Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства

Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к базовой плате, способу производства базовой платы и подложке устройства. Более конкретно, настоящее изобретение относится к базовой плате, содержащей множество подложек панели, способу производства базовой платы и к подложке устройства, содержащей подложку панели, сформированную на базовой плате.

Уровень техники

В настоящее время ячейки устройства отображения, используемые в плоских панельных устройствах отображения, плоских панельных детекторах и т.п., обычно производят посредством вырезания множества ячеек устройства отображения одновременно из базовой платы, которая представляет собой большую подложку. Например, ячейки жидких кристаллов, которые являются типичными ячейками устройства отображения, используемыми в плоских панельных устройствах отображения, производят следующим образом. Базовую плату (далее также называемую первой базовой платой), на которой скомпоновано множество подложек панелей, предназначенных для использования в качестве подложек устройства, и базовую плату (далее также называемую второй базовой платой), на которой скомпоновано множество подложек панелей, предназначенных для использования в качестве подложек цветного фильтра (CF, ЦФ), соединяют друг с другом, используя герметизирующий материал так, что подложки панелей на соответствующих базовых платах обращены друг к другу. Каждую подложку панелей вырезают из соединенных базовых плат для получения множества ячеек. Жидкий кристалл впрыскивают в полученные ячейки посредством способа, такого как вакуумный впрыск.

В жидкокристаллической ячейке, получаемой посредством описанного выше способа, подложка устройства часто оборудована монолитной интегральной схемой, включающей в себя тонкопленочный транзистор, который изготовлен из тонкой пленки поликристаллического кремния, в соответствии с последними требованиями миниатюризации области рамки жидкокристаллической ячейки. Такую подложку устройства формируют, например, следующим образом.

Вначале формируют тонкую пленку из аморфного кремния на основной поверхности первой базовой платы. Затем эту тонкую пленку из кремния подвергают поликристаллизации, посредством лазерного отжига. И формируют шаблон полученной тонкой пленки из поликристаллического кремния в требуемую форму, и также обрабатывают другие необходимые материалы. Таким образом, на основной поверхности первой базовой платы формируют множество подложек панелей, каждая из которых оборудована монолитной схемой, включающей в себя тонкопленочный транзистор.

В процессе отжига лазером используют, например, эксимерный лазер, который может линейно излучать в предварительно определенном диапазоне. В этом процессе идеально, чтобы область излучаемого лазером света в тоже время (размер света лазера с одного конца до другого конца, далее называется лазерной длиной) была больше, чем ширина первой базовой платы. Однако эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, что связано с механизмом устройства и ограничениями стоимости. В настоящее время максимальная лазерная длина, обычно используемого в сравнительно недорогих устройствах, составляет приблизительно 300 мм.

С другой стороны, размер первой базовой платы имеет тенденцию к увеличению из года в год. Например, стеклянная подложка, имеющая размер приблизительно 730×920 мм, уже является коммерчески доступной в качестве первой базовой платы. Увеличение устройства эксимерного лазера отстает от увеличения первой базовой платы, и ширина первой базовой платы иногда больше, чем лазерная длина.

Здесь, в случае первой базовой платы, на которой скомпонованы подложки панели в шаблон матрицы, например, эксимерный лазер и первую базовую плату перемещают относительно друг друга вдоль направления строки или столбца в соответствии с компоновкой подложек панели, и эксимерный лазер несколько раз выполняет сканирование предварительно определенной части или всей основной поверхности первой базовой платы. Таким образом, поликристаллизуется только требуемая часть всей поверхности тонкой пленки из кремния.

Однако процедура формирования большого количества подложек панели на первой базовой плате является проблематично усложненной и трудоемкой в способе (например, см. Патентный документ 1) выполнения отжига лазером только требуемой части тонкой пленки из кремния.

Кроме того, способ выполнения отжига лазером всей поверхности базовой платы является проблематично трудоемким, поскольку облучение лазером выполняется также в области, в которой не требуется выполнять поликристаллизацию.

