Жидкокристаллическое устройство отображения

Жидкокристаллическое устройство отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, а более точно, к жидкокристаллическому устройству отображения, в котором признаки применены к формам электрода и проводки.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Жидкокристаллическое устройство отображения (LCD) является устройством отображения, в котором пропускание/блокирование света (включение/отключение отображения) управляется посредством управления выравниванием молекул жидкого кристалла, проявляющих двойное лучепреломление. Режим VA (вертикального выравнивания) и режим IPS (плоскостной коммутации) и так далее могут использоваться в LCD в качестве способа отображения. В режиме VA молекулы жидкого кристалла, имеющие отрицательную анизотропию диэлектрической постоянной, выравниваются вертикально относительно поверхности подложки, а в режиме IPS молекулы жидкого кристалла, имеющие положительную анизотропию диэлектрической постоянной, выравниваются горизонтально относительно поверхности подложки, и поперечное электрическое поле прикладывается к жидкокристаллическому слою.

В режиме IPS поперечное электрическое поле прикладывается к жидкокристаллическому слою, а потому отличительные признаки применяются к электроду и проводке. Типичное жидкокристаллическое устройство отображения режима IPS включает в себя общий электрод, на который подается опорный потенциал, и пиксельный электрод, на который подается потенциал пикселя, который должен отображаться (например, смотрите Патентные документы с 1 по 4). Также предусмотрены линия сканирования, к которой прикладывается сигнал сканирования, тонкопленочный транзистор (TFT) и так далее. Общий электрод и пиксельный электрод оба имеют гребневую зубчатую форму и расположены, из условия чтобы гребневые зубцы соответственных электродов были размещены вперемежку. Жидкий кристалл возбуждается электрическим полем, сформированным между пиксельным электродом и общим электродом.

Патентный документ 1: Публикация № H10-301141 заявки на выдачу патента Японии

Патентный документ 2: Публикация № 2000-35590 заявки на выдачу патента Японии

Патентный документ 3: Публикация № 2003-295207 заявки на выдачу патента Японии

Патентный документ 4: Публикация № 2006-330215 заявки на выдачу патента Японии

В жидкокристаллическом устройстве отображения вида, в котором электрод и проводка сформированы ограниченным образом, электрод и проводка предпочтительно формируются как можно уже с точки зрения улучшения коэффициента пропускания. Когда электрод и проводка сформированы слишком узко, однако, может возникать обрыв, делая невозможным подавать требуемый потенциал на электрод и проводку.

Фиг. 73 - схематический вид сверху, показывающий обрыв в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения. Здесь жидкокристаллическое устройство режима IPS будет описано на основе Патентного документа 1. Нормально, в жидкокристаллическом устройстве отображения режима IPS различная проводка и электроды предусмотрены на подложке матрицы TFT (тонкопленочных транзисторов).

Как показано на фиг. 73, подложка TFT включает в себя проводку 125 электрода сканирования и проводку 122 первого общего электрода. Проводка 125 электрода сканирования и проводка 122 первого общего электрода сформированы на одной и той же плоскости. Кроме того, изолирующая пленка сформирована на проводке 125 электрода сканирования и проводке общего электрода, и проводка 124 сигнального электрода, проводка 121 пиксельного электрода и проводка 123 второго общего электрода сформированы на изолирующей пленке. Проводка 122 первого общего электрода и проводка 123 второго общего электрода электрически соединены. Проводка 125 электрода сканирования, проводка 124 сигнального электрода и проводка 121 пиксельного электрода соединены через TFT 126, составленный полупроводниковым элементом. TFT 126 функционирует в качестве коммутационного элемента. Проводка 121 пиксельного электрода и проводка 123 второго общего электрода соответственно имеют ширину линии 5 мкм.

Противоположные подложки, имеющие красный, зеленый и синий цветовые фильтры, расположены в положениях, противостоящих подложке TFT через жидкокристаллический слой. Когда TFT 126 включен (ON), сигнальный потенциал подается на проводку 121 пиксельного электрода с проводки 124 сигнального электрода. Когда TFT 126 становится невыбранным (отключен, OFF), потенциал проводки 121 пиксельного электрода сохраняется, из условия чтобы электрическое поле формировалось в поперечном направлении между проводкой 121 пиксельного электрода и проводкой 123 второго общего электрода. В соответствии с напряженностью электрического поля направление выравнивания молекул жидкого кристалла, выровненных в определенном направлении в пределах горизонтального направления относительно поверхности подложки, меняется на другое направление в плоскости и, как результат, меняется состояние поляризации света, падающего на жидкокристаллический слой.

