному из трех или четырех первых электродов, и противоэлектрод запоминающего конденсатора, расположенный напротив электрода запоминающего конденсатора, через изолирующий слой, при этом, электродный слой является электродом запоминающего конденсатора, электрически присоединенным к соответствующему одному из двух первых электродов, или противоэлектродом запоминающего конденсатора, расположенным напротив электрода запоминающего конденсатора через изолирующий слой.

В одном из вариантов осуществления, один из двух первых электродов имеет только одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления, и другой один из двух первых электродов имеет только другую одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления.

В одном из вариантов осуществления, когда наблюдается с направления, перпендикулярного первой подложке, электрод запоминающего конденсатора имеет форму U с вогнутым участком в направлении вверх-вниз или направлении влево-вправо. В материалах настоящей заявки, «направление вверх-вниз», наблюдаемое с направления, перпендикулярного первой подложке, означает вертикальное направление плоскости отображения. «Направление вверх» означает азимутальный угол 90° (направление на 12 часов круговой шкалы), а «направление вниз» означает азимутальный угол 270° (направление на 6 часов круговой шкалы). «Направление влево-вправо» означает горизонтальное направление плоскости отображения. «Направление вправо» означает азимутальный угол 0° (направление на 3 часа круговой шкалы), а «направление влево» означает азимутальный угол 180° (направление на 9 часов круговой шкалы).

В одном из вариантов осуществления, в положении на второй подложке, соответствующей первой кромке и второй кромке первого углового участка по меньшей мере одного первого электрода, прорезь, сформированная во втором электроде, или диэлектрический выступ, сформированный на стороне слоя жидких кристаллов второго электрода, не сформирована.

Жидкокристаллическое устройство отображения по второму изобретению является жидкокристаллическим устройством отображения с MVA, включающим в себя множество пикселей, скомпонованных матрицей из строк и столбцов, каждый из множества пикселей включает в себя: первую подложку; вторую подложку; слой жидких кристаллов типа с вертикальным выравниванием, расположенный между первой подложкой и второй подложкой; по меньшей мере один первый электрод, сформированный на первой подложке; второй электрод, противоположный по меньшей мере одному первому электроду через слой жидких кристаллов; первую структуру стабилизации домена, сформированную на первой подложке; и вторую структуру стабилизации домена, сформированную на второй подложке, первая структура стабилизации домена является прорезью, сформированной в по меньшей мере одном первом электроде, а вторая структура стабилизации домена является прорезью, сформированной во втором электроде, или диэлектрическим выступом, сформированным на стороне слоя жидких кристаллов второго электрода, первая структура стабилизации домена имеет первый линейный компонент, тянущийся в первом направлении, когда наблюдается с направления, перпендикулярного первой подложке, и второй линейный компонент, тянущийся во втором направлении, отличном от первого направления приблизительно на 90°, и вторая структура стабилизации домена имеет третий линейный компонент, тянущийся в первом направлении, и четвертый линейный компонент, тянущийся во втором направлении, количество по меньшей мере одного из первого и второго линейных компонентов или третьего и четвертого линейных компонентов является множественным, когда наблюдаются с нормального направления первой подложки, первый линейный компонент и третий линейный компонент являются поочередно скомпонованными, второй линейный компонент и четвертый линейный компонент являются поочередно скомпонованными, и когда напряжение приложено к слою жидких кристаллов произвольного пикселя из множества пикселей, четыре вида доменов, у которых направления наклона молекул жидкого кристалла взаимно отличаются приблизительно на 90°, формируются между первым линейным компонентом и третьим линейным компонентом, и между вторым линейным компонентом и четвертым линейным компонентом, при этом, первое направление и второе направление являются направлениями, пересекающимися с направлением строки и направлением столбца, и по меньшей мере один первый электрод имеет первый угловой участок, включающий в себя первую кромку, параллельную направлению строки, и вторую кромку, параллельную направлению столбца, и первая подложка дополнительно включает в себя электродный слой, который перекрывает по меньшей мере часть первой кромки и по меньшей мере часть второй кромки первого углового участка.

В одном из вариантов осуществления, включен в состав запоминающий конденсатор, соответствующий каждому из множества пикселей, при этом, запоминающий конденсатор включает в себя электрод запоминающего конденсатора, электрически присоединенный к по меньшей мере одному первому электроду, и противоэлектрод запоминающего конденсатора, расположенный напротив электрода запоминающего конденсатора через изолирующий слой, электродный слой является противоэлектродом запоминающего конденсатора или электродом запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, дополнительно включен в состав междуслойный изолирующий слой, сформированный на электроде запоминающего конденсатора, при этом, по меньшей мере один первый электрод присоединен к электроду запоминающего конденсатора в контактном отверстии, сформированном через междуслойный изолирующий слой на электроде запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, электродный слой перекрывает часть первой структуры стабилизации домена или второй структуры стабилизации домена.

В одном из вариантов осуществления, по меньшей мере один первый электрод имеет кромку, параллельную первому направлению или второму направлению.

В одном из вариантов осуществления по меньшей мере один первый электрод имеет множество прорезей, скомпонованных в одну линию в первом направлении, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию во втором направлении.