Кроме того, сканирование лазером основной поверхности базовой платы выполняют несколько раз в обоих способах. Поэтому, если предположить, что область, облученная в первую очередь эксимерным лазером от одного конца до другого конца базовой платы, представляет собой первую область облучения лазером, и область, где выполняли следующее облучение лазером, представляет собой вторую область облучения лазером, существует область, называемая областью лазерного соединения между первой областью облучения лазером и второй областью облучения лазером. Область лазерного соединения представляет собой область, облучаемую дважды лазером или не облученную вовсе лазером, для того, чтобы оставить тонкую пленку аморфного кремния в том виде, как она есть.

Кристаллизация тонкой пленки из кремния в области лазерного соединения с трудом подвергается управлению в соответствии с требованиями. Кроме того, степени кристаллизации области лазерного соединения, такие как средний размер зерен кристаллов, распределение размера зерен кристаллов и шероховатость поверхности кристаллов существенно отличаются от них же в первой и второй областях облучения лазером. В соответствии с этим, тонкопленочный транзистор, имеющий высокую мобильность, не может быть соответствующим образом сформирован в области лазерного соединения. Таким образом, поскольку область лазерного соединения не пригодна для образования подложки панели, количество подложек панели, которые могут быть скомпонованы на базовой плате, ограничивается, когда ширина области лазерного соединения большая. Это приводит к большому количеству непригодных областей (далее называется бесполезно расходуемой областью подложки), включая в себя область лазерного соединения.

Кроме того, как упомянуто выше, поскольку эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, лазерная длина может быть несколько короче, в зависимости от размера подложки панели. Это может привести к случаю, когда уменьшается количество строк (столбцов) на подложках панели, которые могут быть подвергнуты отжигу при одном облучении лазером на базовой плате. В приведенном выше примере количество подложек панели в каждой из первой и второй областей облучения лазером ограничено. Поэтому количество подложек панели, которые могут быть скомпонованы по всей поверхности базовой платы, уменьшается, в результате чего возникает проблема дополнительных затрат на производство.

Для решения описанной выше проблемы раскрыты способы облучения более широкого промежутка светом лазера, в которых свет от источника света подвергают дисперсии с использованием зеркала и т.п. (например, см. патентные документы 2 и 3). Однако такие способы требуют улучшения устройства облучения лазером. Кроме того, бесполезно расходуемая область подложки, упомянутая выше, все еще присутствует между первой и второй областями облучения лучами лазера, которые были подвергнуты дисперсии. В соответствии с этим, эффективное использование базовой платы все еще может быть улучшено посредством уменьшения бесполезно расходуемой области подложки.

[Патентный документ 1]

JP-A Sho-63-11989

[Патентный документ 2]

JP-A Hei-11-186163

[Патентный документ 3]

JP-A 2000-12460

Сущность изобретения

Настоящее изобретение было разработано с учетом описанного выше состояния уровня техники и его задача состоит в том, чтобы предоставить базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную бесполезно расходуемую область подложки, способ производства базовой платы и подложки устройства, содержащей подложки панели, сформированные на базовой плате.

Авторы настоящей заявки выполнили различные исследования базовой платы, оборудованной множеством подложек панели, и способа ее производства. В результате, авторы настоящей заявки выяснили, что описанные выше задачи могут быть решены посредством следующей конфигурации. А именно, по меньшей мере, в одной подложке панели, область края имеет область, которая содержит тонкую пленку из кремния, имеющую профиль кристаллов, отличный от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Такая конфигурация обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки на базовой плате. В соответствии с этим было выполнено настоящее изобретение. Кроме того, авторы настоящей заявки выяснили, что следующий отжиг лазером обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки для решения описанных выше задач. А именно, этап отжига лазером выполняют следующим образом: область формирования транзистора формируют с использованием поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области посредством относительного передвижения луча лазера и базовой платы; и область, включающую в себя тонкую пленку из кремния, формируют в, по меньшей мере, одной области края подложки панели, причем тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Таким образом было выполнено настоящее изобретение. Кроме того, подложка устройства, содержащая подложки панели, сформированные на описанной выше базовой плате, имеет область, включающую в себя тонкую пленку из кремния в области края. Тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора. В соответствии с этим, было выполнено настоящее изобретение.