Однако, когда обрыв возникает в местоположении проводки 121 пиксельного электрода, помеченного символом X, как показано на фиг. 73, сигнальный потенциал не подается в местоположение, которое стало изолированным вследствие обрыва, а потому электрическое поле не формируется между изолированной проводкой 121 пиксельного электрода и проводкой 123 противоположного второго общего электрода. Соответственно, местоположение, указанное диагональными линиями на фиг. 73, больше не вносит вклад в пропускание, и, как результат, пиксель, в котором происходит разрыв, распознается в качестве темного дефекта либо пикселя, имеющего чрезмерно пониженную яркость.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение разработано, принимая во внимание текущее положение дел, описанное выше, и его задача состоит в том, чтобы предложить жидкокристаллическое устройство отображения, у которого дефект пикселя не возникает, даже когда обрывается электрод.

Вслед за различными изысканиями в отношении жидкокристаллических устройств отображения, которые проявляют немного проблем, даже когда обрываются электрод или проводка, изобретатели настоящего изобретения сосредоточились на средстве для осуществления исправления с использованием лазера, когда оборван электрод или проводка. Кроме того, изобретатели настоящего изобретения обнаружили, что посредством дополнительного предоставления исправляющего электрода или проводки для перекрытия множества электродов или проводок электрод или проводка, которые должны быть исправлены, могут расплавляться благодаря облучению лазером, когда возникает обрыв, тем самым обеспечивая проводимость. Таким образом, изобретатели настоящего изобретения решили задачу, описанную выше, с огромным успехом, тем самым придя к настоящему изобретению.

Более точно, настоящее изобретение является жидкокристаллическим устройством отображения, содержащим жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой, при этом по меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, а подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя плавающий электрод, который перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков через изолирующую пленку (также в дальнейшем указываемое ссылкой как первое жидкокристаллическое устройство отображения по настоящему изобретению).

Настоящее изобретение также является жидкокристаллическим устройством отображения, содержащим жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой, при этом по меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя электрод перемычки, который перемыкает по меньшей мере два из двух или более линейных участков, и электрод перемычки расположен в другом слое от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, через изолирующую пленку (также указываемым ссылкой как второе жидкокристаллическое устройство отображения по настоящему изобретению).

Первое и второе жидкокристаллические устройства отображения по настоящему изобретению включают в себя жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой. Посредством предоставления проводки, электродов, полупроводниковых элементов и тому подобного на паре подложек и прикладывания напряжения к жидкокристаллическому слою может управляться выравнивание молекул жидкого кристалла. Жидкокристаллический слой предпочтительно сформирован из молекул нематического жидкого кристалла, имеющих положительную или отрицательную анизотропию диэлектрической постоянной. Режим выравнивания жидкокристаллического устройства отображения различается в зависимости от того, положительная или отрицательная анизотропия диэлектрической постоянной. Примеры режимов управления жидким кристаллом, применяемых в первом и втором жидкокристаллических устройствах отображения по настоящему изобретению, включают в себя режим VA, режим IPS, режим скрученного нематика (TN) и так далее. Направление электрического поля может быть горизонтальным по отношению к поверхности подложки (поперечное электрическое поле) или вертикальным по отношению к поверхности подложки (вертикальное электрическое поле). Посредством расположения слоя выравнивания на поверхностях пары подложек, которые контактируют с жидкокристаллическим слоем, начальный наклон молекул жидкого кристалла может быть определен в постоянном направлении. Начальный наклон молекул жидкого кристалла может быть вертикальным либо горизонтальным по отношению к поверхности подложки.

По меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, и электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка. Пиксельный электрод, на который подается сигнальное напряжение, общий электрод, на который подается общее напряжение, и так далее могут применяться в качестве электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Кроме того, предоставлением пиксельного электрода и общего электрода в качестве пары наклон молекул жидкого кристалла может управляться электрическим полем, сформированным между пиксельным электродом и общим электродом, и, как результат, может регулироваться степень двойного лучепреломления в свете, проходящем через жидкокристаллический слой. Более того, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, а потому наклон молекул жидкого кристалла может хорошо регулироваться.