В одном из вариантов осуществления, зазор между множеством прорезей, скомпонованных в одну линию, является меньшим, чем 8 мкм.

В одном из вариантов осуществления, первая подложка имеет линию шины CS для каждой строки, по меньшей мере один первый электрод включает в себя два первых электрода, имеющих границу на линии шины CS и скомпонованных в верхнем и нижнем положениях вдоль направления столбца, и по меньшей мере один из двух первых электродов имеет первый угловой участок.

В одном из вариантов осуществления, включены в состав два запоминающих конденсатора, соответствующих каждому из множества пикселей, каждый из двух запоминающих конденсаторов имеет электрод запоминающего конденсатора, электрически присоединенный к соответствующему одному из двух первых электродов, и противоэлектрод запоминающего конденсатора, расположенный напротив электрода запоминающего конденсатора через изолирующий слой, электродный слой является противоэлектродом запоминающего конденсатора или электродом запоминающего конденсатора, при этом, нижняя кромка верхнего одного из двух первых электродов имеет первый выступающий участок, выступающий вниз, верхняя кромка нижнего одного из двух первых электродов имеет второй выступающий участок, выступающий вверх, и нижняя кромка первого выступающего участка и верхняя кромка второго выступающего участка перекрывают линию шины CS или противоэлектрод запоминающего конденсатора.

В одном из вариантов осуществления, один из двух первых электродов имеет только одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления, и другой один из двух первых электродов имеет только другую одну из множества прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль первого направления, или множество прорезей, скомпонованных в одну линию вдоль второго направления.

В одном из вариантов осуществления, вторая структура стабилизации домена имеет третий линейный компонент и четвертый линейный компонент, у которых соответственные кромки, параллельные направлению строки, противоположны на линии шины CS или противоэлектроде запоминающего конденсатора, а зазор между кромкой третьего линейного компонента и кромкой четвертого линейного компонента является меньшим, чем 8 мкм.

В одном из вариантов осуществления, когда наблюдается с нормального направления первой подложки, электрод запоминающего конденсатора имеет форму U с вогнутым участком в направлении вверх-вниз или направлении влево-вправо.

В одном из вариантов осуществления, в положении на второй подложке, соответствующей первой кромке и второй кромке первого углового участка по меньшей мере одного первого электрода, прорезь, сформированная во втором электроде, или диэлектрический выступ, сформированный на стороне слоя жидких кристаллов второго электрода, не сформирована.

ПОЛЕЗНЫЕ ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Согласно первому изобретению или второму изобретению, можно предоставить жидкокристаллическое устройство отображения с MVA, в котором ухудшение качества отображения, вызванное нарушением выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки пиксельного электрода, может подавляться без предоставления описанной выше вспомогательной структуры. Посредством надлежащего комбинирования обоих из первого изобретения и второго изобретения, вышеупомянутый эффект может быть усилен.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1 - вид сверху, показывающий конфигурацию LCD 100A в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 2 - вид сверху, показывающий конфигурацию LCD 100B в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 3 - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100B.

Фиг. 4 (a) и (b) - виды сверху, показывающие конфигурацию LCD 100C в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения, на которой (a) - вид, на котором диэлектрический выступ и столбчатый разделитель изображены штриховкой, а (b) - вид, на котором металлический слой затвора изображен штриховкой.

Фиг. 5 - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100C.

Фиг. 6 - вид, показывающий данную в разрезе конфигурацию участка, на котором контактное отверстие 17b сформировано в LCD 100C, и вид в разрезе, взятый вдоль линии VI-VI' на фиг. 4(b).

Фиг. 7 - вид, показывающий еще одну данную в разрезе конфигурацию участка, на котором сформировано контактное отверстие, и вид в разрезе, соответствующий линии VI-VI' на фиг. 4(b).

Фиг. 8 - вид сверху, показывающий конфигурацию LCD 100D в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 9 - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100D.

Фиг. 10 - вид сверху, показывающий конфигурацию LCD 100E в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 11 - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100E.

Фиг. 12 (a) - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100E (верхней половине пикселя), (b) - вид сверху нижнего правого участка первого электрода 21a(E) LCD 100E, (c) - карта распределения коэффициента пропускания, полученная моделированием в состоянии, где напряжение для отображения белого цвета приложено к слою жидких кристаллов пикселя в LCD 100C (верхней половине и нижнем правом участке пикселя), и (d) - вид сверху нижнего правого участка первого электрода 21a(C) LCD 100C,

Фиг. 13 - вид сверху, показывающий конфигурацию LCD 100F в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 14 - вид, показывающий данную в разрезе конфигурацию участка, на котором сформировано контактное отверстие 17(F), в LCD 100F.

Фиг. 15 - вид, показывающий плоскую конфигурацию участка, на котором сформировано контактное отверстие 17(F), в LCD 100F.

Фиг. 16 с (a) по (d) - виды сверху, показывающие структуры первых электродов в LCD 100G, 100H, 100I и 100J в вариантах осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 17 с (a) по (d) - виды сверху, показывающие конфигурацию LCD 100K в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 18 с (a) по (d) - виды сверху, показывающие конфигур