А именно, настоящее изобретение является базовой платой, содержащей множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и, по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора. Это обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки, и поэтому может быть снижена стоимость.

Кроме того, настоящее изобретение является способом производства базовой платы, содержащей множество подложек панели, каждая из которых имеет область формирования транзистора и область края, при этом способ содержит этапы, на которых: наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность базовой платы; и выполняют отжиг лазером тонкой пленки из кремния для каждой предварительно определенной области, причем этап отжига лазером осуществляют таким образом, чтобы сформировать область формирования транзистора посредством перемещении лазера и базовой платы относительно друг друга для поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области и для формирования области с тонкой пленкой из кремния, по меньшей мере, в одной области края, причем тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора. Такой способ производства обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки, и поэтому могут быть снижены затраты.

Кроме того, настоящее изобретение является подложкой устройства, содержащей область формирования транзистора и область края, в которой область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, область края предусмотрена на внешней кромке подложки устройства, и область края включает в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Эта подложка устройства содержит подложку панели на базовой плате согласно настоящему изобретению.

На базовой плате подложки панели могут быть скомпонованы в шаблон матрицы так, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели, причем первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.

Профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора может быть таким же, как и первый профиль кристаллов.

Область формирования транзистора может включать в себя монолитную схему, содержащую тонкую пленку из кремния.

Тонкая пленка из кремния может формировать метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Метка управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон могут включать в себя метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, которые включают в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, и метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, которые включают в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов.

Профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора и профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области края могут отличаться, меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристаллов, распределения размера зерен кристаллов и шероховатости поверхности кристаллов.

Первый профиль кристаллов и второй профиль кристаллов могут отличаться, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристалла, распределения размера зерен кристалла и шероховатости поверхности кристаллов. Первый профиль кристаллов может быть поликристаллическим, и второй профиль кристаллов может быть нестабильно-кристаллическим и/или аморфным.

Каждая из подложек панели может иметь область формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область края, сформированную с одной стороны внешней кромки подложки панели.

В способе производства базовой платы этап отжига лазером может включать в себя относительное перемещение базовой платы и лазера вдоль направления строки или столбца так, что подложки панели скомпонованы в шаблоне матрицы на основной поверхности базовой платы, и выполнение отжига лазером подложек панели так, что подложки панели включают в себя первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов. Здесь этап отжига лазером может осуществляться так, что профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора является таким же, как и первый профиль кристаллов.

Способ производства базовой платы может дополнительно содержать этап формирования шаблона тонкой пленки из кремния в области края, для формирования метки управления процессом изготовления и/или оценочного шаблона. Тонкая пленка из кремния для формирования шаблона может быть тонкой пленкой нестабильного кристаллизовавшегося кремния и/или тонкой пленкой из аморфного кремния.

В способе производства базовой платы лазер может представлять собой эксимерный лазер.

На подложке устройства тонкая пленка из нестабильно кристаллизовавшегося кремния или тонкая пленка аморфного кремния формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.

В настоящем изобретении область края относится к области, предусмотренной на оконечном участке подложки панели, и включает в себя область, в которой не присутствует монолитная схема. Например, в ее состав включена область выводов для формирования соединительного вывода. Обычно область края также называется областью рамки.

Настоящее изобретение более подробно поясняется ниже.

Базовая плата согласно настоящему изобретению содержит множество подложек панели. Базовая плата представляет собой большую подложку, из которой, например, вырезают подложку устройства и подложку CF, которые составляют жидкокристаллическую ячейку, и т.п. Стеклянная подложка обычно используется в качестве базовой платы. В дальнейшем базовая плата для формирования подложки устройства жидкокристаллической ячейки, а именно первая упомянутая выше базовая плата, поясняется как пример базовой платы. В настоящем изобретении подложка панели относится ко множеству подложек, скомпонованных на базовой плате, и подложка устройства относится к тому, что отделяют от базовой платы путем отсоединения, вырезания и т.п.