В первом жидкокристаллическом устройстве отображения по настоящему изобретению, подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя плавающий электрод, который перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков через изолирующую пленку. Плавающий электрод является электрически изолированным электродом, который не является проводящим с другими проводящими элементами. Поэтому плавающий электрод электрически не присоединен к электроду, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, и расположен в другом слое от него через изолирующую пленку. Плавающий электрод может перекрывать три или более из двух или более линейных участков, поскольку он перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, плавающий электрод не должен перекрывать всю полноту двух или более линейных участков, и для достижения улучшения коэффициента пропускания плавающий электрод предпочтительно перекрывает соответственные части двух или более линейных участков. Посредством расположения плавающего электрода, чтобы перекрывал два или более линейных участка этим способом, когда обрыв возникает в части линейного участка, так что оборванная часть отключается от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, другой необорванный линейный участок и плавающий электрод могут быть сплавлены и тем самым электрически присоединены друг к другу посредством испускания лазера на необорванный линейный участок и плавающий электрод. Более того, оборванная часть может сплавляться и электрически присоединяться к плавающему электроду посредством испускания лазера на оборванную часть и плавающий электрод, а потому оборванная часть может исправляться, с тем чтобы обеспечивать электрическое соединение между ними. Когда напряжение не прикладывается, как рассчитано, вследствие обрыва, соответствующий пиксель распознается в качестве дефектного пикселя или, более точно, в качестве темного дефекта, и, как результат, качество отображения жидкокристаллического устройства отображения ухудшается. Отсюда с первым жидкокристаллическим устройством отображения по настоящему изобретению можно получать жидкокристаллическое устройство отображения, которое может легко реагировать на обрыв. Кроме того, оно дает возможность формировать два или более линейных участка ограниченным образом, чтобы добиваться улучшения коэффициента пропускания.

Во втором жидкокристаллическом устройстве отображения по настоящему изобретению подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя электрод перемычки, который перемыкает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, электрод перемычки расположен в другом слое от электрода, который прикладывает напряжение жидкокристаллическому слою, через изолирующую пленку. Электрод перемычки электрически присоединен к другим проводящим элементам и способен к обеспечению электрической проводимости между одним проводящим элементом и другим проводящим элементом. Электрод перемычки может быть расположен, чтобы перекрывать три или более из двух или более линейных участков, поскольку электрод перемычки перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, электрод перемычки не должен перекрывать всю полноту двух или более линейных участков, и для достижения улучшения коэффициента пропускания электрод перемычки предпочтительно расположен, чтобы перекрывать соответственные части двух или более линейных участков. Посредством присоединения двух или более линейных участков друг к другу через электрод перемычки этим способом, когда обрыв возникает в части линейного участка, так что оборванная часть отключается от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрическое соединение между оборванной частью и электродом, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, обеспечивается через электрод перемычки, а потому не возникает дефект пикселя. Отсюда со вторым жидкокристаллическим устройством отображения по настоящему изобретению можно получать высоконадежное жидкокристаллическое устройство отображения, в котором обрыв не создает проблему. Кроме того, оно дает возможность формировать два или более линейных участка ограниченным образом, чтобы добиваться улучшения коэффициента пропускания.

Конфигурация каждого из первого и второго жидкокристаллических устройств отображения по настоящему изобретению не является особенно ограниченными другими компонентами, поскольку она по существу включает в себя такие компоненты.

Предпочтительные варианты осуществления первого и второго жидкокристаллических устройств отображения по настоящему изобретению более подробно упомянуты ниже.

Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно имеют линейную форму. Чтобы гарантировать, что плавающий электрод или электрод перемычки перекрывает часть каждого из двух или более линейных участков, и чтобы обеспечить коэффициент пропускания, плавающий электрод и электрод перемычки предпочтительно имеют узкую вытянутую форму. Кроме того, линейная форма эффективна, поскольку она может использоваться в качестве базы отсчета во время настройки выравнивания, которая выполняется в процессе производства, чтобы определять, были или нет другие структурные элементы сформированы надлежащим образом.

Плавающий электрод 2 предпочтительно состоит из металлического элемента. Проводящий элемент, сформированный из металлического элемента, легче расплавляется посредством облучения лазером, чем проводящий элемент, например, сформированный из оксида металла, нитрида металла и так далее, а потому может легче выполняться исправление.

Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает соответственные оконечные участки двух или более линейных участков. Вынуждением плавающего электрода или электрода перемычки перекрывать оконечные участки линейных участков, область, в которой может выполняться исправление в зоне, в которой, вероятно, должен происходить обрыв, может быть расширена.

Ширина плавающего электрода предпочтительно является по существу идентичной или большей, чем ширина каждого из двух или более линейных участков. Посредством формирования линейных участков, чтобы были такими же широкими как или более широкими, чем ширина плавающего электрода, может быть расширена область облучения лазером, делая исправление посредством облучения лазером более легким. Кроме того, может снижаться вероятность обрыва в самом плавающем электроде.

Ширина плавающего электрода в месте, перекрывающем два или более линейных участка, предпочтительно является большей, чем ширина плавающего электрода в месте, не перекрывающем два или более линейных участка. Как результат, исправление посредством облучения лазером может выполняться легче, и место, не перекрывающее два или более линейных участка, может формироваться ограниченным образом, давая возможность увеличения коэффициента пропускания.

Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя множество плавающих электродов или множество электродов перемычки, и по меньшей мере один из множества плавающих электродов или множества электродов перемычки предпочтительно перекрывает один оконечный участок каждого из двух или более линейных участков наряду с тем, что по меньшей мере один из других из множества плавающих электродов или электродов перемычки перекрывает другой оконечный участок каждого из двух или более линейных участков. Когда каждый линейный участок имеет два оконечных участка, область облучения лазером может быть расширена расположением плавающего электрода, чтобы перекрывал оба оконечных участка. Более того, область, которая может быть покрыта электродом перемычки, может быть расширена расположением электрода перемычки, чтобы перекрывал оба оконечных участка.

Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя множество плавающих электродов или множество электродов перемычки, и по меньшей мере два из множества плавающих электродов или множества электродов перемычки каждые предпочтительно перекрывают один оконечный участок каждого из двух или более линейных участков. Посредством увеличения количества плавающих электродов количество возможных объектов облучения лазером может увеличиваться, делая исправление более легким. Кроме того, посредством увеличения количества электродов перемычки вероятность дефекта, вызванного обрывом, может быть снижена.

Подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, предпочтительно включает в себя проводки сканирования и сигнальные проводки, а плавающий электрод и электрод перемычки предпочтительно расположен в пределах области, окруженной проводками сканирования и сигнальными проводками. Когда область, окруженная проводками сканирования и сигнальными проводками, установлена в качестве подпикселя, а подпиксель определен в качестве одиночного блока экрана отображения жидкокристаллического устройства отображения, плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно удерживается в пределах подпикселя или, другими словами, формируется в блоках подпикселей, так чтобы дефекты в подпикселе могут исправляться.

Плавающий электрод предпочтительно расположен в положении, более отдаленном от жидкокристаллического слоя, чем электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Посредством расположения плавающего электрода этим способом плавающий электрод может использоваться в качестве экранирующего элемента для экранирования электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, от электрического поля. Например, влияние, основанное на изменении потенциала другой проводки или электрода, на потенциал электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, может быть уменьшено, и, как результат, нарушение выравнивания в молекулах жидкого кристалла в жидкокристаллическом слое может подавляться.

Оконечные участки двух или более линейных участков предпочтительно перекрывают пленку экранирования света. Нарушения выравнивания, вероятно, должны возникать в зоне жидкокристаллического слоя, которая перекрывает оконечные участки гребневых зубцов гребнеобразного электрода, а потому эта зона предпочтительно экранирована от света.

Электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, предпочтительно является гребнеобразным электродом, содержащим ствольный участок и два или более гребневых зубца, которые выступают из ствольного участка, и два или более линейных участка предпочтительно являются двумя или более гребневыми зубцами. Согласно настоящему изобретению, когда электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, является гребнеобразным электродом, проблемы, вызванные обрывом в гребневых зубцах, могут быть устранены.

Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя пару гребнеобразных электродов, и соответственные гребневые зубцы пары гребнеобразных электродов предпочтительно расположены вперемежку через постоянные промежутки. Электрическое поле, вырабатываемое, когда разность потенциалов прикладывается между парой гребнеобразных электродов, является дугообразным поперечным электрическим полем. Выравнивание молекул жидкого кристалла соответствует ориентации электрического поля, а потому подобное отображение демонстрируется в обоих, фронтальном направлении и диагональном направлении, относительно поверхности подложки. Как результат, получается характеристика широкого угла обзора. Кроме того, в этом типе способа управления, которым формируется поперечное электрическое поле, даже когда обрыв возникает в гребневых зубцах только одного из пары гребнеобразных электродов, электрическое поле не формируется по отношению к гребневым зубцам другого гребнеобразного электрода, а потому электрическое поле не вырабатывается в обширной области. Отсюда особенно вероятно должны происходить серьезные дефекты пикселя. Посредством применения признаков настоящего изобретения, однако, дефекты пикселя могут обходиться легче, а потому получается высоконадежное жидкокристаллическое устройство отображения типа с поперечным электрическим полем. Отметим, что пара электродов может быть сформирована в одном и том же слое или разных слоях.