Фиг. 1 является видом в перспективе, иллюстрирующим конфигурацию жидкокристаллической ячейки, с использованием подложки устройства, получаемой в настоящем изобретении, и фиг. 2 является видом сверху жидкокристаллической ячейки, показанной на фиг. 1. Здесь описана жидкокристаллическая ячейка, имеющая структуру трех свободных сторон, в которой подложка устройства и подложка CF отличаются по размеру, и область вывода как область края предусмотрена только с одной стороны внешней кромки подложки устройства. Поскольку жидкокристаллическая ячейка, имеющая структуру с тремя свободными сторонами, может уменьшить количество компонентов внешних схем, это предпочтительно для уменьшения размера жидкокристаллической ячейки и также предпочтительно относительно надежности соединения и снижения затрат.

Жидкокристаллическая ячейка 100 включает в себя подложку (подложка на стороне TFT) 110 устройства, на которой сформированы различные схемы, и подложку 120 CF, включающую в себя слой CF, как показано на фиг. 1 и 2. Обе подложки скомпонованы так, что поверхности с пленкой обращены друг к другу, и зафиксированы посредством помещения между ними герметизирующего материала 130 таким образом, что между ними поддерживается предварительно определенный зазор. Герметизирующий материал 130 сформирован вдоль четырех сторон жидкокристаллической ячейки 100 на предварительно определенном расстоянии от оконечного участка жидкокристаллической ячейки 100 и с шириной строки приблизительно 1 мм. Жидкий кристалл (не показан) расположен в промежутке, окруженном герметизирующим материалом 130 между этими подложками. Жидкий кристалл, например, впрыскивают посредством вакуумного впрыска и закрывают герметизирующей смолой 140. Жидкокристаллическая ячейка 100, в которую был выполнен вакуумный впрыск жидкого кристалла, имеет отдельную микросхему в герметизирующем материале 130 и включает в себя жидкий кристалл, закрытый посредством герметизирующей смолы 140. В последние годы на практике также используется капиллярный способ, в котором герметизирующий материал 130 не имеет микросхемы.

Подложка 110 устройства включает в себя область 111 формирования транзистора и область 112 выводов. Область 111 формирования транзистора имеет тонкопленочный транзистор, который включает в себя активный слой, выполненный из поликристаллизованной тонкой пленки из кремния. Поскольку тонкопленочный транзистор имеет предпочтительные характеристики устройства, он может сформировать не только матрицу пикселей, составляющую область 113 отображения, которая выполняет отображение изображения, но также и различные монолитные схемы. Примеры монолитных схем включают в себя схему 114 управления затвором и схему 115 управления истоком. В дополнение к этим схемам могут быть сформированы другие схемы 116, такие как схема подачи питания. Подложка 110 устройства, включающая в себя монолитную схему, скомбинирована со свободной на трех сторонах структурой для получения более компактной и легкой жидкокристаллической ячейки (ячейки устройства отображения).

Область 112 выводов представляет собой область для формирования на ней соединительного вывода (далее называется выводом) 117. Вывод 117 предназначен для подсоединения монолитной схемы и внешней схемы управления (не показана), которая подает питание для управления на монолитную схему через межсоединения 118. Область 112 выводов сформирована на одной стороне внешней кромки подложки 110 устройства, которая больше, чем подложка 120 CF на фиг. 1 и 2. В области 112 выводов могут быть скомпонованы метка 151 управления процессом изготовления и оценочный шаблон (TEG (ГЭТ), группа элементов тестирования) 152, в дополнение к выводу 117. Примеры оценочных шаблонов включают в себя шаблоны для оценки электрического свойства, толщины тонкой пленки, размерной точности , оптических свойств и т.п.

Метка 151 управления процессом изготовления сформирована посредством формирования шаблона на тонкой пленке из кремния, тонкой пленке из металла и т.п., для обозначения, например, вида жидкокристаллической ячейки и штрих-кода, метки проверки положения и т.п. При сборке жидкокристаллической ячейки для формирования жидкокристаллического устройства отображения и т.п., форму метки считывают посредством устройства считывания таким образом, что проверяют номер элемента и т.п. На фиг. 1 и 2 номер элемента обозначен, как метка 151 управления процессом изготовления.