Плавающий электрод предпочтительно перекрывает гребневые зубцы пары гребнеобразных электродов. Когда можно перекрывать плавающий электрод гребневыми зубцами обоих из пары гребнеобразных электродов, оба электрода могут обходиться единственным плавающим электродом, приводя к улучшению эффективности.

Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает гребневые зубцы гребнеобразного электрода, имеющего большее количество гребневых зубцов, из числа пары гребнеобразных электродов. По мере того как количество гребневых зубцов возрастает, вероятность обрыва также возрастает, а потому плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает по меньшей мере гребнеобразный электрод, имеющий большее количество гребневых зубцов, из числа пары гребнеобразных электродов.

Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает гребневые зубцы гребнеобразного электрода, имеющего более узкие гребневые зубцы, из числа пары гребнеобразных электродов. По мере того как гребневые зубцы становятся уже, вероятность обрыва возрастает, а потому, плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает по меньшей мере гребнеобразный электрод, имеющий более узкие гребневые зубцы из числа пары гребнеобразных электродов.

РЕЗУЛЬТАТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

С жидкокристаллическим устройством отображения согласно настоящему изобретению исправление для обеспечения проводимости может выполняться, и может подавляться возникновение дефекта пикселя, когда происходит обрыв в электроде, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 1-1, 1-9 и 1-10 осуществления;

фиг. 2 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии A-B по фиг. 1;

фиг. 3-1 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-1 осуществления в состоянии, где напряжение не приложено к жидкокристаллическому слою;

фиг. 3-2 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-1 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;

фиг. 4 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-1 осуществления;

фиг. 5 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления;

фиг. 6 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления;

фиг. 7 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-3 осуществления;

фиг. 8 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-4 осуществления;

фиг. 9 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления;

фиг. 10 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии C-D по фиг. 9;

фиг. 11 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления;

фиг. 12 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-6 осуществления;

фиг. 13 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-7 осуществления;

фиг. 14 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии E-F по фиг. 13;

фиг. 15 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-8 осуществления;

фиг. 16 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 1-9 осуществления, вдоль линии A-B по фиг. 1;

фиг. 17-1 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-10 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;

фиг. 17-2 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-10 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;

Фиг. 18 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 2-1 и 2-11 осуществления;

фиг. 19 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии G-H по фиг. 18, и схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии M-N по фиг. 46;

фиг. 20 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в пиксельном электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления;

фиг. 21 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в общем электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления;

фиг. 22 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-2 осуществления;

фиг. 23 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-3 осуществления;

фиг. 24 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-4 осуществления;

фиг. 25 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления;

фиг. 26 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления;

фиг. 27 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-6 осуществления;

фиг. 28 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-7 осуществления;

фиг. 29 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-8 осуществления;

фиг. 30 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-9 осуществления;

фиг. 31 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-10 осуществления;

фиг. 32 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии I-J по фиг. 31, и схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии O-P по фиг. 55;

фиг. 33 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-3 осуществления;

фиг. 34 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-4 осуществления;

фиг. 35 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-7 осуществления;

Фиг. 36 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 3-1, 3-9 и 3-10 осуществления;

фиг. 37 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии K-L по фиг. 36;

фиг. 38 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-2 осуществления;

фиг. 39 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-3 осуществления;

фиг. 40 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-4 осуществления;

фиг. 41 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-5 осуществления;

фиг. 42 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-6 осуществления;

фиг. 43 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-7 осуществления;

фиг. 44 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-8 осуществления;

фиг. 45 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 3-9 осуществления, вдоль линии K-L по фиг. 36;

Фиг. 46 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 4-1 и 4-11 осуществления;

фиг. 47 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-2 осуществления;

фиг. 48 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-3 осуществления;

фиг. 49 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-4 осуществления;

фиг. 50 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-5 осуществления;

фиг. 51 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-6 осуществления;

фиг. 52 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-7 осуществления;

фиг. 53 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-8 осуществления;

фиг. 54 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-9 осуществления;

фиг. 55 - схем