TEG 152 сформирован посредством формирования шаблона на тонкой пленке из кремния, тонкой пленке из металла и т.п. в области 112 выводов, и для оценки элемента области 111 формирования транзистора.

В случае, когда формируют шаблон тонкой пленки из кремния для формирования TEG 152, поскольку TEG 152 имеет ту же степень кристаллизации, что и тонкая пленка из кремния в области 111 формирования транзистора, измерение степени кристаллизации TEG 152 может определить, является ли тонкопленочный транзистор в области 111 формирования транзистора предпочтительно поликристаллизованным.

И метка 151 управления процессом изготовления, и TEG 152 могут быть сформированы, или альтернативно, только один из них может быть сформирован.

Подложка 110 устройства, составляющая описанную выше конфигурацию, сформирована с использованием первой базовой платы, как упомянуто выше. Фиг. 3(a) является схематичным видом сверху для пояснения первой базовой платы в настоящем изобретении, и способа ее производства. Фиг. 3(b) является схематичным видом подложки панели, скомпонованной на первой базовой плате. На фиг. 3(a) первая базовая плата 301 включает в себя тонкую пленку из кремния (не показана), сформированную на основной поверхности, и множество подложек 302 панели, скомпонованных в шаблон матрицы. Подложки 302 панели, показанные на фиг. 3(b), предназначены для формирования подложки 110 устройства, показанной на фиг. 1 и 2, и каждая из подложек 302 панели включает в себя область 303 формирования транзистора для формирования области 111 формирования транзистора, и область 304 выводов для формирования области 112 выводов.

Область 303 формирования транзистора изготовлена из тонкой пленки из поликристаллизованного кремния и включает в себя монолитные схемы, такие как матрица пикселей, схема управления затвором и схема управления истоком. Тонкая пленка из кремния, формирующая область 303 формирования транзистора, влияет на свойства отображения, и поэтому необходимо обеспечить равномерную поликристаллизацию тонких пленок из кремния в отношении всех подложек 302 панели.

Область 304 выводов предусмотрена на внешней кромке подложки 302 панели. Что касается области 303 формирования транзистора и области 304 выводов, различные компоненты сформированы в них после отжига лазером тонких пленок кремния, и они могут иметь такие же конфигурации, как и область 111 формирования транзистора, и область 112 выводов, на этапе перед их отделением от первой базовой платы 301.

В настоящем изобретении, по меньшей мере, одна из скомпонованных подложек 302 панели должна иметь область, включающую в себя тонкую пленку из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область 303 формирования транзистора в области 304 выводов.

Это основано на следующих причинах.

Вначале авторы настоящего изобретения отметили, что область 112 выводов ячейки устройства отображения, такой как жидкокристаллическая ячейка, обычно не имеет сформированной на ней монолитной схемы, и часто занята выводом 117, меткой 151 управления процессом изготовления и TEG 152, как показано на фиг. 1 и 2. Например, поскольку большее количество схем монолитно сформированы в области 111 формирования транзистора, в случае жидкокристаллической ячейки 100, вмещающей схему подачи питания и имеющей функциональную возможность датчика, количество сигнальных строк, для соединения с внешними устройствами увеличено так, что большая часть области 112 вывода, более вероятно, будет занята выводом 117.

В соответствии с этим, авторы настоящей заявки пришли к мысли это, если монолитная схема не сформирована в области 112 выводов жидкокристаллической ячейки 100, как упомянуто выше, тонкая пленка из кремния в области 304 вывода на подложке 302 панели, показанной на фиг. 3, не обязательно должна иметь такую же степень кристаллизации, как и все подложки 302 панели, и не обязательно должна быть предпочтительно поликристаллизованной. Вкратце, авторы настоящего изобретения пришли к мысли, что даже нет необходимости выполнять отжиг тонкой пленки из кремния в области 304 выводов.

Основываясь на этой идее, авторы настоящего изобретения обнаружили, что на этапе производства первой базовой платы 301, включающей в себя подложки 302 панели, область 304 выводов каждой из подложек 302 панели можно использовать как область лазерного соединения. В соответствии с этим, авторы настоящего изобретения обнаружили, что посредством компоновки подложек 302 панели на первой базовой плате 301 таким образом, что область 304 выводов из каждой из подложек 302 панели включена в состав обычной области лазерного соединения, можно эффективно скомпоновать подложки 302 панели. В результате, могут быть решены описанные выше задачи.

В дальнейшем приведено пояснение на примере способа производства первой базовой платы 301, включающей в себя подложку 302 панели, в настоящем изобретении.

Вначале наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность первой базовой платы 301. Нанесение тонкой пленки из кремния выполняют посредством обычно известного способа, такого как способ CVD (ХОП, химическое осаждение из паровой фазы) и т.п. Нанесенная тонкая пленка из кремния представляет собой тонкую пленку из аморфного кремния.

Далее нанесенную тонкую пленку из кремния подвергают отжигу лазером в каждой предварительно определенной области. На этом этапе, как показано на фиг. 3(a), выполняют облучение лазером первой базовой платы 301 множество раз посредством сканирования с использованием лазера 305, который выполнен с возможностью линейного облучения в предварительно определенном диапазоне. Эксимерный лазер, имеющий эксимерный лазерный источник, соответственно используется как лазер 305, который выполняет такое облучение лазером. Отжиг лазером может осуществляться посредством относительного перемещения лазера 305 и первой базовой платы 301 вдоль направления строки или столбца в соответствии с компоновкой подложек 302 панели. Здесь будет описан случай, когда отжиг лазером выполняют путем перемещения лазера 305 в направлении стрелки A, в то время как первая базовая плата 301 зафиксирована.

Если предположить, что область, на которой лазер 305 перемещается из одного конца в другой конец первой базовой платы 301, представляет собой область облучения лазером, на первой базовой плате 301, показанной на фиг. 3(a), предусмотрены первая - четвертая области R1-R4 облучения лазером. В каждой из областей R1-R4 облучения лазером включены 12 подложек 302 панели в двух строках и шести столбцах.

Фиг. 3(c) является схематичным видом, иллюстрирующим состояние облучения лазером областей R1-R4 облучения лазером. При выполнении облучения лазером первой области R1 облучения лазером, например, облучение лазером выполняют на всех областях 303 формирования транзистора и областях 304 выводов относительно подложек 302 панели в первой строке, и облучение лазером выполняют только на областях 303 формирования транзистора и не на области 304 выводов относительно подложки 302 панели во второй строке.

Таким образом, как показано на фиг. 3(c), подложки 302a панели, в которых вся поверхность поликристаллизована и подложки 302b панелей, в каждой из которых поликристаллизована только область 303 формирования транзистора, присутствуют в первой области R1 облучения лазером. А именно, все шесть подложек 302 панели в первой строке становятся подложками 302a панели, в которых области 303a формирования транзистора и области 304a выводов поликристаллизованы, и шесть подложек 302 панели во второй строке становятся подложками 302b панели, в которых только области 303b, формирующие транзистор, поликристаллизованы, и области 304b выводов остаются аморфными.

Далее также, во второй области R2 облучения лазером, облучение лазером выполняют так же, как и в первой области R1 облучения лазером. В это время область RG лазерного соединения формируется между первой областью R1 облучения лазером и второй областью R2 облучения лазером. Здесь области 304b выводов подложек 302b панели, скомпонованные во второй строке, в первой области R1 облучения лазером, используются как часть области RG лазерного соединения.

Степенью кристаллизации тонкой пленки из кремния в области RG лазерного соединения нельзя управлять, как упомянуто выше. Кроме того, область RG лазерного соединения существенно отличается от областей 303 формирования транзистора подложек 302 панели по степени кристаллизации, включающей в себя средний размер зерна кристалла, распределение размера зерна кристалла и шероховатость поверхности кристаллов. В настоящем изобретении подложки 302 панели скомпонованы таким образом, что области краев (области 304b выводов) плат 302b панелей включены в состав области RG лазерного соединения. Здесь, как упомянуто выше, монолитная схема не формируется в области 304b выводов каждой из подложек 302b панели, и только метку 151 управления процессом изготовления и TEG 152, в дополнение к выводу 117, формируют в области 304b выводов. Поэтому не является какой-либо особой проблемой то, что область 304b выводов не является кристаллизованной в той же степени, что и область 303b формирования транзисторов.

Облучение лазером выполняют на третьей области R3 облучения лазером и четвертой области R4 облучения лазером, так же, как и в первой и второй областях R1 и R2 облучения лазером. Выполняя описанную выше обработку, 48 частей подложек 302 панели формируют на первой базовой плате 301.

Как упомянуто выше, по меньшей мере, часть областей края подложек 302 панели, более конкретно, области 304b выводов, сформированные между двумя соседними областями облучения лазером, используются как часть области RG лазерного соединения. Таким образом, становится возможным сузить промежуток D1 между двумя строками подложек 302 панели, скомпонованными над соседними двумя областям облучения лазером. Это обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек 302 панели на первой базовой плате 301, и в некоторых случаях, делает возможным увеличение количества подложек 302 панели, которые могут быть изготовлены из одной первой базовой платы 301 без каких-либо неудобств при управлении производством. Кроме того, область края может включать в себя, например, области рамки, в каждой из которых отсутствует монолитная схема, в дополнение к областям 304 выводов. Монолитную схему формируют в положении, включенном в состав области 304 выводов в двух соседних областях облучения лазером.

Кроме того, становится возможным уменьшить бесполезно расходуемую область подложки, которая сформирована на первой базовой плате 301 и которая потребовалась отдельно в результате сужения промежутка D1 между двумя строками подложек 302 панели, скомпонованных над соседними двумя областями облучения лазером. Кроме того, эффективная компоновка подложек 302 панелей позволяет образовывать другую схему в области, которая обычно была бесполезно расходуемой областью подложки, что приводит к эффективности использования первой базовой платы 301.

В случае использования эксимерного лазера в качестве лазера 305, поскольку эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, как упомянуто выше, мог возникнуть случай, когда лазерная длина несколько короче и количество строк (столбцов) подложек 302 панели, которые могут быть подвергнуты отжигу при одном облучении лазером на первой базовой плате 301, уменьшено. Однако в настоящем изобретении возможен случай, когда использование области края подложки 302 панели как части области RG лазерного соединения обеспечивает возможность увеличения количества строк подложек 302 панели, которые могут быть облучены при одном облучении лазером, даже в случае использования эксимерного лазера с одинаковой лазерной длиной.

Кроме того, поскольку область края (область 304b выводов в описанном выше примере) не требуется облучать лазером, лазер 305, имеющий ту же лазерную длину, может облучать подложку 302 панели большего размера. В результате, соответственно обрабатывают увеличенный размер подложки 302 панели. Однако промежуток между двумя строками подложек 302 панели не полностью устранен, поскольку оно используется как область для формирования кольца короткого замыкания (область, которая выполняет короткое замыкание выходов в бесполезно расходуемой области подложки), которая соответственно используется, например, как мера против статического разряда.

На по меньшей мере, одной подложке 302 панели на первой базовой плате 301, имеющей описанную выше структуру, как упомянуто выше, предусмотрена область края (область 304 выводов), которая имеет область, содержащую тонкую пленку из кремния, имеющую профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область 303 формирования транзистора.

Различие в профиле кристаллов относится к различиям в, например, среднем размере зерна кристалла, распределении размеров зерен кристаллов, степени шероховатости поверхности кристаллов, направлении роста зерен кристаллов и т.п. Или в качестве альтернативы, состояние, в котором профили кристаллов отличаются друг от друга, может относится к случаю, когда первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является аморфным. Однако в области формирования транзистора, поликристаллический кремний предпочтительно имеет тем больший средний размер зерен кристаллов, чем меньше распределение размеров зерен кристаллов, и меньшую шероховатость поверхности кристаллов по сравнению с поликристаллическим кремнием в области края (область 304 выводов). Это требуется для получения тонкопленочного транзистора, имеющего высокую мобильность и хорошее сопротивление давлению.

В обычной первой базовой плате профили кристаллов тонких пленок из кремния являются теми же, что и во всех подложках панели, как описано далее. Кроме того, профили кристаллов являются теми же, что и между тонкими пленками